一种III族氮化物纳米结构的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种III族氮化物纳米结构的制作方法，采用电子束直写曝光形成纳米图形并结合金属掩模和干法刻蚀手段，得到III族氮化物纳米结构材料。本发明专利技术的制作方法简单易行，并且具有图形尺寸可控、位置分布有序等优点，非常适用于纳米发电机、自驱动传感器网络和纳米光机电一体化系统领域的应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种III族氮化物纳米结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上生长III族氮化物薄膜；在所述III族氮化物薄膜上涂覆电子束光刻胶层；采用电子束直写技术对所述电子束光刻胶层按照预先设计的纳米图形进行曝光；对曝光后的电子束光刻胶层依次进行显影、定影和清洗处理，在所述III族氮化物薄膜上形成具有所述纳米图形的电子束光刻胶掩膜层；以所述电子束光刻胶掩膜层为掩膜，在所述III族氮化物薄膜上沉积金属薄膜层；采用金属剥离法去除所述电子束光刻胶掩膜层和电子束光刻胶掩膜层上的金属薄膜层，在所述III族氮化物薄膜的表面形成与所述电子束光刻胶掩膜层的图形互补的图形化金属掩膜层；以所述金属掩膜层为掩膜，采用...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭铭曾，翟俊宜，王中林，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：