基座制造技术

本发明专利技术提供能够提高从晶片制作的半导体芯片的成品率的、不易产生缺口(缺损)，且寿命长的基座。具有载置晶片(10)的凹陷部(2)的基座，其中，凹陷部(2)中的至少一个具有：支承晶片(10)的多个支承部(3)；与晶片(10)的侧面(10a)接触的多个接触部(4)；和不与晶片(10)的侧面(10a)接触的多个非接触部(5)。接触部(4)和非接触部(5)交替地形成于凹陷部(2)的内周壁，支承部(3)中的至少两个形成于从上方观察基座时连结凹陷部(2)的中心(O)和非接触部(5)的线上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基座
本专利技术涉及用于半导体的制造的基座。
技术介绍
例如，为了制造良好的LED，使层叠在成为半导体芯片的晶片的表面的薄膜结晶层的外延生长均匀地进行是重要的。因此，就用于半导体的制造的基座而言，为了进行外延生长以对膜厚均匀的薄膜结晶层进行制膜，需要对晶片施加传导热和辐射热来均匀地进行加热。然而，由于从与凹陷部(pokect)接触的部分对载置于基座的凹陷部的晶片施加传导热，因此，在与凹陷部接触的外周部分和不与凹陷部接触的中央部分之间，晶片的温度容易变得不均匀。具体而言，从晶片的外周朝向内侧3mm左右的区域容易产生温度差，因此半导体芯片的成品率差。因此，进行了专利文献1中记载的晶片载具(基座)等、与凹陷部的形状有关的各种提案。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国公开特许公报“特开2013-138224号公报”
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是，本专利技术人进行研究，知晓了专利文献1中记载的晶片载具中，支承载置于凹陷部的晶片的支承部分和与晶片的侧面接触的接触部分相邻地形成，因此容易对晶片局部地施加传导热。因此，知晓了具有在与凹陷部接触的外周部分和不与凹陷部接触的中央部分之间，在晶片产生温度差，而半导体芯片的成品率变差的这一技术问题。另外，在制造半导体时基座旋转。因此，如果基座与晶片的接触部分太小，则当在各种处理时使基座旋转时，因离心力导致的应力集中在与载置于凹陷部的晶片的接触部分(碰撞部分)。因此，发现在专利文献1中记载的晶片载具(基座)中，也具有在该接触部分中在基座、晶片上可能产生缺口(缺损，chipping)这一问题。本专利技术的一方面的目的在于，提供一种能够提高从晶片制作的半导体芯片的成品率的基座。此外，本专利技术的一方面的目的在于，提供一种不易产生缺口(缺损)，寿命长的基座。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术包含下述＜1＞～＜3＞所示的专利技术。＜1＞具有载置晶片的凹陷部的基座，其中，上述凹陷部中的至少一个具有：支承晶片的多个支承部；与晶片的侧面接触的多个接触部；和不与晶片的侧面接触的多个非接触部，上述接触部和非接触部交替地形成于凹陷部的内周壁，上述支承部中的至少两个形成于从上方观察基座时连结凹陷部的中心和非接触部的线上。＜2＞如＜1＞上述的基座，其中，一个接触部的周向的长度为2mm以上。＜3＞如＜1＞或＜2＞上述的基座，其中，凹陷部的圆周上的上述多个接触部的周向的长度的合计的比例为1.5～50％。专利技术效果依照本专利技术的一方面，在基座，在凹陷部的内周壁交替地形成接触部和非接触部，在从上方观察基座时连结凹陷部的中心和非接触部的线上形成有支承部中的至少两个。因此，晶片在与凹陷部接触的外周部分和不与凹陷部接触的中央部分之间不易产生温度差，所以品质提高。因此，起到能够提供可提高从晶片制作的半导体芯片的成品率的基座这一效果。此外，由于多个接触部和多个非接触部交替地形成于凹陷部的内周壁，因此对与载置于凹陷部的晶片的接触部分(碰撞部分)的由离心力导致的应力集中降低。因此，起到能够提供在基座、晶片不易产生缺口(缺损)，且寿命长的基座这一效果。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式的基座的一例，(a)、(b)均为概略的俯视图。图2是表示形成于上述基座的凹陷部内的一个(实施例1、比较例1、2)的图，(a)为上述凹陷部的概略的俯视图，(b)为沿着(a)的A－A线箭头观察的截面图。图3是表示上述凹陷部(实施例1)的主要部分的图，(a)～(c)为支承部的概略的俯视图，(d)～(f)为接触部的概略的剖视图。