紫外半导体发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种紫外半导体发光器件，其包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层下方的有源层；在有源层下方的第一反射层；以及在第一反射层下方的第二导电半导体层。第一反射层包括多个化合物半导体层。化合物半导体层包括至少两种半导体材料。所述至少两种半导体材料的含量彼此不同。

【技术实现步骤摘要】
紫外半导体发光器件
根据35U.S.C.§119(a)，本申请要求2011年11月25日提交的第10-2011-0124452号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并到本文中。
技术介绍
本公开内容涉及紫外半导体发光器件。发光二极管(LED)是将电流转化成光的半导体发光器件。由于半导体发光器件可以获得具有高亮度的光，所以半导体发光器件已经被广泛用于显示器的光源、车辆的光源以及用于照明的光源。最近，已经提出了能够输出紫外光的紫外半导体发光器件。但是，紫外光被吸收到紫外半导体发光器件的内部，使得量子效率降低。
技术实现思路
实施方案提供一种能够通过防止紫外光被吸收来提高量子效率的紫外半导体发光器件。实施方案提供一种能够通过向前反射紫外光来提高量子效率的紫外半导体发光器件。根据实施方案，提供一种紫外发光器件，所述紫外发光器件包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层下方的有源层；在有源层下方的第一反射层；以及在第一反射层下方的第二导电半导体层，其中，第一反射层包括多个化合物半导体层，其中化合物半导体层包括至少两种半导体材料，并且其中至少两种半导体材料的含量彼此不同。根据实施方案，提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下方的有源层；在所述有源层下方的第一反射层；以及在所述第一反射层下方的第二导电半导体层，其中所述第一反射层包括多个化合物半导体层，其中所述化合物半导体层包括至少两种半导体材料，以及其中所述至少两种半导体材料的含量彼此不同。

【技术特征摘要】
2011.11.25 KR 10-2011-01244521.一种紫外发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下方的有源层；在所述有源层下方的第一反射层；以及在所述第一反射层下方的第二导电半导体层，其中所述第一反射层包括多个第一层和多个第二层，其中所述第一层和第二层包括具有不同的Al组成的至少两种化合物半导体，其中所述至少两种化合物半导体的含量彼此不同，其中所述第一反射层的最下层和最上层具有两个具有相同物质含量的第一层，其中所述第一反射层的所述最下层接触所述第二导电半导体层，并且所述第一反射层的所述最上层接触所述有源层，以及其中所述第一反射层的最下层与所述有源层的最上层是同一层。2.根据权利要求1所述的紫外发光器件，还包括：在所述第二导电半导体层下方的第三导电半导体层。3.根据权利要求2所述的紫外发光器件，还包括：在所述第二导电半导体层与所述第三导电半导体层之间的第二反射层。4.根据权利要求3所述的紫外发光器件，其中所述第二反射层包括多个化合物半导体层，其中所述化合物半导体层包括至少两种化合物半导体。5.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述多个化合物半导体层包括多个奇数编号的化合物半导体层和多个偶数编号的化合物半导体层。6.根据权利要求5所述的紫外发光器件，其中所述奇数编号的化合物半导体层的厚度与所述偶数编号的化合物半导体层的厚度不同。7.根据权利要求5所述的紫外发光器件，其中所述奇数编号的化合物半导体层的厚度比所述偶数编号的化合物半导体层的厚度大。8.根据权利要求5所述的紫外发光器件，其中所述奇数编号的化合物半导体层具有30nm至40nm的厚度，以及其中所述偶数编号的化合物半导体层具有20nm至30nm的厚度。9.根据权利要求3所述的紫外发光器件，其中所述第二反射层的最下层和最上层包括具有相同含量的至少两个半导体层。10.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述多个化合物半导体层中的相邻化合物半导体层构成一个周期对。11.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层包括Ga，以及其中所述多个化合物半导体层中的相邻化合物半导体层的Ga含量彼此不同。12.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层包括Al，以及其中所述多个化合物半导体层中的相邻化合物半导体层的Al含量彼此不同。13.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层具有不同的折射率。14.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金载焄，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：