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本发明提供一种晶片加工方法，在不使晶片破损的前提下比以往时间短且廉价地将晶片薄化至预定厚度。其为将在外周具有倒角部的晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法，其特征在于具备：层叠晶片形成步骤，将晶片的表面贴附于支承基板上以形成层叠晶片；倒角部除去步...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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