一种微元件的临时转移基板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及显示面板技术领域，特别是涉及一种微元件的临时转移基板及其制备方法，所述临时转移基板的至少一面为临时转移面，所述基板的所述临时转移面一侧具有微孔结构，所述微孔结构用于分散微元件剥离时所受的冲击力。本发明专利技术实施例提供的微元件的临时转移基板，有效缓冲激光剥离等外力对微元件的冲击，减少微元件的碎裂，提高微元件的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种微元件的临时转移基板及其制备方法
本专利技术涉及显示面板
，特别是涉及一种微元件的转移基板及其制备方法。
技术介绍
MicroLED(微型发光二极管)显示屏综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点，有着极高的发光效率和寿命，有希望成为下一代显示技术，其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，之后将MicroLED从最初的生长基板上转移到驱动背板上，目前MicroLED技术发展的难点之一就在于MicroLED的转移过程。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种微元件的临时转移基板及其制备方法，能够提高微元件的转移的良率。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种微元件的临时转移基板，临时转移基板的至少一面为临时转移面，临时转移基板的临时转移面一侧具有多个微孔结构，微孔结构用于分散微元件剥离时所受的冲击力。进一步地，临时转移基板的材料为有机高分子材料，且有机高分子材料具有粘性，或有机高分子材料可与微元件通过范德华力结合。进一步地，临时转移基板的材料包括聚二甲基硅氧烷。具体地，微孔结构为通孔或盲孔。进一步地，微孔结构沿临时转移基板厚度方向的纵截面的形状为矩形或倒梯形或三角形。进一步地，微孔结构周期性分布于基板上。进一步地，微孔结构的孔面积小于微元件的横截面面积。进一步地，微孔结构的孔直径为1～4微米，相邻微孔结构之间的间距为1～6微米。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是：提供一种微元件的临时转移基板的制备方法，方法包括：在衬底上旋涂一层临时转移材料；采用硬质印章对临时转移材料层进行压印，硬质印章的一侧主表面上设置有间隔排布的若干凸起；将临时转移材料进行固化，并剥离硬质印章，获得微元件的临时转移基板。进一步地，临时转移材料为具有粘性的有机高分子材料，或可与微元件通过范德华力结合的有机高分子材料。进一步地，临时转移材料包括聚二甲基硅氧烷。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术，本专利技术实施例提供的微元件的临时转移基板，通过在转移面一侧设置微孔结构，临时转移基板与微元件结合，当采用外力将微元件从蓝宝石等生长基板上剥离，外力对微元件施加作用力，使得微元件受到朝向临时转移基板方向的作用力，而此时与微元件结合的临时转移基板具有微孔结构，能够起到缓冲作用，降低激光剥离等外力对微元件的冲击效果，减少微元件的碎裂情况的发生，提高微元件的良率。附图说明图1是本专利技术微元件的临时转移基板及衬底实施例的剖面结构示意图；图2是本专利技术微元件的临时转移基板的扫描电子显微镜图；图3是本专利技术微元件的临时转移基板及衬底实施例的另一剖面结构示意图；图4是本专利技术临时转移材料旋涂于衬底上的实施例的剖面结构示意图；图5是本专利技术硬质印章对所述临时转移材料层进行压印实施例的过程示意图；图6是本专利技术微元件的临时转移基板及衬底与微元件结合实施例的剖面结构示意图；图7是本专利技术微元件的临时转移基板与微元件结合实施例的扫描电子显微镜图；图8是对比例临时转移基板及衬底与微元件结合的剖面结构示意图；图9是对比例的临时转移基板与微元件结合实施例的扫描电子显微镜图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。MicroLED显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素实现图像显示的显示器，每一个像素可定址、单独驱动点亮，将像素点距离从毫米级降低至微米级，MicroLED显示器和有机发光二极管显示器一样属于自发光显示器。