光器件晶片的加工方法技术

技术编号:8758012 阅读:154 留言:0更新日期:2013-06-06 13:57
本发明专利技术提供光器件晶片的加工方法,破坏光器件晶片的缓冲层,该光器件晶片在外延基板的表面经由缓冲层层叠光器件层,并在表面具有形成了多个光器件的光器件区域和围绕该光器件区域的外周剩余区域,且该光器件晶片是将该光器件层经由接合金属层接合到移设基板而成的,该光器件晶片的加工方法包括:缓冲层破坏步骤,从外延基板侧向缓冲层照射相对于外延基板具有透过性且相对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线,来破坏缓冲层,该缓冲层破坏步骤包括:第一激光光线照射步骤,完全地破坏与光器件区域对应的缓冲层;以及第二激光光线照射步骤,不完全地破坏与外周剩余区域对应的缓冲层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光器件晶片的加工方法,破坏光器件晶片的缓冲层,该光器件晶片在外延基板的表面经由缓冲层层叠光器件层,并在表面具有形成了多个光器件的光器件区域和围绕该光器件区域的外周剩余区域,且该光器件晶片是将该光器件层经由接合金属层接合到移设基板而成的,该光器件晶片的加工方法的特征在于包括:晶片保持步骤,在激光加工装置的卡盘台上保持与光器件晶片接合的移设基板侧;以及缓冲层破坏步骤,从外延基板侧向缓冲层照射脉冲激光光线来破坏缓冲层,其中,该脉冲激光光线的波长相对于外延基板具有透过性且相对于缓冲层具有吸收性,该缓冲层破坏步骤包括:第一激光光线照射步骤,完全地破坏与光器件区域对应的缓冲层;以及第二激光光线照射步骤,不完全地破坏与外周剩余区域对应的缓冲层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:森数洋司
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:

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