本发明公开了一种主频补偿的高精度锁相电机转速控制系统，包括霍尔传感器、转速补偿模块、时钟补偿模块和转速控制模块；霍尔传感器用于检测电机转子的位置并转换为对应的矩形波作为霍尔信号；转速补偿模块用于根据霍尔信号、控制系统的实时主频和外部输入...

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于shell脚本的三模冗余实现方法；包括：S1：构建时钟和复位的三模冗余并用DC工具综合，输出脚本所需文件；S2：使用shell脚本对脚本所需文件进行处理，得到三种文件；S3：创建三模冗余模块；...

本发明属于集成电路领域，涉及分布式放大器，特别涉及一种基于GaN工艺的分布式放大器，包括N级行波管网络、栅极供电偏置网络，其中：N级行波管网络，包括级联的N个行波管网络，第N级行波管网络输出射频信号；栅极供电偏置网络，用于为N级行波管网...

本发明公开了一种原始记录信息管理系统及管理方法，所述系统包括：工步调用关系配置子系统，用于获取标准工步创建指令，基于标准工步创建指令创建标准工步并配置可以调用标准工步的关联工步；参数配置子系统，用于获取参数配置指令，基于参数配置指令配置...

本发明涉及一种采用混合失配校准的双路径电荷泵锁相环，包括：双路径锁相环电路，其中，所述双路径锁相环电路中比例路径和积分路径对应的电荷泵为混合失配校准电荷泵，所述混合失配校准电荷泵用于根据UP上拉控制信号和DN下拉控制信号在外部粗校准信号...

本发明涉及电源领域，特别涉及一种带状态反馈的低延迟大电流固态继电器，包括耦合电感的原边分别与无光耦PWM控制器、外部输入电压连接；数字隔离器接收来自外部控制器的驱动输入信号并将状态输出信号发送给外部控制器；耦合电感的副边一端与内部接地端...

本发明公开了一种集成电路芯片辐射效应评估试验的X射线总剂量确定方法，包括：根据待试验集成电路芯片中与辐射的敏感区相关的各板层结构仿真建模得到真实结构模型，并仿真X射线的辐照环境并统计集成电路芯片的真实结构模型中敏感区的吸收剂量；采用平衡...

本发明公开了一种宽频域TIADC时间失配后台校准方法，包括：以TIADC的第1个通道延迟一个时钟周期后的输出数据作为第（2m+1）个通道的输出数据；将第1个通道和第（2m+1）个通道作为初始的参考通道；将每相邻两个参考通道的输出数据作为...

本发明公开了一种低电流失配电荷泵，包括：核心电路、偏置电路和反馈环路；所述核心电路用于对电荷泵输出节点进行充放电；所述偏置电路的输出端连接所述核心电路的充电端，其第一输入端连接所述电荷泵输出节点，用于确定所述核心电路的基准电流并控制所述...

本申请实施例提供一种用于传感探测领域的可编程增益仪表放大器。应用于集成电路技术领域，包括：低通滤波模块、斩波放大模块、第一可编程增益网络、第二可编程增益网络和缓冲放大模块；低通滤波模块用于接收输入的差分信号，并对差分信号进行滤波，输出滤...

本发明涉及模拟开关技术领域，特别涉及一种用于高精度开关电容应用的新型模拟开关，包括：主路径电路、辅助路径电路、保持电容；所述辅助路径与主路径并联，并联的输入端作为用于高精度开关电容应用的新型模拟开关的输入端，并联的输出端通过保持电容接地...

本发明公开了一种采用辐照提升横向晶体管器件耐压的方法，包括：提供一硅片作为衬底；在衬底上形成埋层、基极深阱区；在埋层的两侧分别形成PN结隔离结构，并形成与埋层一端连接的基极深结阱区；在发射区与两侧的集电区之间形成隔离沟槽；在隔离沟槽中填...

本发明公开了一种金属陶瓷封装器件 X 射线检查用定位夹具，包括定位板以及设于定位板上的若干磁吸块，还包括设于定位板上的定位组件，定位组件具有若干间隔布置的定位槽，各定位槽的槽壁呈与金属陶瓷封装器件侧边轮廓适配的围挡结构；磁吸块一一对应分...

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种适用于高速微弱电流检测的JFET输入运算放大器，包括第一偏置电路、第二偏置电路分别为差分输入级电路、中间放大级电路提供两个直流偏置，第三偏置电路为互补推挽输出级电路提供两个电流源，将差分输入级电路增益...

本发明公开了一种基于光电耦合器的矩阵指令控制电路，该电路包括信号处理电路A，用于实现对脉冲指令信号的抗干扰处理，所述脉冲指令信号包括开指令信号和关指令信号；信号转换电路B，用于分别对抗干扰处理处理后的开指令信号和关指令信号进行光电隔离；...

本发明涉及集成电路中的抗辐照加固技术领域，具体涉及一种抗总剂量辐照的带隙电压基准源电路，包括：启动电路，用于在电路上电初期，帮助电路脱离异常简并点并快速进入正常工作状态；偏置电路与启动电路相连，用于为基准核电路提供偏置信号；基准核电路与...

本发明涉及半导体器件及其制造方法领域，特别涉及一种高可靠性多层栅极碳化硅VDMOS及其制备方法，所述高可靠性多层栅极碳化硅VDMOS包括：承载P+防护结构的VDMOS与P+防护结构；承载P+防护结构的VDMOS采用多层栅极，P+防护结构...

本发明公开了一种选择性生长锗硅异质结晶体管内基区的方法，包括：在硅衬底上依次淀积形成第一介质层、外基区多晶硅层、第二介质层和第三介质层，并刻蚀形成内基区窗口；在内基区窗口的内侧壁上形成第四介质层；对所述内基区窗口底部的第一介质层进行部分...

本发明公开了一种选择性生长异质结晶体管掺碳锗硅内基区的方法，包括：在硅衬底上依次淀积形成第一介质层、外基区层和第二介质层；向下刻蚀第二介质层和外基区多晶硅层形成内基区窗口；在内基区窗口的内侧壁上形成第三介质层；对内基区窗口底部的第一介质...

本发明公开了一种低压共源共栅NMOS电流镜电路，包括基本电流镜电路、偏置电路和运算放大器反馈网络；所述基本电流镜电路用于采用NMOS管对形成电流镜，对接收的基准电流IIN进行镜像后生成对应的输出电流IOUT；所述偏置电路用于为基本电流镜...