晶片与基座的连接方法及所得晶体谐振器技术

本发明专利技术公开了一种晶片与基座的连接方法及所得晶体谐振器，涉及晶体元器件技术领域。所述方法包括步骤：采用镀膜工艺将电极镀到晶片上；采用共晶焊工艺将所述电极与基座的簧片相焊接，形成谐振器；在所述电极与所述簧片的连接处补充导电胶。本发明专利技术所述晶片与基座的连接方法及采用该方法获得的晶体谐振器，同时采用金锡焊和导电胶对所述晶片和基座进行连接，结构更稳定，能够有效的避免仅使用导电胶带来的风险，有效提高了晶体元器件的长期电性能可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体元器件
，特别涉及一种晶片与基座的连接方法及所得晶体谐振器。
技术介绍
这些年石英晶体元器件的应用领域十分广泛，用于通讯、计算机、家用电器、雷达导航设备等领域，凡是用到数字信号的地方都有石英晶体谐振器的应用领域。现如今石英晶体元器件的工艺连接方式均采用导电胶粘接的连接方式，导电胶的固化温度低，操作方便等优势成为其广泛使用的重要原因。然而，导电胶固有的缺点(氧化腐蚀、裂缝和分层、蠕变及工艺缺陷等)也影响了它的可靠性，成为导电胶失效的主要原因。现在的航天航空等领域对于产品的可靠性要求非常高，因此仅用导电胶的工艺现在已经不能满足高科技、高可靠领域的需求。导电胶中的导电粒子间的相互接触形成导电通路，使导电胶具有导电性，胶层中粒子间的稳定接触是在导电胶固化或干燥后形成的。导电胶在固化或干燥前，导电粒子在胶黏剂中分离存在，相互间没有连续接触，因而处于绝缘状态；导电胶固化或干燥后，由于溶剂的挥发和黏胶剂的固化而引起胶黏剂体积的收缩，使导电粒子相互呈稳定的连续状态，因而表现出导电性。导电胶的蠕变，即当温度超过聚合物的玻璃转变温度时，聚合物形变增大。由于导电胶发生蠕变或变形，使原来相互接触的金属粒子可能被拉开，导致电阻变大；同时在粘接界面处会形成较大的剪切应力，并产生热机械疲劳，从而使导电胶产生裂缝或分层等现象。导电胶变质发生导电粉分层、分布不均，从而使局部区域出现空洞无导电胶现象，致使热阻增大，进而可能导致整体电路的失效或不精确。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是:如何提供一种晶片与基座的连接方法及所得晶体谐振器，以克服仅用导电胶带来的质量隐患，从而提高晶体元器件的长期电性能可靠性。( 二 )技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶片与基座的连接方法，其包括步骤:B:采用镀膜工艺将电极镀到晶片上；C:采用共晶焊工艺将所述电极与基座的簧片相焊接，形成谐振器；D:在所述电极与所述簧片的连接处补充导电胶。优选地,所述步骤B具体包括步骤:B1:清洗所述晶片；B2:在所述晶片的正反面镀上第一镀层；B3:在所述第一镀层的边缘部分的正反面镀上加厚镀层，所述第一镀层和加厚镀层构成所述电极。优选地，所述步骤C具体包括步骤:Cl:清洗焊片、所述晶片和簧片；C2:将所述晶片上所述电极的边缘部分伸入所述簧片的沟槽中；C3:将所述焊片塞入所述电极与簧片的缝隙中；C4:将所述晶片与基座整体放入共晶焊炉中进行焊接。优选地，所述步骤D具体包括步骤:Dl:清洗所述谐振器；D2:在所述电极与所述簧片的连接处，并且在所述簧片远离所述电极的一侧处涂覆导电胶；D3:将所述谐振器放入隧道炉中进行烤胶。优选地，在所述步骤B之前还包括步骤:A:准备焊片，以及所述晶片和基座。优选地，在所述步骤D之后还包括步骤E:将所述谐振器微调至预定频率点。优选地，在所述步骤E之后还包括步骤F:将所述谐振器进行压封。优选地，所述步骤B中，采用蒸镀镀膜机或者溅射镀膜机，将所述电极镀到所述晶片上。优选地，所述步骤C中，采用金锡焊片将所述电极与基座的簧片相焊接。本专利技术还提供一种所述方法制造所得的晶体谐振器，所述谐振器包括晶片和底座；所述晶片的正反两面镀有电极；所述底座包括簧片；所述电极的边缘部分与所述簧片的沟槽相焊接；在所述电极与所述簧片的焊接处，并且在所述簧片远离所述电极的一侧处涂覆有导电胶层。(三)有益效果本专利技术所述晶片与基座的连接方法及采用该方法获得的晶体谐振器，同时采用金锡焊和导电胶对所述晶片和基座进行连接，结构更稳定，能够有效的避免仅使用导电胶带来的风险，有效提高了晶体元器件的长期电性能可靠性。