本发明公开了一种基于多抽取率的数字滤波器输出截断方法及装置，数字滤波器包括CI C滤波器、补偿滤波器以及半带滤波器，方法包括以下步骤：根据当前的抽取因子计算CI C滤波器输出数据的位宽，根据预先设定的截取数据位宽对CI C滤波器输出数据...

本发明涉及半导体元器件检测领域，公开了一种适用于微小塑封元器件的超声检测试验夹具，包括适配于超声波检测仪器载物台以用于放置在载物台上的基底板、用于承载塑封元器件的基板以及用于层叠在基板上并挡住塑封元器件的盖板，所述基底板上形成有沿一纵向...

本发明公开了一种降低时钟馈通效应的高线性度栅压自举开关，包括栅压自举模块、电荷泵升压模块、MOS采样开关和补偿电路模块，所述补偿电路模块用于补偿MOS采样开关因时钟馈通效应而产生的误差。本发明中，在传统栅压自举开关的基础上增加了补偿电路...

本发明公开了一种比较器，包括预放大及输入单元、尾电流管单元、负载单元、锁存单元和复位单元；预放大及输入单元用于接收差分输入信号并进行比较放大，得到差分放大信号，并在锁存阶段将差分放大信号及尾电流管单元输出的偏置电流送给锁存单元；尾电流管...

本发明属于ESD设计架构技术领域，具体涉及一种可广泛用于模拟开关的简易高可靠ESD设计架构，包括ESD防护二极管和MOS开关电路，所述ESD防护二极管包括二极管D22、二极管D23、二极管D24、二极管D25、二极管D26、二极管D27...

本发明涉及试验辅助设备领域，公开了一种用于螺杆安装的旋转器，包括外层结构以及活动设置在外层结构内的内层结构，所述内层结构内形成有用于供螺杆的一端穿设于其中并被锁定的锁定腔，在所述外层结构和内层结构之间设置有通过下压外层结构带动内层结构转...

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于模拟多路复用器的控制保护电路；该电路包括：译码器、多路驱动控制电路、衬底保护电路和开关功率管；译码器输出连接多路驱动控制电路；每个驱动控制电路均连接对应的衬底保护电路和开关功率管；每个驱动控制...

本发明涉及正电子发射断层成像技术领域，具体涉及一种多通道高精度PET电路采集系统及其使用方法，系统包括：FPGA控制板，用于根据从上位机接收的DAC偏压值来控制偏压程控输出电压值、控制电流程控输出电压值和电流值，电压电流控制精度分别达到...

本发明公开了一种比较器失调电压误差校正结构，包括短接单元、累加器、计数器、数字校正模块和误差补偿单元，所述数字校正模块用于在计数器的计数值达到预先设置的计数阈值时，根据累加器的输出值对输出的电平值进行调节，所述误差补偿单元用于根据数字校...

本发明公开了一种抑制欠压浪涌的高可靠电源前端电路，包括：第一控制单元，用于当供电电源提供的供电电压在大于等于设定的第一电压阈值时输出供电信号以为后端电路供电，以及当供电电压小于第一电压阈值时断开供电信号的输出以停止为后端电路供电；储能单...

本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种防潜通反相器电路，包括元件：3个NMOS管MN1～MN3、3个PMOS管MP1～MP3、1个二极管D1、1个电阻R1；本发明所述反相器电路具备防潜通功能，可以提升整体电路的稳定性与安全性，同时可以...

本申请提供一种修正相位误差的毫米波有源移相器，该有源移相器包括信号转换模块、相位修调模块、差分信号产生模块及移相模块，将射频信号输入信号转换模块生成第一信号和第二信号，通过调整相位修调模块中相位修调单元的接地方式修正第一信号与第二信号之...

本发明属于集成电路领域，具体涉及一种高速PWM比较器电路，PWM比较器包括比较器主体和锁存单元，比较器主体采用三级放大结构，前两级采用电阻负载的共源极差分对、第三级采用电流镜作为负载的放大器，锁存单元直接与比较器主体第三级放大器的输出端...

本发明涉及正电子发射断层成像技术领域，具体涉及一种PET探测器成像系统及其应用，系统包括屏蔽罩、闪烁晶体LYSO阵列、硅光电倍增管SiPM阵列、PET电路阵列、FPGA主控板、电平转换模块、Cameralink协议转换模块、PC上位机。...

本发明公开了一种基于热耦合优化的多叉指双极晶体管结构，包括硅基衬底和外延层；所述外延层的双极晶体管器件区中沿其长度方向依次设置有N个叉指结构；每一所述叉指结构分别包括基区、发射区和深集电极接触区，所述基区设置在外延层的顶部区域，所述发射...

本申请提出一种电流镜型增益自举运算跨导放大器，包括：输入电路，其接收差动输入并提供输入跨导；电流镜电路，其用于根据镜像比例扩大放大器增益；共源共栅增益自举电路，其用于提高所述电流源镜电路的输出电阻，使得所述放大器增益进一步扩大；尾电流源...

本发明公开了一种带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法，制作方法包括：在第一有源区的衬底中注入形成埋层；在第一有源区和第二有源区的交界处形成浅槽隔离区；在埋层的下方通过注入形成深N阱；在深N阱正上方的四周的衬底中通过注入形成...

本发明公开了一种可修调金属薄膜帽形电阻的阻值计算方法，包括：预先确定可修调金属薄膜帽形电阻的尺寸参数；将所述可修调金属薄膜帽形电阻划分为四个区域，并分别计算第一区域、第二区域和第三区域的电阻；根据预先确定的电阻修正参数计算第四区域的电阻...

本发明公开了一种集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法及结构，方法包括：在硅衬底上形成多个浅槽隔离区；在CMOS有源区形成多晶硅栅、栅极氧化硅和轻掺杂区；在HBT区打开基区窗口并形成选择性离子注入区；形成Si Ge基区；形成牺牲发射区；刻...

本发明公开了一种OCR智能识别系统及方法，所述系统包括：开关控制子系统，用于在需要识别产品上的标识字符时发送触发信号给上位机；上位机，用于响应于触发信号，发送光源控制信号给光源子系统，发送相机控制信号给视觉子系统，以及运行OCR识别程序...