封装结构制造技术

一种封装结构，包括具有导接金属柱的基板、设于该基板上且使该导接金属柱位于其外围的电子组件、以及设于该基板上且位于该导接金属柱外围的金属挡壁，通过该金属挡壁的设计，可控制后续封装制程的封装胶体的成形范围。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种封装结构，尤指一种具有金属挡壁的封装结构。
技术介绍
随着近年来可携式电子产品的蓬勃发展，各类相关产品逐渐朝向高密度、高性能以及轻、薄、短、小的趋势而走，各式样封装层叠(package on package, PoP)也因而配合推陈出新，以期能符合轻薄短小与高密度的要求。如图1所示，其为现有封装堆栈装置I的剖视示意图。如图1所示，该封装堆栈装置I包括两相叠的封装结构Ia与另一封装结构lb。其中一封装结构Ia包含具有相对的第一及第二表面11a，Ilb的第一基板11、覆晶结合该第一基板11的第一电子组件10、设于该第一表面Ila上的电性接触垫111、形成于该第一基板11上以包覆该第一电子组件10的第一封装胶体13、形成于该第一封装胶体13的开孔130中的电性接触垫111上的焊锡材料114及设于该第二表面Ilb上用于结合焊球14的植球垫112。另一封装结构Ib包含第二基板12、以打线方式结合于该第二基板12上的第二电子组件15a，15b、及形成于该第二基板12上以包覆该第二电子组件15a，15b的第二封装胶体16，使该第二基板12通过焊锡材料114叠设且电性连接于该第一基板11的电性接触垫111 上。然而，在图1所示的现有封装堆栈装置中，是以激光技术在该第一封装胶体13中形成外露电性接触垫111的开孔130，相较于一般形成于该第一基板11中的线路增层结构(build-up structure,图略)的介电层中的盲孔(via),该开孔130的深度较深,致使激光时间增加，因而提高成本。此外，受限于半导体芯片(即第一电子组件10)的厚度，堆栈两封装结构la，Ib时需维持两者之间的高度，且随着该封装堆栈装置I的体积缩小，所述开孔130的宽度也需缩小，又由于投射至该封装结构Ia上的激光通常为上宽下窄的光束，难以控制激光束的形状，所以所述开孔130的高纵横比(即孔的深度与宽度的比例)会造成激光加工不易及成本增加。此外，以往的印刷锡料设备对于此种高纵横比的孔型容易在该开孔130中产生空隙，而现行下锡设备通常一次仅能产出一颗锡球，这样的下锡量并不足以充填该开孔130，导致形成焊锡材料114在该开孔130的时间增加。另外，现有封装堆栈装置I中，该两封装结构la，Ib之间会形成间隙d，而使该两封装结构la, Ib有脱落的虞虑。又，因该焊锡材料114在回焊后的体积及高度的公差大，不仅接点容易产生缺陷，导致电性连接品质不良，而且该焊锡材料114所排列成的栅状数组(grid array)容易产生共面性(coplanarity)不良，导致接点应力(stress)不平衡而容易造成该两封装结构la, Ib之间呈倾斜接置，甚至产生接点偏移的问题。因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺失，本技术的主要目的在于提供一种封装结构，可控制后续封装制程的封装胶体的成形范围。本技术的封装结构，其包括:基板，其表面上具有多个导接金属柱；电子组件，其设于该基板表面上并电性连接该基板，且使所述导接金属柱位于该电子组件的外围；以及金属挡壁，其设于该基板的边缘上并围绕于所述导接金属柱的外围。前述的封装结构中，该金属挡壁的高度大于该导接金属柱的高度，且该金属挡壁呈环形或L形。前述的封装结构中，还包括设于该基板上的辅助金属柱，其高度大于该导接金属柱的高度。又包括设于该导接金属柱上的焊锡材料。前述的封装结构中，还包括另一封装结构，其结合于所述导接金属柱上，使该另一封装结构堆栈于该基板与该电子组件的上方。又该金属挡壁抵靠该另一封装结构。另包括封装胶体，其形成于该另一封装结构与该基板之间，且该封装胶体粘接该另一封装结构与该基板，该封装胶体并包覆所述导接金属柱与该电子组件。由上可知，本技术的有益效果是:本技术的封装结构中，通过该金属挡壁的设计，可控制该封装胶体的成形范围，且能提升该封装胶体的流动性与填胶性，以避免该封装胶体溢流而破坏该封装结构，所以能提升产品的品质。此外，通过该导接金属柱(非焊锡材)堆栈且电性连接该封装结构，所以在进行堆栈制程后，通过该导接金属柱的尺寸变异易于控制，使其可克服激光及下锡加工不易、堆栈结构间倾斜接置及接点偏移的问题。又，本专利技术在堆栈另一封装结构之后，再形成封装胶体，使该封装胶体粘接该另一封装结构与该基板，所以可避免产生现有技术中的两封装结构间的间隙，因而可避免封装结构间有脱落之虞虑并具有较佳的抗翘曲表现。附图说明图1为现有封装堆栈装置的剖视示意图；图2A至图2E为本技术的封装结构的第一实施例的制法及其封装堆栈装置的剖视示意图；其中，图2C’为图2C (未设置该第一电子组件前)的俯视示意图，图2E (a)至图2E (c)为图2C’的其它实施方式；以及图3A至图3B为本技术的封装结构的第二实施例及其封装堆栈装置的剖视示意图；其中，图3A’为图3A (未设置该第一电子组件前)的俯视示意图。主要组件符号说明 1,2,3封装堆栈装置 la,lb,2a,2b,3a 封装结构 10,20第一电子组件101,201底股11.21第一基板11a,21a第一表面I lb,2 Ib第二表衡 111,211b电性接触垫 112,212植球垫 114,214焊锡材料12.22第二基板120焊锡球 13第一封装胶体 130开孑L 14,24焊球 15a,15b,25a,25b 第二 电子组件 16第二封装胶体 200电极垫 200a导电凸块 200b铜凸块 200c焊锡凸块 210导接金属柱 211a焊垫 213绝缘保护层 213a开孔· 23,26封装胶体 27,27a,27b,27c 金属挡壁 270缺口 37辅助金属柱 d间隙 h，t高度 L高度总和。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域的技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其它优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域的技术人员的了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本技术可实施的范畴。图2A至图2E为本技术的封装结构2a的第一实施例的制法及其封装堆栈装置2的剖视示意图。如图2A所示，提供一具有相对的第一表面21a及第二表面21b的第一基板21，该第一基板21的第一表面21a上具有多个焊垫211a及位于所述焊垫211a外围的电性接触垫211b，且该第一基板21的第二表面21b上具有多个植球垫212。又该第一基板21的第一及第二表面21a，21b上具有例如防焊层的绝缘保护层213，且该绝缘保护层213形成有多个外露所述焊垫211a、电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，其包括：基板，其表面上具有多个导接金属柱；电子组件，其设于该基板表面上并电性连接该基板，且使所述导接金属柱位于该电子组件的外围；以及金属挡壁，其设于该基板的边缘上并围绕于所述导接金属柱的外围。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，其包括: 基板，其表面上具有多个导接金属柱； 电子组件，其设于该基板表面上并电性连接该基板，且使所述导接金属柱位于该电子组件的外围；以及 金属挡壁，其设于该基板的边缘上并围绕于所述导接金属柱的外围。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该金属挡壁的高度大于该导接金属柱的高度。3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，该金属挡壁呈环形或L形。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该封装结构还包括设于该基板上的辅助金属柱，其高度大于该导接金属柱的高度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡迪群，詹英志，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：