一种微元件的转移基板及转移方法技术

本申请公开了一种微元件的转移基板及转移方法，该转移基板包括板体和设置于板体一侧表面的粘结层，粘结层包括沿板体一侧表面间隔设置的若干可熔化导电块；其中，板体内设置有电路，电路连接可熔化导电块，可熔化导电块用于临时性固定微元件。通过上述方式，本申请能够在微元件的转移过程中实现对微元件的检测。

【技术实现步骤摘要】
一种微元件的转移基板及转移方法
本申请涉及半导体
，特别是涉及微元件的转移基板及转移方法。
技术介绍
Micro-LED显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，成为人们追求新一代显示技术的研究热点。在制造Micro-LED显示器过程中，需要进行LED芯片的来料检测以及LED芯片与衬底的分离工艺，即去除LED外延片衬底。目前最常用的去除LED衬底的方法是激光剥离，即利用激光使LED与衬底接触的材料分解，从而达到分离目的。但是由于激光剥离时激光产生的瞬间冲击以及高能量，可能会导致LED芯片性能降低、破裂甚至无法正常点亮。如果在LED芯片bonding到屏体后再进行检测修复则具有很高的难度，因此对于各个工艺后，特别是激光剥离后LED芯片的筛选具有很重要的意义。另外，由于Micro-LED显示屏体上具有数以万计的LED芯片，因此对于LED外延片以及工艺过程中批量检测造成很大的困难。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种微元件的转移基板及转移方法，能够在微元件的转移过程中实现对微元件的检测。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种微元件的转移基板，该转移基板包括板体和设置于板体一侧表面的粘结层，粘结层包括沿板体一侧表面间隔设置的若干可熔化导电块；其中，板体内设置有电路，电路连接可熔化导电块，可熔化导电块用于临时性固定微元件。其中，若干可熔化导电块之间填充有绝缘间隔物。其中，可熔化导电块的材料为低熔点焊料。其中，低熔点焊料为铟锡合金、铟铋合金中的一种或两种的组合。其中，绝缘间隔物的材料为能够吸收365纳米以下波长的光的有机材料。其中，有机材料为光敏性环氧树脂、聚酰亚胺、苯乙烯、聚氨酯中的一种或多种。其中，板体为硅基驱动基板或低温多晶硅驱动基板。为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种微元件的转移方法，该转移方法包括：将具有微元件的供给基板与转移基板对位，转移基板包括板体和设置在板体一侧表面的粘结层，粘结层包括沿板体一侧表面间隔设置的若干可熔化导电块，板体内设置有电路，电路连接可熔化导电块；利用可熔化导电块固定微元件；去除供给基板；利用转移头对转移基板上的微元件进行转移。其中，利用可熔化导电块固定微元件之后还包括：对转移基板进行通电，以对供给基板上的微元件进行第一次检测。其中，去除供给基板之后还包括：对转移基板进行通电，以对留在转移基板上的微元件进行第二次检测。其中，转移基板定义有显示区和非显示区，对留在转移基板上的微元件进行第二次检测之后还包括：利用转移头移除显示区内的检测不合格的微元件；利用转移头将非显示区内的检测合格的微元件转移至显示区的空缺处，空缺为移除检测不合格的微元件后形成的。其中，将具有微元件的供给基板与转移基板对位之前还包括：在转移基板的若干可熔化导电块之间形成绝缘间隔物。其中，利用转移头对转移基板上的微元件进行转移包括：利用转移头选择性转移转移基板上的检测合格的微元件。本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请通过选用可熔化导电块作为转移基板的粘结剂，利用可熔化导电块的熔化、固化，能够实现对微元件的键合与解键合，进而实现对微元件的转移。利用可熔化导电块的导电性实现板体与微元件的电连接。通过在板体内设置电路，能够实现在转移过程中对微元件的检测。附图说明图1是本申请一实施方式中微元件的转移基板的结构示意图；图2是本申请另一实施方式中微元件的转移基板的结构示意图；图3是本申请一实施方式中微元件的转移基板的制备流程示意图；图4是本申请一实施方式中微元件转移方法的流程示意图；图5是本申请另一实施方式中微元件的转移方法提供微元件的示意图；图6是本申请另一实施方式中微元件的转移方法贴合转移基板与供给基板的示意图。图7是本申请另一实施方式中微元件的转移方法剥离供给基板的示意图；图8是本申请另一实施方式中微元件的转移方法对微元件进行第二次检测的示意图；图9是本申请另一实施方式中微元件的转移方法剔除及修复不合格微元件的示意图；图10是本申请另一实施方式中微元件的转移方法转移微元件的示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。本申请提供一种微元件的转移方法，可用于转移微型发光二极管器件(Micro-LED)，但不限于该器件，还可用于其他微元件的转移。如微元件还可以是光电二极管阵列检测器(Photo-diodeArray，PDA)的二极管阵列，MOS(MetalOxideSemiconductor，MOS)器件，微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystems，MEMS)的MEMS器件等。本申请中，不对微元件的类型作限定，并不限于此处所列举的示例。本文将以转移Micro-LED为例进行说明。请参阅图1，图1是本申请一实施方式中微元件的转移基板的结构示意图。该实施方式中，转移基板10包括板体110和设置在板体110一侧表面的粘结层120。其中，粘结层120包括沿板体110一侧表面间隔设置的若干可熔化导电块121，可熔化导电块121可用于临时性固定微元件。在转移微元件时，将微元件与可熔化导电块121对位，先使可熔化导电块121熔化以包覆微元件，然后再使可熔化导电块121固化，进而实现对微元件的固定。板体110内设置有电路(图未示)，电路连接可熔化导电块121，可熔化导电块121在固定微元件的同时还可实现与微元件的电连接，进而实现微元件与电路的电连接。通过在板体内设置电路，在可熔化导电块121固定好微元件后，可以对板体进行通电，以判断微元件能够否正常工作，实现板体对微元件的检测。该实施方式中，通过选用可熔化导电块作为转移基板的粘结剂，利用可熔化导电块的熔化、固化，能够实现对微元件的键合与解键合，进行实现对微元件的转移。利用可熔化导电块的导电性实现板体与微元件的电连接。通过在板体内设置电路，能够实现在转移过程中对微元件的检测。请参阅图2，图2是本申请另一实施方式中微元件的转移基板的结构示意图。该实施方式中，若干可熔化导电块121之间填充有绝缘间隔物130。通过设置绝缘间隔物130一方面可以限制可熔化导电块121在熔化时的流动，另一方面可以保护板体110不被激光损伤。在一实施方式中，一般选择激光剥离的方式剥离供给基板，在激光照射剥离供给基板时，激光还容易击伤转移基板，可以通过设置绝缘间隔物130来保护转移基板。剥离供给基板常用激光的波长一般小于365纳米，因此，可以选择能够吸收365纳米以下波长的光的有机材料来制作绝缘间隔物130，以吸收多余的激光，保护转移基板。如可以是光敏性环氧树脂、聚酰亚胺、苯乙烯、聚氨酯中的一种或多种，这些材料对365nm以下波长的光具有较高的吸光率，以保护板体110，特别是保护板体11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微元件的转移基板，其特征在于，包括：/n板体；/n粘结层，设置于所述板体一侧表面，包括沿所述板体一侧表面间隔设置的若干可熔化导电块；/n其中，所述板体内设置有电路，所述电路连接所述可熔化导电块，所述可熔化导电块用于临时性固定所述微元件。/n