图4是表示本专利技术的其它实施方式即上述凹陷部的变形例和实施例2的图，(a)为上述凹陷部的概略的俯视图，(b)为沿着(a)的A－A线箭头观察的截面图。具体实施方式下面，对本专利技术的一实施方式进行说明，但本专利技术不限定于此。本专利技术不限定于以下说明的各实施方式和各结构，而在权利要求书所给出的范围内能够进行各种变更，将不同的实施方式、实施例中分别公开的技术方案适当组合而得到的实施方式、实施例也包含在本专利技术的技术范围内。另外，本说明书中记载的学术文献和专利文献全部在本说明书中被引用为参考文献。另外，只要本说明书中没有特别记载，表示数值范围的“A～B”就指“A以上、B以下”。〔实施方式1〕以下对本专利技术的一实施方式进行说明。本专利技术的一实施方式的基座为具有载置晶片的凹陷部的基座，其中上述凹陷部中的至少一个具有：支承晶片的多个支承部；与晶片的侧面接触的多个接触部；和不与晶片的侧面接触的多个非接触部，上述接触部和非接触部交替地形成于凹陷部的内周壁，上述支承部中的至少两个形成于从上方观察基座时连结凹陷部的中心和非接触部的线上。如图1所示，圆盘状的基座(susceptor，还称为“台座”、“基片支承体”、“晶片载具”等)1是用于半导体的制造的例如安装于MOCVD装置等制造装置的部件，由高纯度的各向同性石墨和碳化硅烧结体等碳系材料形成。具体而言，例如，优选在高纯度的各向同性石墨的表面涂敷了SiC的基座。基座1的直径根据半导体的制造装置来适当设定，因此，没有特别限定。基座1用于在半导体制造工艺中载置蓝宝石晶片、氮化镓晶片、硅晶片等半导体晶片(以下简记为晶片)，进行加热并且在水平方向上旋转，以在该晶片的表面使薄膜结晶层外延生长并层叠。此外，基座1也用于在晶片的表面形成氧化物层、氮化物层的表面改性、除去附着于晶片的表面的污染物的表面清洁、或者进行退火时。在基座1的上表面至少形成有一个或多个凹陷部(还被称为“凹部”、“沉陷部”等)2，在该凹陷部2载置晶片并进行各种处理。在基座1的下方设置有对该基座1进行加热的加热器和高频感应线圈等加热装置(未图示)。对于基座1，设计了凹陷部2的个数和配置、以及加热装置的配置，以能够对载置的所有晶片均等地进行加热。此外，凹陷部2的个数和配置被决定为根据基座1和晶片的大小而形成最多的凹陷部2即可，没有特别限定。因此，形成于图1所示的基座1的凹陷部2的个数、配置和大小(尺寸)只不过为一例。凹陷部2的直径是指形成有接触部4的部分的内周壁的直径(不是形成有非接触部5的部分的内周壁的直径)。此外，当将凹陷部2的直径设为100时，载置于该凹陷部2的最小的晶片10的直径通常为98以上且小于100。如果晶片10的直径小于98，则存在在基座1开始旋转时和旋转结束时等，在基座1和晶片10容易产生由碰撞引起的缺口(缺损)的情况。另外，在本说明书中简记为“内周壁”时，是指形成有接触部4的部分的内周壁。多个凹陷部2在从上方观察基座1时为大致圆形形状，可以如图1的(a)所示彼此独立地形成，也可以如图1的(b)所示以彼此连通的方式形成。凹陷部2通过考虑载置有晶片的状态下的气体的流动和温度分布而对每个凹陷部2使其深度或深或浅来形成。以凹陷部2彼此独立地形成的情况为例进一步进行说明。作为实施例1，如图2所示，凹陷部2中的至少一个具有：支本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有载置晶片的凹陷部的基座，其特征在于：/n所述凹陷部中的至少一个具有：支承晶片的多个支承部；与晶片的侧面接触的多个接触部；和不与晶片的侧面接触的多个非接触部，/n所述接触部和非接触部交替地形成于凹陷部的内周壁，/n所述支承部中的至少两个形成于从上方观察基座时连结凹陷部的中心和非接触部的线上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181004 JP 2018-1889521.一种具有载置晶片的凹陷部的基座，其特征在于：
所述凹陷部中的至少一个具有：支承晶片的多个支承部；与晶片的侧面接触的多个接触部；和不与晶片的侧面接触的多个非接触部，
所述接触部和非接触部交替地形成于凹陷部的内周壁，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：池尻贵宏，
申请(专利权)人：东洋炭素株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP