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一种采用介电复合材料封装的超高频器件制造技术

技术编号:8646878 阅读:168 留言:0更新日期:2013-04-28 03:58
本实用新型专利技术属于超高频信号的连接技术,具体涉及一种采用介电复合材料封装的超高频器件。本实用新型专利技术由封装物、信号端口、引脚、接线区上的连接线、芯片、基板构成,所述的封装物为介电复合材料。本实用新型专利技术对传统的接线点封装物进行改革,用介电复合材料来取代传统的热固性塑料。通过改变介电复合材料中的晶粒材种,晶粒充填百分率以及封装厚度等因素来保证接线区的阻抗匹配,从而减小信号的反射损耗和插入损耗,达到严格的信号保真度要求。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及超高频信号的连接技术,特别涉及一种采用介电复合材料封装的超闻频器件。
技术介绍
传统的集成电路器件至少包含一片带有许多输入输出信号端口的半导体芯片和一片用以支承芯片的基板.基板上有许多与芯片信号端口相对应的引脚.,以及把芯片上的信号端口与基板上的对应引脚相连的连接线.由于电路集成度的不断提高,器件的尺寸越来越小,连接线越来越细。因此,这块脆弱的集成电路器件必须用一种封装材料(例如塑料)加以封装,以保护芯片并保证结构的刚性。由于集成电路器件的运行频率的不断提高,IOOGHz相当于频率为1000亿Hz/秒,信号电流的带宽IOGbps相当于100亿字节/秒。使得由连接线,端口和引脚等构成的超高频器件的交流阻抗变得非常大(以Imm长的连接线为例,它的电感相当于InH),于是这块器件的连接结构成为传输超高频信号的主要瓶颈。信号传输不通畅,信号丢失并失真。器件电性能指标的下降主要是由器件本身和器件连接结构在信号传输时的寄生电感引起。所以由传统的集成电路提供的信号通道会产生很高的寄生感抗,影响集成电路器件传输高频信号的保真性。在IOGHz或IOGHz以上的高频段运行时,信号保真性的劣化会降低传输效率、传输距离、甚至失效。因此,改进其连接技术,解决上述问题是非常必要的。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种采用介电复合材料封装的超高频器件,从而保证IOGHz或IOGHz以上的超高频信号传输 的保真度。本技术的技术方案是在一个或若干个相连的连接结构上充填介电复合材料的封装物。一种采用介电复合材料封装的超高频器件,由封装物、信号端口、引脚、接线区上的连接线、芯片、基板构成,所述的封装物为介电复合材料。介电复合材料是一种介电晶粒复合物,可以是热固性高分子材料及金属氧化物介电晶粒的复合物。可以通过改变晶粒复合物的材种、充填厚度和位置、充填体积百分率来控制其介电常数。同时改变材种还可以改变其机械性能(例如弹性模量),以消除封装后的热应力。从而由介电复合材料的控制,可以任意调节连接结构的耦合电容C和总阻抗4。使得连接结构的分布电容,与寄生电感相抗衡,使连接结构的阻抗与其两端的某一阻抗充分匹配。实现减小流经连接结构的信号的不连续性,达到改善接点的电性能的目的。介电晶粒复合物的晶粒尺寸越细,则可达到较高的充填体积百分率,其上限为80%。介电复合物的充填可以采用传统的封装工艺,例如与注射,注塑等。本技术的理论基础源于以下公式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用介电复合材料封装的超高频器件,由封装物(5)、信号端口(3)、引脚(2)、接线区上的连接线(4)、芯片(6)、基板(7)构成,其特征在于所述的封装物(5)为介电复合材料。

【技术特征摘要】
1.一种采用介电复合材料封装的超高频器件,由封装物(5)、信号端口(3)、引脚(2)、接线区上的连接线⑷、芯片(6)、基板(7)构成,其特征在于所述的封装物(5)为介电复合材料。2.按照权利要求1所述的一种采用介电复合材料封装的超高频器件,...

【专利技术属性】
技术研发人员:单文昌
申请(专利权)人:单文昌吴佳俐
类型:实用新型
国别省市:

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