双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法及器件技术

本发明专利技术公开了一种双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法及器件，方法包括：在硅衬底上形成第一集电极区、第二集电极区和场氧隔离区；在第一集电极区注入内基区；在集电极区形成选择性注入区；在第二集电极区中形成Si Ge异质结内基区；形成第一外基区和第二外基区；形成第一发射极窗口和第二发射极窗口；在所述第一发射极窗口形成第一多晶硅发射极区，在所述第二发射极窗口形成第二多晶硅发射极区。本发明专利技术中，可以在不显著增加工艺难度及工艺复杂度的情况下，同时实现双多晶自对准双极晶体管与Si Ge异质结双极晶体管的工艺集成，可满足多种不同的应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶体管制作领域，特别是涉及一种双多晶自对准双极工艺集成锗硅hbt的制作方法及器件。

技术介绍

1、相比常规硅基双极工艺，sige异质结双极工艺引入sige异质结技术，通过将硅掺杂基区替换为ge-si材料(si1-xgex)，形成sige异质结晶体管(sige hbt)，可大幅提升双极晶体管的高频特性。sige异质结双极工艺由于sige外延基区技术的引入，需要更多的光刻图形区域定义、更高的工艺技术难度以及更复杂的工艺流程结构实现，因此其往往只具备高性能的sige hbt晶体管，不具备高性能的纵向结构双极晶体管，寄生方式生成的双极晶体管，无论输出特性、电流增益、频率特性、噪声特性等性能均远远低于纵向结构的双极晶体管，无法满足高速运算放大器、高速对数放大器、射频放大器等产品的开发应用需求。

2、在一套双极工艺中，同时集成单独制备的纵向结构npn双极晶体管和纵向结构pnp双极晶体管，这样的工艺称为互补双极工艺。相比常规双极工艺，互补双极工艺中即包含高性能的vnpn器件，又兼容高性能的vpnp器件，具备比常规双极工艺更优异的性能指标，但其整本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法，其特征在于：所述第一掺杂类型为P型掺杂，所述第二掺杂类型为N型掺杂；或

3.如权利要求1或2所述的双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法及器件，其特征在于，所述S1步骤包括以下子步骤：

4.如权利要求3所述的双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法，其特征在于，所述第一集电极区和第二集电极区通过掺杂外延形成，或通过离子注入掺杂和退火形成；

5.如权利要求3所述的双多晶自对准双极工艺集...

【技术特征摘要】

1.一种双多晶自对准双极工艺集成锗硅hbt的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的双多晶自对准双极工艺集成锗硅hbt的制作方法，其特征在于：所述第一掺杂类型为p型掺杂，所述第二掺杂类型为n型掺杂；或

3.如权利要求1或2所述的双多晶自对准双极工艺集成锗硅hbt的制作方法及器件，其特征在于，所述s1步骤包括以下子步骤：

4.如权利要求3所述的双多晶自对准双极工艺集成锗硅hbt的制作方法，其特征在于，所述第一集电极区和第二集电极区通过掺杂外延形成，或通过离子注入掺杂和退火形成；

5.如权利要求3所述的双多晶自对准双极工艺集成锗硅hbt的制作方法，其特征在于，所述s2步骤包...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘青，刘建，钟怡，黄东，阚玲，林成鹏，税国华，马丽娜，唐新悦，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：