微转移技术是目前制备MicroLED显示器的主流方法，其具体制备过程为：首先在蓝宝石基板生长出MicroLED，然后将MicroLED从蓝宝石基板上剥离下来，随后将MicroLED转移到驱动背板上，即完成将MicroLED转移到驱动背板上的工作，故而制得MicroLED显示器。微转移方法包括直接转移法和间接转移法，间接转移法包含两次接合剥离的步骤，先将含有蓝宝石基板的MicroLED与临时转移基板做临时键合，然后采用激光剥离技术(LLO)将MicroLED从蓝宝石基板剥离到临时转移基板上；之后再通过转印头将临时转移基板上的MicroLED拾取起，然后再将MicroLED阵列接合至驱动背板上，接着再把转印头移除，即完成将MicroLED转移到驱动背板上的工作。其中采用激光剥离技术将MicroLED从蓝宝石基板剥离至临时转移基板上，激光剥离过程中会给予MicroLED冲击力，使得MicroLED出现破损或损坏的现象，影响MicroLED阵列的良率。如图1所示，本专利技术实施例提供一种微元件的临时转移基板110，临时转移基板110的至少一面为临时转移面，临时转移基板110的临时转移面一侧具有多个微孔结构111，微孔结构111用于分散微元件140剥离时所受的冲击力。微元件140可以为MicroLED微元件。本专利技术实施例提供的微元件的临时转移基板110，通过在临时转移基板110的临时转移面一侧设置多个微孔结构111，临时转移基板110与微元件140(见图6)结合，当采用外力如激光剥离技术所施加的力将微元件140从蓝宝石等生长基板上剥离，使得微元件140受到朝向临时转移基板140方向的作用力，该作用力使得微元件140向临时转移基板110一侧移动，而此时与微元件140结合的临时转移基板110具有微孔结构111，能够起到缓冲作用，降低激光剥离等外力对微元件140的冲击效果，减少微元件140的碎裂情况的发生，提高微元件140的良率。在一实施例中，本专利技术实施例中的临时转移基板110的材料包括有机高分子材料，且该有机高分子材料具有粘性，使得临时转移基板110与微元件140通过粘附力结合，通过激光剥离技术将微元件140从蓝宝石基板上剥离，并转移至临时转移基板110上。在另一实施例中，本专利技术实施例中的临时转移基板110的材料包括有机高分子材料，且该有机高分子材料可与微元件140通过范德华力结合。临时转移基板110以范德华力与微元件140临时键合，当采用激光剥离技术(LLO)将微元件140从蓝宝石基板剥离到临时转移基板110上之后，转印头将微元件140从临时转移基板110上拾取时，微元件140易于与临时转移基板110解键合，且可有效避免临时键合胶残留问题，提高MicroLED显示器的显示效果，减少清除残胶的工序，提高效率。更为具体地，本专利技术实施例中可与微元件140通过范德华力结合的有机高分子材料为聚二甲基硅氧烷。需要说明的是，在其他实施例中，与微元件140通过范德华力结合的有机高分子材料也可以为其他材料。进一步地，本实施例中，临时转移基板110的微孔结构111通过纳米压印获得，微孔结构111周期性分布于临时转移基板110上，微孔结构111为盲孔，开口端朝向转移面与微元件140结合一侧。作为本实施例的一优选方案，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微元件的临时转移基板，其特征在于，所述临时转移基板的至少一面为临时转移面，所述临时转移基板的所述临时转移面一侧具有多个微孔结构，所述微孔结构用于分散微元件剥离时所受的冲击力。/n

【技术特征摘要】
1.一种微元件的临时转移基板，其特征在于，所述临时转移基板的至少一面为临时转移面，所述临时转移基板的所述临时转移面一侧具有多个微孔结构，所述微孔结构用于分散微元件剥离时所受的冲击力。


2.根据权利要求1所述的临时转移基板，其特征在于，所述临时转移基板的材料为有机高分子材料，且所述有机高分子材料具有粘性，或所述有机高分子材料可与所述微元件通过范德华力结合。


3.根据权利要求2所述的临时转移基板，其特征在于，所述临时转移基板的材料包括聚二甲基硅氧烷。


4.根据权利要求1所述的临时转移基板，其特征在于，所述微孔结构为通孔或盲孔。


5.根据权利要求4所述的临时转移基板，其特征在于，所述微孔结构沿所述临时转移基板厚度方向的纵截面的形状为矩形、倒梯形或三角形，所述微孔结构周期性分布于所述基板上。


6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹轩，钱先锐，夏继业，王程功，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51