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中国电子科技集团公司第二十四研究所专利技术
中国电子科技集团公司第二十四研究所共有852项专利
一种用于单颗芯片化学镀的载具制造技术
本技术公开了一种用于单颗芯片化学镀的载具。一种用于单颗芯片化学镀的载具包括用于放置芯片并限制芯片平面移动的保持架、用于限制芯片从保持架下方掉落的下限位件、用于限制芯片从保持架上方掉落的上限位件、用于将上限位件限制的压板、用于固定下限位件...
一种全MOS结构的高温度稳定性带隙基准电路制造技术
本发明提供一种全MOS结构的高温度稳定性带隙基准电路。应用于集成电路设计领域,包括:负温度系数电压发生电路和正温度系数电流/电压发生电路,负温度系数电压发生电路和正温度系数电压发生电路连接;负温度系数电压发生电路包括:第一MOS管、第二...
环形振荡器制造技术
本发明公开了一种环形振荡器,包括供电与调谐单元以及环形振荡单元,所述供电与调谐单元的输入端接入电源信号,所述供电与调谐单元的调制电源输出端与所述环形振荡单元的电源输入端电连接,所述环形振荡单元的信号输出端输出差分时钟信号,所述供电与调谐...
电子产品封装加工方法技术
本发明涉及电子封装技术领域,公开了一种电子产品封装加工方法,包括以下步骤:S1、根据电子产品引脚端的结构数据设计制作焊料片,焊料片包括若干个与引脚端对应且一体连接的焊接部,各所述焊接部上均具有供引脚端穿过的穿孔;S2、依次将焊料片和电路...
图片异常标注方法技术
本发明公开了一种图片异常标注方法,包括以下步骤:获取异常标注指令,其中,所述异常标注指令携带有图片的异常标注区域;基于获取到的异常标注指令,展示异常信息菜单控件;基于展示的异常信息菜单控件,获取异常信息调用指令;基于异常信息调用指令调用...
图片快捷标注系统技术方案
本发明公开了一种图片快捷标注系统,包括:图片导入导出模块,用于获取导入指令,基于相应的导入指令而导入一张或多张待标注的图片至图片编辑窗口中,以使得一张或多张图片共享编辑窗口的编辑控件,还用于在完成图片的标注后获取图片保存指令,基于所述图...
大功耗航天器件在寿命评估试验中的壳温控制方法技术
本发明公开了一种大功耗航天器件在寿命评估试验中的壳温控制方法,包括:根据大功耗航天器件特性及寿命评估试验时期望的壳温确定发热电阻所需的发热功率;根据所需的发热功率选择发热电阻的类型及参数,并确定阻值;根据发热功率及阻值确定发热电阻所需的...
一种塑封元器件超声检测用批量化试验夹具及其使用方法技术
本发明公开了一种塑封元器件超声检测用批量化试验夹具及其使用方法,用于将料盘中的元器件批量转移并适配安装于超声波检测仪器的载物台上进行超声检测试验,料盘设有若干间隔布置以用于放置元器件的第一料腔,夹具包括用于与料盘盖合以实现元器件首次转移...
一种双通道超低温漂恒流源电路制造技术
本发明涉及高精度超低温漂恒流源领域,特别涉及一种双通道超低温漂恒流源电路,包括:温漂系数可修调基准源电路、失调补偿环路、匹配电阻网络、达林顿驱动输出电路、放大器、基准工作点调节电阻;本发明通过构建由不同温度系数的电阻构成的电阻网络,通过...
三维集成射频微系统及其制作方法技术方案
本发明公开了一种三维集成射频微系统及其制作方法,制作方法包括:将各背面接地芯片的背面电极引出至与其正面电极共面,形成共平面二维结构;所述共平面二维结构中共面的端面为其正面;将多个共平面二维结构和多个TSV阵列通过晶圆重构和再布线形成I ...
低阈值电压GaN功率开关元件驱动电路制造技术
本发明公开了一种低阈值电压GaN功率开关元件驱动电路,包括:负压单元,用于接入第一电压信号并将所述第一电压信号转换成负电压信号以满足GaN功率开关元件关断时所需的负电压;降压单元,用于接入第二电压信号并将所述第二电压信号降压成满足GaN...
一种OTP控制电路及其应用、控制方法技术
本发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种OTP控制电路及其应用、控制方法,电路包括:双轨电源,包括编程电源开关和读取电源开关,两个开关的一端与开关网络连接,另一端分别与OTP编程电源、OTP读取电源连接;开关网络,包括N个并联设置的OTP存...
数字抽取滤波器制造技术
本发明公开了一种数字抽取滤波器,包括时钟分频模块、支路抽取模块、系数相乘模块和加和延迟模块。本发明中,通过时钟分频模块将基础时钟进行分频和移相得到多相低频时钟后,再通过支路抽取模块进行交错采样,然后进行系数相乘求和过程转置,可以减少对滤...
封装芯片超声波扫描夹具制造技术
本发明涉及电子封装技术领域,公开了一种封装芯片超声波扫描夹具,包括基板,所述基板上形成有由透明材质制成的扫描区域以及围设在扫描区域边缘一周上以供超声波设备对其接触定位的安装区域;所述扫描区域上设有多个用于定位不同封装芯片的定位区域。本发...
SPAD光子探测效率仿真建模方法技术
本发明公开了一种SPAD光子探测效率仿真建模方法,包括:建立SPAD结构模型;设置入射光源;分别获取SPAD结构模型耗尽区内不同反向偏置电压下的量子效率和雪崩击穿概率,并计算SPAD光子探测效率;对比仿真结果和实验结果,对SPAD光子探...
一种具有步进输出的负压LDO制造技术
本发明涉及集成电路领域,特别涉及一种具有步进输出的负压LDO,包括:带隙基准电路、两个运算放大器OP1与OP2、5个电阻R1~R5、电阻网络、1个PMOS管;电阻网络由串联的电阻构成,串联的电阻中,相邻电阻的公共端设置有输出端口,将不同...
一种基于串行输入的熔丝修调电路制造技术
本发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种基于串行输入的熔丝修调电路,包括时钟分频及控制电路,用于接收时钟信号IN1和输入信号IN2,产生时钟信号SCLK和数据信号SDA;生成控制位信号FCTL和选择位信号S;串并转换电路,用于接收时钟信号S...
亚纳秒传输延时的高抗噪电容隔离型电平移位电路制造技术
本发明公开了一种亚纳秒传输延时的高抗噪电容隔离型电平移位电路,包括:电容隔离单元,用于接入低压窄脉冲控制信号并将低压窄脉冲控制信号传递至节点P1和节点P2,输出窄脉冲信号;移位主单元,用于从节点P1和节点P2接入窄脉冲信号,并将窄脉冲信...
一种电平移位电路制造技术
本发明涉及集成电路领域,特别涉及一种电平移位电路,包括4个PMOS管P1~P4,2个NMOS管N1、N2,2个电阻R1、R2,1个反相器INV1,2个稳压二极管Z1、Z2;本发明公开的电平移位电路,可以在高电压域下进行电平转换功能,同时...
一种用于高压开关的控制电路制造技术
本发明涉及一种用于高压开关的控制电路,包括双MOS高压开关电路和集成控制电路;所述双MOS高压开关电路包括两级级联的高压MOS开关管;所述集成控制电路包括:跨电压域控制电路、恒流源驱动电路和过压保护电路;所述跨电压域控制电路用于将外部控...
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