具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法技术

一种具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法，其中该LED外延结构，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一缓冲层，其制作在成核层上；一n型接触层，其制作在缓冲层上；一多量子阱有源区，其制作在n型接触层上面的一侧，另一侧形成一台面；一应力释放层，其制作在多量子阱有源区上；一电子阻挡层，其制作在应力释放层上；一p型层，其制作在电子阻挡层上；一正电极，其制作在p型层上；一负电极，其制作在接触层一侧的台面上。本发明专利技术可以解决白光固态照明中用绿光光激射RGB荧光粉产生白光这一方法中绿光LED输出功率低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有应力释放层的绿光LED外延结构，特别是指一种具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法。
技术介绍
以III族氮化物为材料的白光LEDs正以前所未有的速度高速发展。白光LEDs具有更高亮度、低能耗、寿命长、响应快、无辐射等优点。针对当前能源短缺已成为我国经济可持续发展的制约因素，采用白光LEDs的半导体照明可以减少50%照明用电量，同时还能够减少环境污染，因而在一定程度上减少废气对全球气候变化的影响，改善我们的居住环境。较高的发光效率使得白光LEDs成为一种非常有前途的通用照明方案。然而，若要真正节约能源和降低照明费用，还需要进一 步的提高半导体照明的性能。目前，采用LEDs实现白光照明的方式主要有三种，其中蓝光LED+YAG荧光粉是目前产业的主流技术。但采用该方式获得的白光的光强分布具有方向性，并且色温随工作电流及结温的变大有较大的变化。其次是采用绿光LEDs激发RGB荧光粉的方式实现白光照明，但由于目前绿光LEDs的效率极其低下，采用该方式实现白光照明仍有很大的阻力。最后是采用RGB三色LED通过不同的配比来实现不同色温及显色指数的白光，通过仔细选择不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有应力释放层的绿光LED外延结构，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一缓冲层，其制作在成核层上；一n型接触层，其制作在缓冲层上；一多量子阱有源区，其制作在n型接触层上面的一侧，另一侧形成一台面；一应力释放层，其制作在多量子阱有源区上；一电子阻挡层，其制作在应力释放层上；一p型层，其制作在电子阻挡层上；一正电极，其制作在p型层上；一负电极，其制作在接触层一侧的台面上。

【技术特征摘要】
1.一种具有应力释放层的绿光LED外延结构，包括: 一衬底； 一成核层，其制作在衬底上； 一缓冲层，其制作在成核层上； 一 η型接触层，其制作在缓冲层上； 一多量子阱有源区，其制作在η型接触层上面的一侧，另一侧形成一台面； 一应力释放层，其制作在多量子阱有源区上； 一电子阻挡层，其制作在应力释放层上； 一 P型层，其制作在电子阻挡层上； 一正电极，其制作在P型层上； 一负电极，其制作在接触层一侧的台面上。2.根据权利要求1所述的具有应力释放层的绿光LED外延结构，其中应力释放层的材料为 AlxInyGa(卜x_y)N，0 < χ < 1,0 < y < 1，厚度为 3-lOnm。3.根据权利要求2所述的具有应力释放层的绿光LED外延结构，其中所述应力释放层的掺杂类型为二茂镁P型掺杂，掺杂浓度为1017-1019cm_3。4.根据权利要求1所述的具有应力释放层的绿光LED外延结构，其中多量子阱有源区的周期数为5-13。5.根据权利要求4所述的具有应力释放层的绿光LED外延结构，其中所述多量子阱有源区每一周期的材料为InzGai_zN/GaN，In的组分为0.17 < z < 0.35，InzGa1J的厚度为1.0-6.0nm, GaN 的厚度为 5.0_20nm。6.一种具有应力释放层的绿光LED外延结构的制作方法，包括如下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宁，刘喆，李晋闽，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：