中国电子科技集团公司第二十四研究所专利技术

中国电子科技集团公司第二十四研究所共有552项专利

  • 本申请提供一种用于2.5D以及3D封装的散热结构,包括:基板;热电制冷芯片,其部分嵌入所述基板,使得其吸热面与所述基板接触,散热面远离所述基板;芯片堆叠结构,其设置于所述基板背离所述热电制冷芯片的一侧,且所述芯片堆叠结构与所述热电制冷芯...
  • 本申请提供一种合金薄膜成分的测试方法,该方法包括:提供衬底,在衬底上形成材料相同且相互独立的合金薄膜第一区块和多个合金薄膜第二区块,合金薄膜第二区块之间的距离小于合金薄膜的特征扩散长度;对各个合金薄膜第二区块进行光学表征,得到对应的光谱...
  • 本发明属于集成电路领域,具体涉及一种具有二阶补偿的双阈值PJFET基准电路;该电路包括:6个NPN三级管Q5~Q10、4个PNP三极管Q1~Q4、11个电阻R1~R11、2个PJFET管J1~J2以及一个运算放大器;通过Q6以及R1产生...
  • 本发明公开了一种基于双沿采样的超高速DAC电路,包括:高频开关阻抗模块,包括电流源开关模块,电流源开关模块包括第一差分开关支路、第二差分开关支路、第一差分开关支路、第二差分开关支路用于交替实现数字信号的双边沿采样;第一差分开关支路的输出...
  • 本申请提供一种高频信号阻抗匹配电路及方法,该电路包括:第一阻抗匹配模块及第二阻抗匹配模块,通过第一阻抗匹配模块和第二阻抗匹配模块对输入端口的差分输入信号进行阻抗匹配,得到并向后级电路输出差分输出信号,将差分输入信号的反射系数控制在目标反...
  • 本发明提供一种集成CMOS管的温度传感器电路、温度计及芯片,该电路包括:分别连接电源电压的第一负载管、第二负载管;运算放大器,分别与第一负载管、第二负载管相连构成反馈环路,用于对运算放大器的两个输入端所对应的电压钳位,以使两个输入端的电...
  • 本发明公开了一种低噪声SiGe双极晶体管及其制造方法,双极晶体管包括:衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层中且位于外延层的顶部的基区、设置在基区中且位于基区的顶部的发射区,发射区中包括侧墙复合结构,侧墙复合结构的材料由氮化硅、氧化硅...
  • 本发明涉及一种具有底部槽形端子元件的混合集成电路组装方法,包括:在混合集成电路基板的焊盘上涂覆焊膏;在底部槽形端子元件的焊接端子对应焊盘的焊膏上贴装焊料片;将各混合集成电路元件的焊接端子通过助焊剂贴装在对应焊盘的焊膏或焊料片上;采用烧焊...
  • 本申请涉及电子电路技术领域,提供了一种高压输入辅助电源供电启动电路,包括:电源控制器,用于辅助供电以实现脉宽调制功能,并对输入电压的主供电回路进行开关控制;线性稳压模块,与电源控制器连接,用于将输入电压转换为启动电压,并根据启动电压对电...
  • 本申请涉及数字集成电路设计技术领域,提供了一种半定制物理设计单元放置方法、装置、设备及介质,方法应用于数字后端设计工具,包括:获取目标数字集成电路的设计指标信息、设计需求信息、网表文件、放置约束信息;根据设计指标信息、设计需求信息,对设...
  • 本发明公开了一种电流舵数模转换器的误差补偿电路,其中,电流舵数模转换器电流源阵列模块,提供一待校准电压,误差补偿电路包括:基准电流源模块,提供一基准电压;误差检测模块,以所述基准电压与所述待校准电压作为输入,输出所述基准电压与所述待校准...
  • 本发明涉及半导体集成电路设计领域,具体涉及一种提高功率放大器线性度的偏置电路和功率放大器;包括电阻R1、电阻R2、电容C1、电感Lbias、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3;本发明所采用的偏置电路结构,补偿了功率放大器在温度变化以及在...
  • 本发明属于集成电路领域,特别涉及一种防电感电流反向的控制电路及控制方法;所述电路应用于同步整流PWM控制器片内集成芯片中,包括比较器电路、充放电电路和恒流源电路;这些电路均为模拟电路,本发明采用模拟电路的方式实现,具有元件数量少、便于集...
  • 本发明公开了一种四开关可变拓扑控制电路及四开关变换器,依靠输出电压反馈,实现了降压和升压两种拓扑的自动切换,当输出电压偏低,误差放大器输出的控制量会跟随变高,此时,如果降压开关占空比未达到100%,则降压开关占空比将增加,此时升压占空比...
  • 本发明涉及微电子及传感信号处理技术领域,具体涉及一种用于光纤陀螺的信号处理电路;包括斩波功能模块、前级放大功能模块、数据转换及处理功能模块、后级放大功能模块、存储功能模块和测温功能模块;各个模块相互协作,共同完成光纤陀螺信号处理功能;本...
  • 本发明属于集成电路设计技术领域,具体涉及一种具有高灵敏检测输入端电压变化的电压‑频率振荡器,包括:电压放大电路、电压‑电流转换电路、电阻分压电路、电流‑频率振荡器以及输出缓冲电路;电压放大电路的输出端连接电压‑电流转换电路的输入端,电压...
  • 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种对PVT不敏感的新型振荡器电路;该电路包括:运放单元正输入端连接参考电压或扩频控制信号产生器,运放单元负输入端连接频率电压转换器单元的输出端,运放单元的输出端连接常规振荡器单元的输入端;常规振荡器...
  • 本发明属于汽车电子领域中的电源管理芯片技术领域,具体涉及一种车用带自检功能的电压检测电路,包括:分压电阻网络、二选一选择器、开关组合、运算放大器、RS触发器以及组合逻辑电路,其中分压电阻网络包括3个电阻R1~R3,开关组合包括4个MOS...
  • 本发明属于集成电路领域,具体涉及一种高压带隙基准电路;包括:PMOS管M3的漏极连接PMOS管M4的源极,PMOS管M3的源极连接电源;启动电路连接偏置电流电路、带隙基准电路和PMOS管M3的栅极,启动电路在输入电压上电时将偏置电路和带...
  • 本发明提供一种双极晶体管辐射缺陷退火方法、装置、电子设备及介质,该方法包括:获取待退火双极晶体管及样本双极晶体管;对样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压,并对样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流,当样本双极晶体管的基极电...