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中国电子科技集团公司第二十四研究所专利技术
中国电子科技集团公司第二十四研究所共有852项专利
一种低温漂频率线性可调的振荡器电路制造技术
本发明涉及集成电路领域,特别涉及一种低温漂频率线性可调的振荡器电路,包括:线性可编程的低温漂电流生成器与环形振荡器;线性可编程的低温漂电流生成器生成低温漂电流,环形振荡器根据低温漂电流产生方波;本申请设计的低温漂频率线性可调的振荡器电路...
一种高度集成的嵌入式电机控制MCU芯片及其控制系统技术方案
本发明涉及车辆控制技术领域,特别涉及一种高度集成的嵌入式电机控制MCU芯片及其控制系统,所述嵌入式电机控制MCU芯片,包括:换相逻辑控制器、FOC引擎、微步控制器、PWM同步管理器、故障仲裁单元;本申请通过独立供电域、时钟同步采样以及换...
一种基于VIBE算法的X射线芯片空洞检测方法及系统技术方案
本发明公开了一种基于VIBE算法的X射线芯片空洞检测方法及系统,该方法包括:根据空洞分析算法构建背景模型;采集待测芯片的序列图像,利用序列图像的前预设帧数初始化背景模型;根据图像背景复杂度确定自适应分割阈值,根据自适应分割阈值进行前景检...
一种可自适应预充电的系统电源及其运行方法技术方案
本发明公开了一种可自适应预充电的系统电源及其运行方法,该系统电源包括:预充电电路,和输入电源连接,其包括预充电使能控制电路、RC延时电路和MOS管,预充电使能控制电路根据MOS管开断控制信号控制MOS管的导通和断开,RC延时电路用于延长...
一种降噪滤波和软启动复用电路制造技术
本发明涉及集成电路领域,特别涉及一种降噪滤波和软启动复用电路,该电路包括降噪电容控制器和软启动复用模块,其中软启动复用模块在使能正常的情况下,根据基准电压模块提供的两个基准电压利用电流源为外部电容充电;当充电达到软启动复用模块内部比较器...
用于低噪声器件隔离的沟槽结构及其制造方法技术
本发明公开了一种用于低噪声器件隔离的沟槽结构及其制造方法,所述制造方法包括以下步骤:提供一衬底并在所述衬底上形成第一浅沟槽和第二浅沟槽;在所述第一浅沟槽和第二浅沟槽中淀积形成第二氧化层;在所述第一浅沟槽的中部刻蚀形成穿过第二氧化层并伸入...
用于待校准电流源补偿的电流镜电路制造技术
本发明公开了一种用于待校准电流源补偿的电流镜电路,包括补偿电流源、电流镜和电压单元,补偿电流源用于提供补偿电流至电流镜的输入端;电流镜用于根据补偿电流在其输出端输出相应的镜像电流,通过所述镜像电流对待校正电流源Iu进行补偿;电压单元用于...
一种超声扫描仪载物台制造技术
本发明属于检测辅助设备技术领域,具体涉及一种超声扫描仪载物台。该载物台包括第一载具、可调支撑组件、第二载具以及水平仪,各部件协同实现稳定承载、精准水平调节与灵活适配功能。可调支撑组件含支撑腿、可调支撑脚及稳定件,既能微调第一载具水平度,...
陶瓷封装器件X射线图像预处理方法及系统技术方案
本发明公开了一种陶瓷封装器件X射线图像预处理方法及系统,所述方法包括以下步骤:获取陶瓷封装器件的X射线图像;采用自适应双阈值分割法对所述X射线图像进行分割,初步得到陶瓷封装器件区域的图像,记为第一图像;进行连通域标记并通过对各连通域面积...
一种半导体封装测试优化方法及系统技术方案
本发明公开了一种半导体封装测试优化方法及系统,该方法包括以下步骤:S1:基于传感器实时获取当前封装测试设备的运行参数;S2:对获取的运行参数进行预处理后分析,确定不同指标的权重值,并根据指标的权重值,计算当前封装测试设备的状态偏好值;S...
