【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种坩埚用保护垫片及使用了该坩埚用保护垫片的坩埚装置等，详细地说，涉及一种具备外侧坩埚和内侧坩埚的坩埚装置及配置这两个坩埚之间、用来保护两坩埚而使用的坩埚用保护垫片等。
技术介绍
作为获得单晶硅锭的方法，已知悬浮区域熔解法(FZ法)和切克劳斯基单晶拉制法(CZ法)，不过，一般采用CZ法。利用该CZ法制造硅单晶等时，所使用的坩埚具备利用加热器等加热的外侧坩埚和收容硅单晶等原材料的内侧坩埚。通常，上述内侧坩埚从与硅的反应性、纯度问题而言采用石英制坩埚，另一方面，上述外侧坩埚从纯度、耐热性及强度问题而言采用石墨制坩埚，在外侧坩埚内插有内侧坩埚的状态下，使用于硅单晶等的制造。在此，上述坩埚装置大致区分具有下述(I) (2)所示的问题。(I)上述石 英制的内侧坩埚重且不耐受冲击，从而，存在的问题是往外侧坩埚中内插时必须非常慎重地进行插接作业，作业性差。另外，还存在的问题是由于内侧坩埚和外侧坩埚的热膨胀系数不同，而引起在硅单晶等制造结束后冷却坩埚时两坩埚上发生裂纹等损伤。再有，还产生的问题是从石英坩埚发生的SiO气体等与外侧坩埚反应，外侧坩埚发生SiC化和壁厚...
【技术保护点】
一种坩埚用保护垫片，是配置在含有硅的内侧坩埚和含有石墨的外侧坩埚之间的由膨胀石墨构成的坩埚用保护垫片，其特征在于，下述(1)式所示的透气率为1.0×10?4cm2/s以下且下述(2)式所示的压缩率为20％以上，下述(3)式所示的复原率为5％以上，透气率＝Q·L/(ΔP·A)…(1)其中，上述(1)式中，Q为气体流量(Pa·cm3/s)，ΔP是两室间的压力差(Pa)，A是坩埚用保护垫片的透气面积也就是连通两室的通路的面积(cm2)，L是坩埚用保护垫片的厚度(cm)，压缩率(％)＝〔(t1?t2)/t1〕×100…(2)其中，上述(2)式中，t1是施加15秒钟预压(0.686M...
【技术特征摘要】
2006.07.14 JP 2006-193619;2006.07.14 JP 2006-19361.一种坩埚用保护垫片，是配置在含有硅的内侧坩埚和含有石墨的外侧坩埚之间的由膨胀石墨构成的坩埚用保护垫片，其特征在于， 下述(I)式所示的透气率为1.0X10_4cm2/S以下且下述(2)式所示的压缩率为20%以上，下述(3)式所示的复原率为5%以上， 透气率=Q.L/(AP.A)…(I) 其中，上述⑴式中，Q为气体流量(Pa.cm3/s)，Λ P是两室间的压力差(Pa)，A是坩埚用保护垫片的透气面积也就是连通两室的通路的面积(cm2)，L是坩埚用保护垫片的厚度(cm), 压缩率(% ) = ( (Vt2)A1) X 100...(2) 其中，上述(2)式中，tl是施加15秒钟预压(0.686MPa±l% )后的厚度(mm)，t2是施加60秒钟全压(34.3MPa±l% )后的厚度(mm)， 复原率(% ) = ( (t3-t2)/(t「t2)〕X 100...(3) 其中，上述(3)式中，h是施加15秒钟预压(0.686MPa±l% )后的厚度(mm)，t2是施加60秒钟全压(34.3MPa±l% )后的厚度(mm)，t3是再返回到预压，经过了 60秒后的厚度。2.一种坩埚用保护垫片，是配置在含有硅的内侧坩埚和含有石墨的外侧坩埚之间的由膨胀石墨构成的坩埚用保护 垫片，其特征在于， 面方向的导热率为120W/(m*K)以上且下述⑵式所示的压缩率为20%以上， 压缩率(% ) = ( (Vt2)A1) X 100...(2) 其中，上述⑵式中，h是施加15秒钟预压(0.686MPa±l% )后的厚度(mm)，t2是施加60秒钟全压(34.3MPa±l% )后的厚度(mm)。3.根据权利要求1所述的坩埚用保护垫片，其特征在于， 面方向的导热率为120W/(m.K)以上。4.根据权利要求1或2所述的坩埚用保护垫片，其特征在于， 厚度为0.2mm以上0.6mm以下。5.根据权利要求1或2所述的坩埚用保护垫片，其特征在于， 体积密度为0.5Mg/m3以上1.5Mg/m3以下。6.根据权利要求2所述的坩埚用保护垫片，其特征在于， 下述(3)式所示的复原率为5%以上， 复原率(% ) = ( (t3-t2)/(t「t2)〕X 100...(3) 其中，上述(3)式中，h是施加15秒钟预压(0.686MPa±l% )后的厚度(mm)，t2是施加60...
【专利技术属性】
技术研发人员：广濑芳明，幸哲也，近藤照久，冈田修，
申请(专利权)人：东洋炭素株式会社，
类型：发明
国别省市：
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