【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及改进的石墨坩埚。
技术介绍
生长硅单晶的装置一般是采用保持原料硅熔体的石英坩埚，其中该坩埚被石墨坩埚包围，该石墨坩埚用来支撑石英坩埚并实现对石英坩埚进行均匀加热，但是现有的石墨坩埚由于结构简单，存在着传热效率低，加热缓慢，加热时间长，能耗消耗大，浪费资源等缺点，不能满足使用者的使用需求。因此，应该提供一种新的技术方案解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是:针对上述不足，提供一种结构合理、传热效率高、加热迅速的改进的石墨樹祸。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是:改进的石墨坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体的侧表面设有凹槽，所述坩埚本体的底部设有一层保温层，所述坩埚本体的底部设有排气孔。所述凹槽间隔均匀设置于坩埚本体的侧表面。所述排气孔至少为I个。所述排气孔为2个。本专利技术改进的石墨坩埚，坩埚本体的侧表面设有凹槽，设置凹槽是通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积，可使石墨坩埚的外表面积增加一倍，达到加大传热量，快速加热的目的。坩埚本体的底部设有一层保温层，它对坩埚本体的侧面和底部均起到保温作用，使坩埚内部的材料温度达到一致，从而提高坩埚内...
【技术保护点】
改进的石墨坩埚，包括坩埚本体，其特征在于：所述坩埚本体的侧表面设有凹槽，所述坩埚本体的底部设有一层保温层，所述坩埚本体的底部设有排气孔。
【技术特征摘要】
1.进的石墨坩埚，包括坩埚本体，其特征在于:所述坩埚本体的侧表面设有凹槽，所述坩埚本体的底部设有一层保温层，所述坩埚本体的底部设有排气孔。2.根据权利要求1所述的改进的石墨坩埚，其特征...
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