一种晶体硅片的清洗工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种用于晶体硅片的清洗工艺方法，包括以下步骤：1、将硅片进行酸腐蚀处理；2、将酸腐蚀后的硅片用纯水进行清洗；3、再将硅片放入温度控制在60-80℃，体积浓度在10-20%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行1.5-3分钟的碱腐蚀处理；4、将碱腐蚀后的硅片用纯水进行清洗；5、然后将硅片流转至体积浓度在5-15%的HF混合溶液中浸泡，对硅片表面的氧化物进行有效去除；6、将酸洗后的硅片用纯水清洗；7、将以上处理过的硅片进行干燥处理。发明专利技术提出的工艺方法既可以保留原有的背面刻蚀和去PSG功能，又增加了背面抛光功能，大大提高了硅片的光转换效率，同时降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能晶体硅片加工领域，尤其涉及一种应用于光伏业中晶体硅片的清洗工艺方法，该工艺方法将晶体硅片背面刻蚀、背面抛光和去PSG —体式处理。
技术介绍
用于光伏产品中的硅片清洗很重要，它将直接影响光的转换效率。传统清 洗工艺方法如图1所示，包括以下步骤: 步骤1、(HN03+HF)酸溶液恒温腐蚀； 步骤2、纯水清洗； 步骤3、碱液(NaOH或KOH溶液)常温清洗 步骤4、纯水清洗； 步骤5、HF溶液清洗； 步骤6、纯水清洗； 步骤7、干燥处理。从上述步骤中可以看出，传统清洗工艺中，步骤I利用HN03+HF对硅片背面进行腐蚀，从而到达背面刻蚀作用，步骤5利用HF与硅片上的PSG (磷酸玻璃)反应，从而达到去除PSG (磷酸玻璃)的目的，但此工艺方法中只包括了背面刻蚀和去PSG (磷酸玻璃)清洗，如果需要较大地提高硅片背面的反射率，还需将清洗后的硅片另外进行背面抛光处理，这种方式增加了工艺流程和人力、物力成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述现有技术存在的缺陷，提供一种改进的晶体硅片的清洗工艺方法，该工艺方法在传统工艺中增加背面抛光功能，并且将晶体硅片背本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅片的清洗工艺方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、首先将硅片置于温度控制在8?16℃，体积浓度在5?7.5%的HF和35?45%的HNO3的混合溶液中浸泡0.8?1.5分钟，进行酸腐蚀处理，达到对硅片背面及四周进行刻蚀的目的；?步骤2、将酸腐蚀后的硅片随即流转至10?18MΩ·cm纯水中以喷淋、浸泡或者两种方法结合的方式进行清洗，以尽量降低酸液在硅片表面的附着为目的；步骤3、再将硅片放入温度控制在60?80℃，体积浓度在10?20%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行1.5?3分钟的碱腐蚀处理，经此工艺可将硅片背面反射率提高到40%以上，从而达到对硅片背面进行抛光目的；步骤4、将碱...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：左国军，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：