双极结型晶体管工艺中集成PJFET器件和NJFET器件的方法及结构技术
本发明公开了一种双极结型晶体管工艺中集成PJFET器件和NJFET器件的方法及结构,方法包括:提供衬底,在衬底上形成双极结型晶体管、PJFET器件和NJFET器件的埋层结构、隔离结构以及外延层;在外延层中进行穿透掺杂和阱区掺杂;在外延层...
一种运算放大器中的抗工艺波动的简易过温保护电路制造技术
本发明属于集成电路领域,具体涉及一种运算放大器中的抗工艺波动的简易过温保护电路,包括针对具有输出能力的运算放大器,利用基准电路产生的基准电压与过温保护电路输出电平进行比较,从而获得控制关断信号,对电路实施过热关断功能,基准电路产生的基准...
一种用于DCDC电流限的电流比较电路制造技术
本发明提供一种用于DCDC电流限的电流比较电路,该电路包括:6个NMOS开关M1、M2、M9~M12,4个PMOS管M5~M8,1个电压源PVIN,3个偏置电压源VDC1~VDC3,2个电阻R1~R2以及两个比较器AMP1~AMP2;各...
一种基于玻璃基板三维集成的低成本冲击片组件制备方法技术
本发明公开了一种基于玻璃基板三维集成的低成本冲击片组件制备方法,该方法包括以下步骤:提供第一基板,利用玻璃通孔工艺在所述第一基板上形成通孔阵列,并对所述通孔进行金属化处理,形成导电通孔;在第一基板顶面进行金属沉积,形成金属叠层,并对所述...
在双极结型晶体管工艺中集成双栅JFET器件的方法及结构技术
本发明公开了一种在双极结型晶体管工艺中集成双栅JFET器件的方法及结构,所述方法包括:提供衬底,并在衬底上形成双极结型晶体管和JFET器件的埋层结构、外延层及隔离结构;在外延层中进行穿透掺杂和阱区掺杂;在外延层上方形成集电极结晶区、基极...
低阻抗电镀微凸点的制作方法及微凸点结构技术
本发明公开了一种低阻抗电镀微凸点的制作方法及微凸点结构,所述方法包括以下步骤:提供正面带有焊盘的晶圆;在所述晶圆上形成露出焊盘的介质层;在所述介质层上形成种子层结构;在所述种子层结构上对应焊盘正上方的区域形成凸点下金属结构并在所述下金属...
一种电子器件可焊性试验用夹具制造技术
本发明公开了一种电子器件可焊性试验用夹具,用于与可焊性试验设备可拆卸连接,可焊性试验设备包括一工作台面,工作台面具有一能够升降移动的焊料槽,电子器件可焊性试验用夹具包括与工作台面可拆卸连接的底座、与底座滑动连接并能沿底座往复移动的支架以...
用于芯片静电防护的钳位电路制造技术
本发明公开了一种用于芯片静电防护的钳位电路,包括:第一MOS管,其漏极与IO端口相连,源极与ESD采样线相连,所述ESD采样线与电源相连;以及RC触发式电源钳位单元,包括RC网络及电源钳位模块,所述RC网络的中间节点与第一MOS管的栅极...
曲率校正带隙基准装置制造方法及图纸
本发明公开了一种曲率校正带隙基准装置,包括:带隙基准核心单元,用于根据偏置电压产生基准电流,并通过基准电流产生基准电压;曲率补偿单元,用于基于所述基准电压产生正温电流和零温电流,并根据正温电流和零温电流确定补偿电流的大小,从所述带隙基准...
一种宽电源电压范围抗辐射预稳压电路制造技术
本发明公开了一种宽电源电压范围抗辐射预稳压电路,包括:偏置电路,包括第一电流镜和发射结基准电流源,第一电流镜的输入端与电源VCC电连接,其输出端接入所述电压参考源的输入端,用于输出稳定的偏置电流;发射结基准电流源用于产生参考电流;电压参...
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