附图说明图1是本专利技术实施例所述晶片与基座的连接方法流程图；图2至图6是本专利技术实施例所述晶片与基座的连接方法工艺过程示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。图1是本专利技术实施例所述晶片与基座的连接方法流程图；图2至图6是本专利技术实施例所述晶片与基座的连接方法工艺过程示意图。参见图1至图6，所述方法包括:步骤A:准备焊片，以及所述晶片100和基座。参见图2,所述晶片100米用石英晶片；所述焊片采用金锡焊片；所述底座采用镀金底座。步骤B:采用镀膜工艺，使用蒸镀镀膜机或者溅射镀膜机将所述电极镀到所述晶片100上。所述步骤B具体包括步骤:步骤B1:清洗所述晶片100。步骤B2:使用蒸镀镀膜机或者溅射镀膜机，在所述晶片100的正反面同时镀上第一镀层201。参见图3，经过所述步骤B2的第一次镀膜后，所述第一镀层201同时镀制在所述晶片100的正反两面。但是，一次镀膜形成的镀层较薄，如果直接进行共晶焊，容易产生溶蚀现象，对所述电极造成破坏。步骤B3:使用蒸镀镀膜机或者溅射镀膜机，在所述第一镀层201的边缘部分的正反面镀上加厚镀层202。参见图4，经过第二次镀膜，在所述第一镀层201的边缘部分形成加厚镀层202，能够有效避免所述溶蚀现象。所述第一镀层201和加厚镀层202共同构成所述电极。步骤C:采用共晶焊工艺将所述电极与基座的簧片300相焊接，形成谐振器。所述步骤C具体包括步骤:步骤Cl:清洗焊片、所述晶片100和簧片300。通过清洗，使焊料和母材的原子能够接近到能够相互吸引结合的距离，即接近到原子引力起作用的距离。步骤C2:将所述晶片100上所述电极的边缘部分伸入所述簧片300的沟槽301中。步骤C3:将所述焊片塞入所述电极与簧片300的缝隙中，左右两侧，每侧的所述电极的正反两面均塞入一个所述焊片，共4个所述焊片。被塞入的所述焊片位于所述沟槽301的中间偏内侧(即靠近所述电极的一侧)位置。所述焊片的长度小于所述沟槽301的长度，宽度稍大于所述簧片300的外径。步骤C4:将所述晶片100与基座整体放入共晶焊炉中进行焊接。所述共晶焊炉的温度应该略高于所述焊片的熔点。参见图5，经过所述步骤C4的焊接过程后，在所述沟槽301的中间偏内侧位置形成焊接层400。步骤D:在所述电极与所述簧片300的连接处补充导电胶。所述步骤D具体包括步骤:步骤Dl:清洗所述谐振器。步骤D2:在所述电极与所述簧片300的连接处，并且在所述簧片300远离所述电极的一侧处涂覆导电胶。步骤D3:将所述谐振器放入隧道炉中进行烤胶。参见图6，经过所述步骤D3后，在所述簧片300远离所述电极的一侧形成导电胶层500。步骤E:将所述谐振器微调至预定频率点。步骤F:将所述谐振器进行压封。经过本专利技术实施例所述方法制造所得的晶体谐振器，参见图6，所述晶体谐振器包括晶片100和底座；所述晶片100的正反两面锻有电极；所述底座包括黃片300 ;所述电极的边缘部分与所述簧片300的沟槽301相焊接；在所述电极与所述簧片300的焊接处，并且在所述簧片300远离所述电极的一侧处涂覆有导电胶层500。本实施例还对采用本专利技术复合工艺方法所得产品，以及采用传统导电胶工艺所得产品进行了对比环境试验，这些对比环境试验包括:随机振动试验、冲击试验、温度冲击试验和老化试验。表I是对比环境试验的总体结果表；表2是复合工艺产品的部分环境试验(随机振动试验、冲击试验和温度冲击试验)具体数据表；表3是传统导电胶工艺产品的部分环境本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片与基座的连接方法，其特征在于，包括步骤：B：采用镀膜工艺将电极镀到晶片上；C：采用共晶焊工艺将所述电极与基座的簧片相焊接，形成谐振器；D：在所述电极与所述簧片的连接处补充导电胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马崇柱，李玉国，林雄辉，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：