全集成高可靠性车用闪光器集成电路制造技术

技术编号:8852220 阅读:135 留言:0更新日期:2013-06-23 23:38
本实用新型专利技术涉及一种集成电路,尤其是一种全集成高可靠性车用闪光器集成电路,属于车用闪光器的技术领域。按照本实用新型专利技术提供的技术方案,所述全集成高可靠性车用闪光器集成电路,所述集成电路包括前级驱动电路及与所述前级驱动电路连接的后级驱动电路;所述后级驱动电路包括第三三极管及PMOS管,所述第三三极管采用PNP管,第三三极管的基极端与前级驱动电路内反相器的输出端连接,第三三极管的发射极端与集成电路的电源端连接,第三三极管的集电极端与PMOS管的栅极端连接,PMOS管的源极端与电源端连接,PMOS管的漏极端与集成电路的输出端连接。本实用新型专利技术集成度高,降低体积,增强可靠性,降低使用成本。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种集成电路,尤其是一种全集成高可靠性车用闪光器集成电路,属于车用闪光器的

技术介绍
如图1所示;为现有车用闪光器集成电路的结构框图,其中,现有的车用闪光器集成电路都采用双极工艺,耐压不高,其驱动的继电器线圈,在通电和断电时具有很高的反峰电压,继电器线圈的后级驱动必须在集成电路的外部增加分立元件,该分立元件采用高压的NPN管,造成系统的体积较大;即图中后级驱动包括第一三极管Q1,所述第一三极管Ql采用NPN管,即为NPNl ;分立元件为第二三极管Q2,所述第二三极管Q2也采用NPN管,即为NPN2。同时NPN管的饱和压降较大、功耗高,工作温度高,系统的部件较多,这都使系统的可靠性下降,成本较高。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种全集成高可靠性车用闪光器集成电路,其集成度高,降低体积,增强可靠性,降低使用成本。按照本技术提供的技术方案,所述全集成高可靠性车用闪光器集成电路,所述集成电路包括前级驱动电路及与所述前级驱动电路连接的后级驱动电路;所述后级驱动电路包括第三三极管及PMOS管,所述第三三极管采用PNP管,第三三极管的基极端与前级驱动电路内反相器的输出端连接,第三三极管的发射极端与集成电路的电源端连接,第三三极管的集电极端与PMOS管的栅极端连接,PMOS管的源极端与电源端连接,PMOS管的漏极端与集成电路的输出端连接。所述前级驱动电路包括第一比较器、第二比较器及第三比较器,所述第一比较器的反相端与第二比较器的同相端连接,且第一比较器的反相端与第二比较器的同相端相互连接后与集成电路的启动输入端连接;第一比较器的同相端与第一电阻的一端及第二电阻的一端连接,第二电阻的另一端与第二比较器的反相端及第三电阻的一端连接,第三电阻的另一端接地,第一电阻的另一端与集成电路的电源端连接;第一比较器的输出端及第二比较器的输出端均与回差电路连接,回差电路的输出端与第三比较器的反相端连接,回差电路的输入端分别与短路检测模块的输出端及短路检测开关的输出端连接,短路检测模块的输入端与集成电路的短路检测输入端连接,短路检测开关的输入端与集成电路的开关输入端连接,短路检测开关的输出端与第三比较器的输出端及反相器的输入端连接;第三比较器的同相端与集成电路的第一振荡连接端连接,回差电路的输出端与集成电路的第二振荡连接端连接。所述集成电路内后级驱动电路的第三三极管及PMOS管采用B⑶工艺制备得到。所述集成电路的输出端与继电器线圈的一端电连接,继电器线圈的另一端接地。本技术的优点:第三三极管及PMOS管用B⑶工艺制备并集成在集成电路内部,实现集成电路的后级驱动电路,使得集成电路简单,体积小,发热少,工作温度低,可靠性高,成本低。附图说明图1为现有车用闪光器集成电路的结构框图。图2为本技术车用闪光器集成电路的结构框图。附图标记说明:1_接地端、2-电源端、3-输出端、4-第一振荡连接端、5-第二振荡连接端、6-开关输入端、7-短路检测输入端、8-启动输入端、10-集成电路、11-第一比较器、12-第二比较器、13-第三比较器、14-回差电路、15-短路检测模块、16-短路检测开关、17-反相器、18-继电器线圈、Ql-第一三极管、Q2-第二三极管、Q3-第三三极管及Q4-PM0S管。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本技术作进一步说明。如图2所示:为了能够提高可靠性,降低使用成本,本技术所述集成电路10包括前级驱动电路及与所述前级驱动电路连接的后级驱动电路;所述后级驱动电路包括第三三极管Q3及PMOS管Q4,所述第三三极管Q3采用PNP管,第三三极管Q3的基极端与前级驱动电路内反相器17的输出端连接,第三三极管Q3的发射极端与集成电路10的电源端2连接,第三三极管Q3的集电极端与PMOS管Q4的栅极端连接,PMOS管Q4的源极端与电源端2连接,PMOS管Q4的漏极端与集成电路10的输出端连接。具体地,第三三极管Q3即为图中的PNP1,PMOS管Q4为PMOSI管,本技术具体实施时,后级驱动电路的第三三极管Q3与PMOS管Q4采用B⑶工艺制备得到。所述集成电路10的封装管脚及前级驱动电路均与现有的结构相同,其中,所述前级驱动电路包括第一比较器11、第二比较器12及第三比较器13,所述第一比较器11的反相端与第二比较器12的同相端连接,且第一比较器11的反相端与第二比较器12的同相端相互连接后与集成电路10的启动输入端8连接;第一比较器11的同相端与第一电阻Rl的一端及第二电阻R2的一端连接,第二电阻R2的另一端与第二比较器12的反相端及第三电阻R3的一端连接,第三电阻R3的另一端接地,第一电阻Rl的另一端与集成电路10的电源端2连接;第一比较器11的输出端及第二比较器12的输出端均与回差电路14连接,回差电路14的输出端与第三比较器13的反相端连接,回差电路14的输入端分别与短路检测模块15的输出端及短路检测开关16的输出端连接,短路检测模块15的输入端与集成电路10的短路检测输入端7连接,短路检测开关16的输入端与集成电路10的开关输入端6连接,短路检测开关16的输出端与第三比较器13的输出端及反相器17的输入端连接;第三比较器14的同相端与集成电路10的第一振荡连接端4连接,回差电路14的输出端与集成电路10的第二振荡连接端5连接。当后级驱动电路的第三三极管Q3及PMOS管Q4采用B⑶工艺制备得到时,前级驱动电路的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一比较器11、第二比较器12、第三比较器13、回差电路14、短路检测模块15、短路检测开关16及反相器17也采用B⑶工艺制备得至IJ,前级驱动电路与后级驱动电路采用BCD工艺制备在同一个衬底上。如图2所示:使用时,继电器线圈18的一端与集成电路10的输出端连接,继电器线圈18的另一端接地,集成电路10的接地端I接地,第一振荡连接端4及第二振荡连接端5与外部电路连接配合后形成振荡器。电源端2与外部电源连接。当启动输入端8有启动信号后,回差电路14根据第一比较器11及第二比较器12的输出,并通过第三比较器13配合产生控制转向灯闪烁的振荡信号。短路检测模块15根据短路检测输入端7的输入信号检测是否出现短路,当存在短路时,短路检测模块15向回差电路14输入信号关闭回差电路。短路检测开关16根据开关输入端6输入的信号监测短路检测模块15是否开启。根据回差电路14产生的振荡信号,通过PMOS管Q4直接驱动继电器线圈18。由于第三三极管Q3及PMOS管Q4采用B⑶工艺制备并集成在集成电路10内部,实现集成电路的后级驱动电路,使得集成电路10简单,体积小,发热少,工作温度低,可靠性高,成本低。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全集成高可靠性车用闪光器集成电路,所述集成电路(10)包括前级驱动电路及与所述前级驱动电路连接的后级驱动电路;其特征是:所述后级驱动电路包括第三三极管(Q3)及PMOS管(Q4),所述第三三极管(Q3)采用PNP管,第三三极管(Q3)的基极端与前级驱动电路内反相器(17)的输出端连接,第三三极管(Q3)的发射极端与集成电路(10)的电源端(2)连接,第三三极管(Q3)的集电极端与PMOS管(Q4)的栅极端连接,PMOS管(Q4)的源极端与电源端(2)连接,PMOS管(Q4)的漏极端与集成电路(10)的输出端连接。

