温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种用于晶体硅片的清洗工艺方法，包括以下步骤：1、将硅片进行酸腐蚀处理；2、将酸腐蚀后的硅片用纯水进行清洗；3、再将硅片放入温度控制在60-80℃，体积浓度在10-20%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行1.5-3分钟的碱腐...该专利属于常州捷佳创精密机械有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州捷佳创精密机械有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种用于晶体硅片的清洗工艺方法，包括以下步骤：1、将硅片进行酸腐蚀处理；2、将酸腐蚀后的硅片用纯水进行清洗；3、再将硅片放入温度控制在60-80℃，体积浓度在10-20%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行1.5-3分钟的碱腐...