晶片加工方法技术

本发明专利技术提供一种晶片加工方法，在不使晶片破损的前提下比以往时间短且廉价地将晶片薄化至预定厚度。其为将在外周具有倒角部的晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法，其特征在于具备：层叠晶片形成步骤，将晶片的表面贴附于支承基板上以形成层叠晶片；倒角部除去步骤，将切削刀具定位于所述晶片的表面侧的外周侧面，并从在所述层叠晶片形成步骤形成的层叠晶片的外周侧向中心切入，将从所述晶片的表面至所述预定厚度的倒角部除去，所述切削刀具具有与所述层叠晶片的层叠方向平行的旋转轴线；以及薄化步骤，在所述倒角部除去步骤实施后，对所述层叠晶片的所述晶片的背面侧进行磨削以将晶片薄化至预定厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及将形成于晶片的外周部的倒角部除去以使晶片薄化至预定厚度的。
技术介绍
半导体晶片在表面形成大量的IC (Integrated Circuit,集成电路)、LSI (LargeScale Integration,大规模集成电路)等器件,且ー个一个的器件由分割预定线(间隔道)划分开，在将所述半导体晶片通过磨削装置对背面进行磨削而加工至预定的厚度后，通过切削装置(切割装置)对分割预定线进行切削来分割出一个ー个的器件，分割成的器件被广泛应用于手机、个人电脑等各种电子产品中。对晶片背面进行磨削的磨削装置具备:卡盘工作台，其用于保持晶片；及磨削单元，其以能够旋转的方式装配有磨削轮，所述磨削轮具有磨削磨具，所述磨削磨具用于对保持在卡盘工作台上的晶片进行磨削，该磨削装置能够将晶片高精度地磨削至预定的厚度。在晶片的磨削时，为了保护在表面形成的器件而在晶片的表面贴附表面保护带，之后利用磨削装置对晶片的背面进行磨削。不过，若通过磨削将晶片的厚度薄化至例如数十Pm左右吋，由于表面保护带的刚性无法对晶片平稳地保持，会整体地发生挠曲而成为不稳定状态，因而存在对磨削及后续的晶片处理产生阻碍的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片加工方法，所述晶片加工方法为将在外周具有倒角部的晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法，其特征在于，所述晶片加工方法具备：层叠晶片形成步骤，在该层叠晶片形成步骤中，将晶片的表面贴附于支承基板上以形成层叠晶片；倒角部除去步骤，在该倒角部除去步骤中，将切削刀具定位于所述晶片的表面侧的外周侧面，并从在所述层叠晶片形成步骤形成的层叠晶片的外周侧向中心切入，将从所述晶片的表面至所述预定厚度的倒角部除去，所述切削刀具具有与所述层叠晶片的层叠方向平行的旋转轴线；以及薄化步骤，在该薄化步骤中，在所述倒角部除去步骤实施后，对所述层叠晶片的所述晶片的背面侧进行磨削以将晶片薄化至预定厚度。

【技术特征摘要】
2011.11.08 JP 2011-2443211.一种晶片加工方法，所述晶片加工方法为将在外周具有倒角部的晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法，其特征在于， 所述晶片加工方法具备: 层叠晶片形成步骤，在该层叠晶片形成步骤中，将晶片的表面贴附于支承基板上以形成层置晶片； 倒角部除去步骤，在该倒角部除去步骤中，将切削刀具定位于所述晶片的表面侧的外周侧面，并从在所述层叠晶片形成步骤形成的层叠晶片的外周侧向中心切入，将从所述晶片的表面至所述预定厚度的倒角部除去，所述切削刀具具有与所述层叠晶片的层叠方向平行的旋...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·普利瓦西尔，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：