本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种宽带低幅度误差的延时器；该延时器包括：输入匹配网络、输出匹配网络、第一单刀双掷开关、第二单刀双掷开关、延时单元和延时参考网络；输入匹配网络连接第一单刀双掷开关一端，第一单刀双掷开关另一端分别连接延...

本发明公开了一种针对N型衬底的器件隔离环制作方法，包括：取一带有N型外延的衬底；在所述衬底上通过注入形成P型埋层；在所述衬底上生长形成外延层；在所述外延层中注入形成与P型埋层的边缘区域相接的深P阱；在所述外延层中注入形成与深P阱相接并延...

本发明公开了一种多比特错误定位与纠正方法、系统、计算机及存储介质，该方法包括：预设两个不同的生成多项式，分别构建优化查找表；计算原始数据对应的伴随式，根据伴随式查询优化查找表，生成两个通道的单错误位置候选集；引入并迭代强制错误位，根据强...

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种可编程超宽带直接射频收发异构集成芯片，包括：大规模可编程逻辑FPGA、两个高带宽射频模数转换器RF‑ADC1~RF‑ADC2以及两个高速高精度射频数模转换器RF‑DAC1~RF‑DAC2；高带宽射...

本发明公开了一种OTP存储器动态纠错系统、方法、计算机及存储介质，该系统包括：跨时钟同步模块，用于将OTP接口的异步数据同步至系统时钟域，并根据数据格式生成控制信号；双缓冲区模块，用于利用两个独立缓冲区交替写入数据和读取控制信号，并对写...

本发明公开了一种基于提升界面润湿性的晶圆盲孔电镀方法，该方法包括以下步骤：S1：提供经激光打孔工艺得到的带有盲孔的晶圆；S2：对经过打孔处理的晶圆表面进行镀膜；S3：对经镀膜处理得到的晶圆进行等离子处理；S4：将等离子处理后的晶圆放入真...

本发明涉及功率MOSFET器件，特别涉及一种具有三层缓冲层的高可靠性MOS器件结构及制备方法，制备方法包括在N衬底层上依次生长N漂移层、第二缓冲层；通过刻蚀在元胞中间形成第一深槽，在第一深槽底部注入离子形成第三缓冲层；在第一深槽中淀积氧...

本发明涉及模拟集成电路中电源管理芯片技术领域，旨在解决传统电路带隙基准关断仍工作致功耗高、宽电压适配需复杂电路且精度与功耗矛盾的问题。该方案包括：启动偏置模块、基准压差产生模块、电流镜与电流分配模块、参考电压输出模块、滤波稳定模块以及使...

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种低温漂的负基准电路，该电路用于生成与该电路输入的正基准电压大小相等、方向相反且温漂也对称的负基准电路，包括第一电阻、第二电阻、电容、第一~第七MOS管、电流源、正电源、负电源，由电流源、第一~第六MO...

本发明公开了数字后端网表转换和物理验证方法、系统、计算机及介质，该方法包括：从数字后端导出布局布线后的GDS文件，并通过融合工艺设计套件中的标准单元数据，完善版图信息；从数字后端导出Verilog网表文件；对Verilog网表文件进行网...

本发明公开了可编程低温漂欠压锁定电路，包括：基准电流生成模块，其输入端接入第一基准电压，用于输出初始基准电流；零温漂电流源阵列，用于根据初始基准电流和第二基准电压生成参考电流，并将参考电流镜像至多个并联支路；修调模块，用于利用可编程电阻...

本发明属于控制电路技术领域，具体涉及一种用于PSI5接口的阈值电流控制电路；该电路包括：运算放大器的正输入端连接NMOS管M1的漏极和电阻R2的一端，运算放大器的负输入端连接电阻R1的一端，运算放大器的输出端连接NMOS管M1的栅极；N...

本技术涉及试验辅助设备领域，公开了一种用于螺杆安装的旋转器，包括外层结构以及活动设置在外层结构内的内层结构，所述内层结构内形成有用于供螺杆的一端穿设于其中并被锁定的锁定腔，在所述外层结构和内层结构之间设置有通过下压外层结构带动内层结构转...

本发明公开了一种引脚弯曲型管壳平行缝焊夹具，用于装夹引脚弯曲型管壳，引脚弯曲型管壳包括基体、设于基体上端的盖板以及设于基体下端的引脚，本平行缝焊夹具包括上夹具本体和下夹具本体，下夹具本体上端设有一用于支撑基体的支撑固定机构，对基体形成竖...

本发明公开了一种多通道TIADC时间偏差校准方法，包括：计算多通道TIADC相邻通道输出值之间的通道差值；根据每一通道差值分别得到一时间误差值，并以各时间误差值为元素得到时间误差相关向量；将时间误差相关向量与预先设计的误差提取矩阵相乘，...

本发明公开了一种运算放大器，包括：输入与转换单元，用于接收差分输入信号并将所述差分输入信号转换为具有动态补偿电流的单端信号；增益与驱动单元，用于对所述单端信号分解为互补信号并进行独立放大，得到具有推挽驱动能力的放大信号。本发明在保持高阻...

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种用于开关电源的一次降压电路，包括基准电路，用于产生具有良好温度系数的基准电压，决定一次降压电路的降压输出电压值；反馈电路，用于保证降压输出电压的稳定性和精确性；输出级电路，用于为降压输出电压提供电流能...

本发明涉及半导体集成电路设计领域，特别涉及一种基于互补推挽输出结构的输出电流提升电路，包括：输出级核心电路、扇出电流提升电路、灌入电流提升电路，所述扇出电流提升电路，用于提升输出级核心电路的扇出电流能力；所述灌入电流提升电路，用于提升输...

本申请实施例提供一种带斩波的双采样Sigma‑Delta调制器。应用于集成电路技术领域，包括：第一级积分器、第二级积分器、无源加法器、量化器和数模转换器；第一级积分器用于接收原始输入信号，并对原始输入信号进行双采样和斩波处理，得到第一输...

本发明公开了一种自适应防直通双N型输出驱动电路，包括第一控制电路、第二控制电路、输出驱动级上管、输出驱动级下管、二极管D1、电阻R1和电阻R2；所述输出驱动级上管MN1和输出驱动级下管MN2均为NMOS管；所述第一控制电路用于在第一时序...