【技术特征摘要】
1.一种微元件的转移基板，其特征在于，包括：
板体；
粘结层，设置于所述板体一侧表面，包括沿所述板体一侧表面间隔设置的若干可熔化导电块；
其中，所述板体内设置有电路，所述电路连接所述可熔化导电块，所述可熔化导电块用于临时性固定所述微元件。


2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，
所述可熔化导电块的材料为低熔点焊料；
优选地，所述低熔点焊料为铟锡合金、铟铋合金中的一种或两种的组合。


3.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，若干所述可熔化导电块之间填充有绝缘间隔物。


4.根据权利要求3所述的转移基板，其特征在于，
所述绝缘间隔物的材料为能够吸收365纳米以下波长的光的有机材料；
优选地，所述有机材料为光敏性环氧树脂、聚酰亚胺、苯乙烯、聚氨酯中的一种或多种。


5.一种微元件的转移方法，其特征在于，包括：
将具有微元件的供给基板与转移基板对位，所述转移基板包括板体和设置在所述板体一侧表面的粘结层，所述粘结层包括沿所述板体一侧表面间隔设置的若干可熔化导电块，所述板体内设置有电路，所述电路连接所述可熔化导电块；
利用所述可熔化导电块固定所述微元件；
去除所述供给基板；
利用转移头对所述转...

【专利技术属性】
技术研发人员：董小彪，姚志博，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51