基于存储条的非易失性多级存储器操作制造技术

基于存储条的非易失性多级存储器操作可包括写入数个下存储条，其包括将信息的数个下页编程于数个下存储条中的每一者中。可写入上存储条，其包括将所述信息的数个上页编程于所述上存储条中。数个上页中的每一者可对应于数个下页中的相应一者。可将对应于数个上页的数个下页中的相应各者中的每一者编程于数个下存储条中的一不同下存储条中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体来说涉及半导体存储器装置、方法及系统，且更具体来说涉及基于存储条(stripe)的非易失性多级存储器操作。
技术介绍
通常将存储器装置提供作为计算机或其它电子装置中的内部电路、半导体电路、集成电路。存在许多不同类型的存储器，包括易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力以保持其信息且包括随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等存储器。非易失性存储器可在未被供电时通过保持所存储的信息来提供持久信息且可包括NAND闪存、NOR闪存、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)，例如自旋扭矩转移随机存取存储器(STT RAM)等存储器。可将存储器装置组合在一起以形成固态驱动器(SSD)。固态驱动器可包括非易失性存储器(例如，NAND闪存及NOR闪存)，及/或可包括易失性存储器(例如，DRAM及SRAM)，还有各种其它类型的非易失性存储器及易失性存储器。可将闪存装置(包括使用将信息存储于氮化物层中的电荷收集件中的半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体及金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体电容器结构的浮动栅极快闪装置及电荷收集快闪(CTF)装置)用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。闪存装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管存储器单元。可使用SSD以代替硬磁盘驱动器作为计算机的主要存储装置，因为固态驱动器就性能、大小、重量、耐用性、操作温度范围及电力消耗来说可具有胜于硬盘驱动器的优点。举例来说，SSD在与磁盘驱动器比较时可归因于其缺乏活动部分而具有优良的性能，此可避免搜寻时间、等待时间及与磁盘驱动器相关联的其它机电延迟。SSD制造商可使用非易失性闪存来生产快闪SSD，所述快闪SSD可不使用内部电池电源，因此允许驱动器更具多功能性且更紧凑。SSD可包括数个存储器装置(例如，数个存储器芯片)(如本文中所使用，“数个”某物可指代这些物品中的一者或一者以上，例如，数个存储器装置可指代一个或一个以上存储器装置)。如一般所属领域的技术人员将了解，存储器芯片可包括数个裸片及/或逻辑单元(LUN)。每一裸片可包括位于其上的数个存储器阵列及外围电路。所述存储器阵列可包括被组织为数个物理页的数个存储器单元，且所述物理页可被组织为数个块。独立冗余磁盘阵列(RAID)为用于在多个存储器装置间划分及/或复制信息的计算机信息存储方案的涵盖性术语。RAID阵列中的多个存储器装置可向用户及计算机的操作系统呈现为单存储器装置(例如，磁盘)。历史上，通过多个硬磁盘驱动器(HDD)来操作一RAID。
技术实现思路
附图说明图1为根据本专利技术的一个或一个以上实施例的包括至少一个存储器系统的计算系统的功能性框图。图2说明根据本专利技术的一个或一个以上实施例的存储器装置的一部分的图式。图3说明根据本专利技术的一个或一个以上实施例的在存储条的基础上操作的存储容量的框图。图4说明根据本专利技术的一个或一个以上实施例的针对擦除状态及数个下页、上页及暂存页数据状态的与实例2位存储器单元相关联的阈值电压分布的图式。图5A说明根据本专利技术的一个或一个以上实施例的表，其跨越具有数个下存储条及上存储条的数个沟道使下页编程与上页编程相关。图5B说明根据本专利技术的一个或一个以上实施例的表，其跨越具有数个下存储条及上存储条的数个沟道使下页编程与上页编程相关。图5C说明根据本专利技术的一个或一个以上实施例的表，其跨越具有数个下暂存存储条、上暂存存储条、下存储条及上存储条的数个沟道使下页编程与上页编程相关。具体实施例方式本专利技术包括用于非易失性多级基于存储条的存储器操作的方法及装置。一个方法实施例包括写入数个下存储条，其包括将信息的数个下页编程于数个下存储条中的每一者中。可写入一上存储条，其包括将信息的数个上页编程于所述上存储条中。数个上页中的每一者可对应于数个下页中的相应一者。可将对应于数个上页的数个下页中的相应各者中的每一者编程于数个下存储条中的一不同下存储条中。在本专利技术的以下详细描述中，参看随附图式，所述随附图式形成本专利技术的一部分且在其中以说明的方式展示可如何实践本专利技术的一个或一个以上实施例。足够详细地描述了这些实施例以使得一般所属领域的技术人员能够实践本专利技术的实施例，且将理解，可利用其它实施例且可在不背离本专利技术的范畴的情况下做出过程、电及/或结构改变。如本文中所使用，尤其关于图式中的参考数字的指定符“N”、“M”、“P”、“R”及“S”指示本专利技术的一个或一个以上实施例可包括如此指定的数个特定特征。本文中的诸图遵循一编号惯例，其中第一数字对应于图号且剩余数字识别图式中的元件或组件。可通过使用类似的数字来识别不同图之间的类似元件或组件。举例来说，108可参考图1中的元件“08”，且类似元件在图2中可参考为208。如将了解，可添加、交换及/或消除在本文中的各种实施例中所示的元件以便提供本专利技术的数个额外实施例。另夕卜，如将了解，诸图中所提供的元件的比例及相对规模意图说明本专利技术的实施例，且不应以限制性意义来理解。图1为根据本专利技术的一个或一个以上实施例的计算系统100的功能性框图，所述计算系统100包括至少一个存储器系统104。在图1中所说明的实施例中，存储器系统104(例如，固态驱动器(SSD))可包括主机接口 106、存储器控制器108(例如，存储器控制电路及/或存储器控制固件)及一个或一个以上存储器装置110-1.....110-N(例如，包括非易失性多级存储器单元的固态存储器装置)。存储器装置110-1.....1lO-N可提供用于存储器系统的存储容量(例如，通过经格式化成存储器装置的文件系统)。在一个或一个以上实施例中，存储器控制器108可为一耦合到包括物理主机接口 106及存储器装置110-1、...、110-N的印刷电路板的专用集成电路(ASIC)。如图1中所说明，存储器控制器108可通过多个沟道而耦合到主机接口 106及存储器装置110-1.....110-N。如将由所属领域的技术人员所了解，除其它存储器操作外，存储器控制器108还可经配置以执行本文中所描述的操作。主机接口 106可用以在存储器系统104与另一装置(例如主机系统102)之间传达信息。主机系统102可包括存储器存取装置(例如，处理器)。一般所属领域的技术人员将了解，“处理器”可意图用作一个或一个以上处理器，例如并行处理系统、数个协处理器等。主机系统的实例包括膝上型计算机、个人计算机、数字相机、数字记录及回放装置、移动电话、PDA、存储卡读取器、接口集线器及其类似者。对于一个或一个以上实施例来说，主机接口 106可呈标准化接口的形式。举例来说，当存储器系统104用于计算系统100中的信息存储时，物理主机接口 106可为串行高级技术附接(SATA)、高速外围组件互连(PCIe)或通用串行总线(USB)，还有其它连接器及接口。然而，一般来说，主机接口 106可提供用于在存储器系统104与具有用于主机接口 106的兼容接收器的主机系统102之间传递控制、地址、信息及其它信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文·R·布兰特，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：