【技术特征摘要】
1.一种全集成高可靠性车用闪光器集成电路,所述集成电路(10)包括前级驱动电路及与所述前级驱动电路连接的后级驱动电路;其特征是:所述后级驱动电路包括第三三极管(Q3 )及PMOS管(Q4 ),所述第三三极管(Q3 )采用PNP管,第三三极管(Q3 )的基极端与前级驱动电路内反相器(17)的输出端连接,第三三极管(Q3)的发射极端与集成电路(10)的电源端(2)连接,第三三极管(Q3)的集电极端与PMOS管(Q4)的栅极端连接,PMOS管(Q4)的源极端与电源端(2)连接,PMOS管(Q4)的漏极端与集成电路(10)的输出端连接。2.根据权利要求1所述的全集成高可靠性车用闪光器集成电路,其特征是:所述前级驱动电路包括第一比较器(11)、第二比较器(12)及第三比较器(13),所述第一比较器(11)的反相端与第二比较器(12)的同相端连接,且第一比较器(11)的反相端与第二比较器(12)的同相端相互连接后与集成电路(10)的启动输入端(8)连接;第一比较器(11)的同相端与第一电阻(Rl)的一端及第二电阻(R2)的一端连接,第二电阻(R2)的另一端与第二比较器(12)的反相端及第三电阻(R3)的一端连接,第三电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈东勤
申请(专利权)人:无锡创立达科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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