一种氮化物LED结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化物LED结构。所述氮化物LED结构，在衬底的一面包括金属反射层、缓冲层、n型层、有源层、p型层、透明导电层、p电极和n电极，蚀刻外延结构至接近露出或露出金属反射层，在金属反射层上制作n电极；所述金属反射层具一定厚度和图形空隙；n电极与金属反射层直接连接或虚接。本实用新型专利技术通过有图形空隙的金属反射层来改变光路，提高了出光效率，改善了外延结构的晶体质量；n电极与金属反射层的相连方式改善电流拥堵的现象，减少了LED器件的发热；在制作n电极时不需要再蚀刻大面积的LED器件，在一定程度上增大了LED器件的有效发光面积，改善了其发光效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种氮化物LED结构
本技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种氮化物LED结构。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种能将电信号转换成光信号的结构型电致发光的半导体 器件。氮化镓(GaN)基发光二极管作为固态光源一经出现便以其高效率、长寿命、节能环 保、体积小等优点被誉为继爱迪生技术电灯后人类照明史上的又一次革命，成为国际 半导体和照明领域研发与产业关注的焦点。以氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓 (AlGaN)和氮化铟铝镓(AlGaInN)为主的III V族氮化物材料具有连续可调的直接带宽 为0.7 6.2eV，它们覆盖了从紫外光到红外光的光谱范围，是制造蓝光、绿光和白光发光 器件的理想材料。现有常规的GaN基发光器件，其结构为在蓝宝石衬底上外延生长η型GaN层、有源 层和P型GaN层。在P型GaN的上表面设置ρ电极和在η型GaN层的上表面设置η电极。 P电极和η电极位于蓝宝石衬底的同一侧。半导体发光器件工作室的电流从ρ电极流经P 型GaN层、有源层、η型GaN层到达η电极。由于电流在η型GaN层中横向流动会造成电流 密度分布不均匀，这种电流密度分布的不均匀不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物LED结构，在衬底的一面包括金属反射层、缓冲层、n型层、有源层、p型层、透明导电层、p电极和n电极，在所述p型层上形成透明导电层，在所述透明导电层上制作p电极，其特征在于，蚀刻外延结构直至接近露出或者露出金属反射层，在所述的金属反射层上制作n电极；所述金属反射层为厚250～1500nm、具有图形空隙的结构层；所述n电极与所述金属反射层为直接连接或者虚接。

【技术特征摘要】
1.一种氮化物LED结构，在衬底的一面包括金属反射层、缓冲层、η型层、有源层、P型 层、透明导电层、P电极和η电极，在所述P型层上形成透明导电层，在所述透明导电层上制 作P电极，其特征在于，蚀刻外延结构直至接近露出或者露出金属反射层，在所述的金属反 射层上制作η电极；所述金属反射层为厚250 1500nm、具有图形空隙的结构层；所述η电 极与所述金属反射层为直接连接或者虚接。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛进营，曹凤凯，刘献伟，张宇欣，赵明，杨旅云，王明辉，
申请(专利权)人：上海施科特光电材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：