【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种硅电容的容值修调方法及硅电容。
技术介绍
1、硅基电容器，简称硅电容，为通过半导体工艺制程完成加工，通过干法刻蚀法与cvd方式制备功能结构和电容极板层。现有技术中，当硅电容的容值出现偏差时，通常通过调整工艺参数或更改光刻版图进行重新流片验证。
2、然而，更改光刻版图或调整工艺参数均需要重新流片投产，增加成本，且无法对现有晶圆上的电容器进行调整。并且，通过调整工艺参数实现容量修调不具有代表性，当电容器外形规格或容量发生变化时，则需要重新进行工艺参数调整，开发时间将会延长，同时由于工艺具有片内、片间一致性差异，整个晶圆上电容器的容值偏差未必完全相符，无法保证工艺调整后电容器容值的均一性。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种硅电容的容值修调方法及硅电容，用以解决现有技术中调整晶圆上的电容器容值的方法工艺开发时间长、且良率不高的缺陷。
2、本专利技术提供一种硅电容的容值修调方法，包括：
3、获取目标晶圆的map数据，其中，所述目标晶圆包括多个硅电容，所述map数据包括每个所述硅电容的容值，所述容值表征所述硅电容的合格或待修调；
4、将所述map数据记录到激光修调设备中，通过所述激光修调设备确定待修调硅电容的容值的修调量；
5、将所述目标晶圆放置于所述激光修调设备中，通过所述激光修调设备根据修调量，对所述待修调硅电容的表面电极的面积和/或极板的面积进行对应的修调；其中，所述待修调硅电容包括表面电极
6、根据本专利技术提供的一种硅电容的容值修调方法，获取目标晶圆的map数据，包括：
7、将目标晶圆通过自动晶圆测试系统完成晶圆级容值测试筛选，根据筛选结果生成所述目标晶圆对应的map数据。
8、根据本专利技术提供的一种硅电容的容值修调方法，所述表面电极包括：主表面电极和多个单位面电极，多个所述单位面电极分别通过电路与所述主表面电极连接；每个单位面电极对应单位电容值；
9、通过所述激光修调设备根据修调量，对所述待修调硅电容的表面电极的面积进行修调，包括：
10、通过所述激光修调设备根据修调量确定对应的电容值大小，并根据所述电容值大小确定对应的单位面电极数量；
11、通过所述激光修调设备的激光器打断对应数量的单位面电极与主表面电极之间的电路，以实现所述待修调硅电容的表面电极的面积进行修调。
12、根据本专利技术提供的一种硅电容的容值修调方法，通过所述激光修调设备根据修调量，对所述待修调硅电容的极板的面积进行修调，包括：通过所述激光修调设备根据修调量确定对应的极板的待修调面积大小，并根据所述待修调面积大小确定所述激光修调设备的激光器的运行速度和运行时间；
13、通过所述激光器根据所述运行速度和运行时间沿所述极板的边缘位置运动，并直接照射所述极板，以实现对所述极板的面积进行修调。
14、根据本专利技术提供的一种硅电容的容值修调方法，所述表面电极包括：主表面电极和多个单位面电极，多个所述单位面电极分别通过电路与所述主表面电极连接；每个单位面电极对应单位电容值；
15、通过所述激光修调设备根据修调量，对所述待修调硅电容的表面电极的面积和极板的面积进行修调，包括：
16、通过所述激光修调设备根据修调量，确定对应的电容值大小和对应的极板的面积大小之和；
17、通过所述激光修调设备根据所述待修调面积大小确定所述激光修调设备的激光器的运行速度和运行时间，通过所述激光器根据所述运行速度和运行时间沿所述极板的边缘位置运动，并直接照射所述极板，以实现对极板的面积进行修调；
18、通过所述激光修调设备根据所述电容值大小确定对应的单位面电极数量，并通过所述激光修调设备的激光器打断对应数量的单位面电极与主表面电极之间的电路，以实现所述待修调硅电容的表面电极的面积进行修调。
19、根据本专利技术提供的一种硅电容的容值修调方法，所述主表面电极和所述极板均为方形结构，所述极板的面积大于所述表面电极的面积，且所述主表面电极位于所述极板的正上方。
20、根据本专利技术提供的一种硅电容的容值修调方法，所述单位面电极位于所述主表面电极的一侧，且多个所述单位面电极呈阵列分布。
21、根据本专利技术提供的一种硅电容的容值修调方法，通过所述激光器根据所述运行速度和运行时间沿所述极板的边缘位置运动，并直接照射所述极板，包括：
22、通过所述激光器根据所述运行速度和运行时间，沿所述极板的四周的边缘位置运动，并直接照射所述极板。
23、根据本专利技术提供的一种硅电容的容值修调方法，通过所述激光修调设备确定待修调硅电容的容值的修调量，包括：
24、通过所述激光修调设备根据待修调硅电容的实测容值以及预先设置的额定容值，确定所述待修调硅电容的容值的修调量。
25、本专利技术还提供一种硅电容，通过如上所述的硅电容的容值修调方法进行修调得到。
26、本专利技术提供的硅电容的容值修调方法，通过将map数据记录到激光修调设备中，通过激光修调设备确定待修调硅电容的容值的修调量；然后将目标晶圆放置于所述激光修调设备中，从而可以实现通过激光修调设备针对性地调整电容极板面积和/或表面电极的面积，实现电容器容值的修调，无需重新流片生产便可以实现硅电容器晶圆级良率的提升，减少工艺开发时间。
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1.一种硅电容的容值修调方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，获取目标晶圆的MAP数据，包括：
3.根据权利要求1所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，所述表面电极包括：主表面电极和多个单位面电极，多个所述单位面电极分别通过电路与所述主表面电极连接；每个单位面电极对应单位电容值；
4.根据权利要求1所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，通过所述激光修调设备根据修调量，对所述待修调硅电容的极板的面积进行修调，包括：
5.根据权利要求1所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，所述表面电极包括：主表面电极和多个单位面电极，多个所述单位面电极分别通过电路与所述主表面电极连接；每个单位面电极对应单位电容值；
6.根据权利要求3或5所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，所述主表面电极和所述极板均为方形结构，所述极板的面积大于所述表面电极的面积，且所述主表面电极位于所述极板的正上方。
7.根据权利要求6所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，
8.根据权利要求
9.根据权利要求1所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，通过所述激光修调设备确定待修调硅电容的容值的修调量，包括：
10.一种硅电容，其特征在于，通过如权利要求1-9任一项所述的硅电容的容值修调方法进行修调得到。
...【技术特征摘要】
1.一种硅电容的容值修调方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，获取目标晶圆的map数据，包括：
3.根据权利要求1所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，所述表面电极包括：主表面电极和多个单位面电极，多个所述单位面电极分别通过电路与所述主表面电极连接；每个单位面电极对应单位电容值；
4.根据权利要求1所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，通过所述激光修调设备根据修调量，对所述待修调硅电容的极板的面积进行修调，包括：
5.根据权利要求1所述的硅电容的容值修调方法，其特征在于，所述表面电极包括：主表面电极和多个单位面电极，多个所述单位面电极分别通过电路与所述主表面电极连接；每个单位面电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：董世杰，褚伟航，张琳琳，张洋，李萍，雷虎成，谭惠文，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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