附带贯通电极的基板及其制造方法技术

附带贯通电极的基板的制造方法包括：在硅基板（51）及玻璃基板（54）中的任一方的基板上形成凹部（21）或贯通孔（21B）的工序；在另一方的基板上形成凸部（52）的工序；以达到凸部（52）插入到凹部（21）或贯通孔（21B）的状态的方式，使硅基板（51）和玻璃基板（54）重合的工序；以及将硅基板（51）和玻璃基板（54）接合的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及
技术介绍
以往，作为制造附带贯通电极的基板的方法，例如已知有专利文献I所记载的技术。在该专利文献I中，记载有由玻璃材料构成的平面基板(附带贯通电极的基板)的制造方法。具体而言，由玻璃材料构成的平面基板如下述地制造。首先，在平坦的硅基板的表面形成凹坑，将硅基板的形成有凹坑的面重合在平坦的玻璃基板上。然后，对玻璃基板加热，由此将玻璃基板的一部分埋入到该凹坑中。之后，使玻璃基板再固化，对平面基板的表面和背面进行研磨，除去硅。现有技术文献(专利文献)专利文献1:日本专利第4480939号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在上述现有技术中，由于对玻璃基板加热来使之熔融从而将玻璃基板的一部分埋入到该凹坑中，因此有可能热应力起作用从而对器件特性带来影响。因此，本专利技术的目的在于，获得能够极力抑制对器件特性带来的影响的。用于解决课题的手段本专利技术的附带贯通电极的基板的制造方法的特征在于，包括:在硅基板及玻璃基板中的任一方的基板上形成凹部或贯通孔的工序；在另一方的基板上形成凸部的工序；以达到所述凸部插入到所述凹部或贯通孔的状态的方式使所述硅基板和所述玻璃基板重合的工序；以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.01.27 JP 2011-0158141.一种附带贯通电极的基板的制造方法，其特征在于，包括: 在硅基板及玻璃基板中的任一方的基板上形成凹部或贯通孔的工序； 在另一方的基板上形成凸部的工序； 以达到所述凸部插入到所述凹部或贯通孔的状态的方式，使所述硅基板和所述玻璃基板重合的工序；以及 将所述硅基板和所述玻璃基板接合的工序。2.如权利要求1所述的附带贯通电极的基板的制造方法，其特征在于， 还包括:在接合有所述硅基板和所述玻璃基板的接...

【专利技术属性】
技术研发人员：穗积润一，田浦巧，奥村真，中谷友洋，友井田亮，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：