本发明涉及半导体集成电路设计领域，特别涉及一种对电源不敏感的电流源，包括：参考电流产生电路，所述参考电流产生电路用于产生电源不敏感的参考电流，采用栅源短接的JFET管、工作在反向击穿状态的齐纳二极管；电流镜电路，所述电流镜电路与参考电流...

本发明公开了一种穿孔插件高可靠回流焊接方法，该方法包括以下步骤：确定印刷电路板正反面的同轴焊盘和插件的外形尺寸；根据所述外形尺寸计算印刷电路板的通孔与插件之间的理论焊锡量；根据所述理论焊锡量计算与所述插件适配的预制焊环体积参数；根据所述...

本发明涉及模拟开关芯片领域，特别涉及一种故障保护开关电路，包括一种钳位限制结构，所述钳位限制结构由2个比较器BufferN与BufferP，二输入与非门Nand2_1，二输入或非门Nor2_1，三输入或非门Nor3_1，4个NMOS管N...

本发明涉及一种基于SiP的四通道峰值信号采集电路，该电路包括：四通道峰值保持模块和信号采集模块，所述四通道峰值保持模块的输入为模拟脉冲信号，经过峰值保持处理后输出保持后的模拟信号；将所述保持后的模拟信号输入信号采集模块，经过模数转换后输...

本发明公开了一种集成电路结构及其制作方法，集成电路结构包括具有金属管帽、电路板和塑料盖板，所述金属管帽中填充有灌封胶；所述金属管帽的开口处形成有一圈下沉台阶，所述塑料盖板的外侧形成有一圈缺口；所述塑料盖板设置有一圈第一金属化结构；所述第...

本发明公开了一种支持片上训练的气体识别装置，包括：输入数据存储器，用于输入并存储待识别的气体数据或者训练数据；气体识别处理器，用于在全局控制器的控制下基于训练数据及其对应的目标输出值完成片上训练，还用于在全局控制器的控制下对待识别的气体...

本发明公开了一种带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管，包括衬底，所述衬底的上部设置有浅槽隔离区，所述浅槽隔离区将衬底上划分为第一有源区和第二有源区；所述第一有源区的衬底中注入形成有埋层和深N阱；所述埋层位于深N阱的正上方；所述深N阱...

本发明公开了一种低温漂低功耗带隙基准电路，包括带隙核心电路、电流求和电路、输出电路和启动电路；所述带隙核心电路，用于产生正温度系数电流和负温度系数电流；所述电流求和电路和输出电路用于将正温度系数电流和负温度系数电流相加，并产生基准电压；...

本发明公开了一种带光电流补偿的带隙基准电路，包括带隙基准核和误差放大器，所述带隙基准核包括偏置电流镜和带隙基准对管；还包括：输出调整管，连接所述误差放大器的输出端，用于根据误差放大器输出的误差增益来调整输出电压；电阻采样电路，连接所述输...

本发明公开了一种低相噪的压控振荡器，包括：谐振模块，用于产生压控振荡器的差分振荡信号并扩展振荡幅值限制，差分振荡信号包括负相振荡信号和正相振荡信号；自动幅值控制模块，用于检测谐振模块输出的差分振荡信号的幅值的最大值，并与预设的参考电压进...

本发明公开了一种基于感存算一体的多组分气体预警系统及其预警方法，该系统包括以下模块：传感器阵列模块，被配置为利用能够识别不同气体的传感器阵列，对电池仓内不同气体浓度进行测量；数据存储处理模块，被配置为将传感器采集到的气体数据进行数据处理...

本发明公开了一种数据校准装置及方法，所述装置包括：输入数据存储器，用于输入并存储待校准的数据；神经网络数据校准处理器，用于对待校准的数据进行流水线分层处理并在完成所有数据的校准之后输出校准完成信号；全局控制器，用于当检测到输入数据存储器...

本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种基于电流复用的低功耗紧凑型射频低噪声放大器，包括：输入匹配网络、共源单端放大级、级间匹配巴伦、共源差分放大级以及输出匹配巴伦；输入匹配网络的输入端与输入端IN相连接，输入匹配网络的输出端与共源单端放...

本发明公开了一种过温保护电路及具有过温保护功能的功率运算放大器，过温保护电路包括温度检测单元、控制模块和信号输出单元，温度检测单元用于根据环境温度输出对应的温度感应电压；控制模块用于在所述温度感应电压高于第一电压阈值时输出大于第三电压阈...

本发明涉及一种用于双路径电荷泵锁相环的混合失配校准电荷泵，包括：通过低通滤波器滤除基准电流中的高频噪声；第一电流复制支路和第二电流复制支路复制过滤后的基准电流，并向充电支路和放电支路提供电流参考；充电支路产生充电电流；放电支路产生充电电...

本发明涉及模拟集成电路领域，特别涉及一种高精度电流反馈运算放大器，包括输入级电路、有源负载电路、输出级电路，输入级电路与有源负载电路连接，有源负载电路还与输出级电路连接，输入级电路包含偏置电路；本申请通过在运算放大器的输入级电路中引入电...

本发明实施例提供一种采用Class‑AB输出结构的无输出电容低压差线性稳压器。应用于CMOS模拟集成电路设计领域，该采用Class‑AB输出结构的无输出电容低压差线性稳压器包括：差分再生输入级、折叠级、推挽驱动缓冲级及功率输出级。差分再...

本发明涉及一种带反相小增益级的快速响应LDO，包括：偏置模块、带隙基准、控制电压生成器、翻转电压跟随器、反相小增益级、推挽式中间级和功率管MP；所述偏置模块用于为所述控制电压生成器、反相小增益级和翻转电压跟随器提供偏置电压；所述带隙基准...

本发明涉及一种片上磁芯功率电感器的制备方法，包括：在晶圆上表面利用光刻和深反应离子刻蚀电感器端头绕组的硅槽和电感器中间绕组的硅槽；依次在电感器端头绕组硅槽和电感器中间绕组硅槽的槽壁处形成绝缘薄膜层、钛阻挡层和铜籽晶层；并通过电镀在电感器...

本发明公开了一种注入锁定时钟生成装置，包括：注入脉冲生成器，用于接入参考时钟信号，并生成对应的注入信号I NJ以及互补控制脉冲信号，其中，所述注入信号I NJ与参考时钟信号频率相同、相位相反且具有可调延时，所述互补控制脉冲信号包括第一控...