本发明请求保护一种基于两步式搜索的增量式sigma delta ADC参数优化方法，包括反馈通路、量化器、第一级、第二级积分器、第一、第二、第三前馈通路、待定系数b、待定系数c。反馈通路连接于待定系数b之前的求和节点和量化器的输出端之间...

本发明提供了一种次级控制模式的直流变换器及其控制方法，所述直流变换器包括电源输入端口、主功率模块、电源输出端口、辅助供电模块、驱动隔离模块、初级驱动控制模块、次级驱动控制模块、脉宽调制模块、电压前馈模块及输出采样模块；在本发明中，结合电...

本发明请求保护一种用于Pipeline ADC的数字后台校准系统，包括降频器、待校准ADC、低速高精度ADC、LMS自适应滤波器和减法器；能解决流水线ADC因级间增益误差导致系统精度下降的问题。在原有的算法模型中引入反双曲正切函数，构建...

本发明提供一种单粒子效应敏感区域确定方法及系统，该方法包括：利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；再基于单粒子效应敏感区域平面图计算单粒子效应敏感区域的表面积，同时获取预先或实时基于待...

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种自校准电荷泵匹配电路，该电路包括：电荷泵模块和校准反馈比较模块，电荷泵模块由校准电路和电荷泵主通路单元构成，其中校准反馈比较模块的输入端与电荷泵主通路单元的输出端连接，输出端与电荷泵模块的校准电路...

本发明提供一种锂离子电池的电化学阻抗谱数据校准电路及方法，所述校准电路包括：储能单元、电池等效单元、电源控制单元及标准等效电路单元，通过所述电源控制单元将所述储能单元的充电至预设电压阈值之后，再通过电源控制单元使得所述储能单元处于放电状...

本发明提供一种锂离子电池的传感测试芯片及方法，该传感测试芯片包括：外部接口模块和内部测试模块，外部接口模块用于接外部通信芯片、标准电容、标准电感和锂离子电池；内部测试模块与所述外部接口模块连接，通过所述外部通信芯片输入控制信号，根据所述...

本发明涉及一种芯片倒膜装置、方法及提高芯片自动贴片时吸取率的方法，芯片倒膜装置包括载板，所述载板具有正面以及与正面相对的背面，所述正面开设有芯片盒放置槽，所述芯片盒放置槽的形状与芯片盒相适配，所述芯片盒放置槽的两侧分别开设有一与其连通的...

本发明请求保护一种基于三路径的高线性度栅压自举开关，属于模拟集成电路设计技术领域。为了防止PMOS管源极—衬底正向偏置，将其衬底端和源极相连，但是会增加N阱寄生电容C

本发明涉及一种功率因素校正电路的防浪涌保护电路和方法，通过设置恒流充电模块对储能电容进行充电，使得储能电容的电压到达第一阈值；在储能电容的电压到达第一阈值后，通过控制和比较模块在每个交流周期的下降区间比较电容电压值和交流电源信号的值，并...

本发明涉及一种适用于片式电容的抗弯曲强度测试夹具及测试方法，包括底座，所述底座上水平设置有限制位挡板，所述限制位挡板上设置有支撑组件；所述底座上还设置有PCB板固定结构，所述PCB板固定结构上设置有PCB板，所述PCB板位于支撑组件的正...

本发明涉及一种适用于轨道式加热共晶烧结工艺的氮气保护装置，包括主体框架，所述主体框架上设置有氮气容纳孔以及与氮气容纳孔连通的进气孔，所述进气孔的孔口处设置有氮气接头；所述主体框架固定连接有上盖板和下盖板，所述上盖板和下盖板将氮气容纳孔围...

本发明公开了一种高复用度低功耗的脉冲神经网络模型，网络包括编码层，脉冲卷积层，脉冲池化层，全连接层以及脉冲输出层，图片数据经过突触模型转换成脉冲信号；脉冲卷积层提取信号的多维度信息；脉冲池化层对数据进行降维、去除冗余信息；全连接层进行特...

本发明公开了一种基于双层电介质的碳基三端仿生突触器件及其制备方法，包括衬底，衬底之上设置有栅电极，栅电极之上设置有双层电介质，双层电介质层的上表面设置有源电极和漏电极，源电极和漏电极通过半导体沟道相连接；所述双层电介质包括从下至上设置的...

本发明提供一种VDMOS器件及其制备方法，VDMOS器件包括N

本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高增益平坦度、高线性度的宽带低噪声放大器，包括输入匹配网络、偏置网络、反馈网络、放大电路、输出匹配网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端、偏置网...

本发明属于微电子器件技术领域，具体涉及一种应用于红外传感预处理系统的SiP芯片及时序控制方法，包括可编程红外图像数字处理子模块、红外图像及温度采集子模块以及低噪声多通道红外偏压子模块；所述红外图像及温度采集子模块用于对红外探测器信号的调...

本发明涉及电源领域，特别涉及一种电源输出电压补偿调节电路及其控制方法，包括第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一负调节电阻、第二负调节电阻、第一正调整电阻、第二正调节电阻、负温度系数二极管、正温度系数二极管、负温度调节比例电阻、正温度调节比例...

本发明提供了一种电压基准源，所述电压基准源包括：启动电路；曲率校正电路；运算放大器；负反馈电路；比例电阻输出电路；其中，曲率校正电路通过内部不同正温度系数电阻的差异化设计抵消掉内部目标三极管饱和压降的负温度系数，在目标三极管的基极处得到...

本发明公开多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器，方法步骤包括：1)形成低电压系数集成双多晶电容器区的N型阱，在N型阱以外区域形成自对准P型阱；2)淀积低电压系数集成双多晶电容器下电极多晶膜层；3)淀积双多晶电...