发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术主要提供一种发光装置，其是将一发光芯片直接粘着于一电路载体上，并使上述发光芯片的出光面直接面对一受光装置，例如导光板。除了上述出光面之外，上述发光芯片的其他表面均为一反射层所覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于发光装置，特别关于发光芯片的发光装置。
技术介绍
已封装的发光二极管(light-emitting diode, LED)约有半数应用于行动电话相关领域，其中又以行动电话显示装置中的背光单元(backlight unit, BLU)为主。为了使背光单元更轻更薄，除了使用侧发光型式封装(side-view package, SVP)技术之外，并不断地将其封装厚度薄型化。在有些侧发光型式封装体的结构中，是将发光二极管的芯片封于由透明树脂的材质所构成的碗状或杯状结构(碗杯结构)的底部，而朝碗口或杯口的方向出光。使用这种结构的封装体，在不断地将其薄型化的过程中，会产生一些问题，例如树脂碗杯厚度的减少造成漏光、杯口太小难以执行点胶的步骤、碗杯角度无法最佳化而发生侧光损失等等，造成出光效率的损失。如何可以保有薄型化的需求又能提升出光效率已成为侧发光型式封装的发展重点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的是提供一种发光装置，可以更有效地利用从发光二极管等的发光芯片所发出的光线，提高到达导光板等收光装置的光线的量。为达成上述目的，本专利技术提供一种发光装置，包含电路载体；以及发光芯片，具有多个表面，位于电路载体上，其中发光芯片包含基板；第一导电型半导体层，位于上述基板上；活性层(active lay`er)，位于上述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，位于上述活性层上；第一内电极，电性连接上述第一导电型半导体层；以及第二内电极，电性连接上述第二导电型半导体层；第一反射层覆盖上述多个表面并且仅暴露上述多个表面的任一表面作为出光面；及第一外电极与第二外电极位于反射层上，分别与第一内电极、第二内电极、以及电路载体产生电性连接。本专利技术又提供一种发光装置，包含电路载体；以及发光芯片，具有第一电极与第二电极于其上表面上，并经由上述第一电极与上述第二电极而电性连接于上述电路载体；透明基板；第一导电型半导体层，位于上述透明基板上；活性层(active layer)，位于上述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，位于上述活性层上；反射层，不完全覆盖上述发光芯片的表面，而留下未覆盖的出光面。附图说明图1A为一侧视图，显示本专利技术第一实施例的发光装置及其与一受光装置的相对位置关系；图1B则显示图1A所示本专利技术第一实施例的发光装置在另一方向A的侧视图；图2A为一剖面图，显示本专利技术第一实施例的发光装置中的发光芯片的一例；图2B则显示朝向图2A所示本专利技术第一实施例的发光装置中的发光芯片的上表面俯视的俯视图；图3为一剖面图，显示本专利技术第一实施例的发光装置中的发光芯片的一变化例；图4为一剖面图，显示本专利技术第一实施例的发光装置中的发光芯片的另一变化例；图5为一剖面图，显示本专利技术第一实施例的发光装置中的发光芯片的又另一变化例；图6为一侧视图，显示本专利技术第二实施例的发光装置及其与一受光装置的相对位置关系；图7为一剖面图，显示本专利技术第二实施例的发光装置中的发光芯片的一例。主要元件符号说明f发光芯片HT下表面ISf侧表面1S2 侧表面1S3 侧表面 1S4 侧表面I旷上表面2 发光芯片2D 下表面2S1 侧表面2S2 侧表面2U 上表面1(T引刷电路板I f软焊料球状物12软焊料球状物2(T电路载体2广软焊料球状物22 软焊料球状物80^导光板90 导光板100 基板110 荧光层120 第一导电型半导体层 130 活性层14(T第二导电型半导体层 15广第一内电极152 第二内电极160 第一反射层161 介电膜162 金属反射层163 介电膜17(T第二反射层171 介电膜172 金属反射层173 介电膜18(T第二反射层19广第一线路层192 第二线路层195 第一外电极196 第二外电极200 基板210 波长转换层220 第一导电型半导体层 230 活性层240 第二导电型半导体层 251 第一内电极252 第二内电极260 第一反射层27(T第二反射层270’ 第二反射层具体实施例方式为让本专利技术的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下首先，请参考图1A与图1B，其中图1A为本专利技术第一实施例的发光装置及其与一受光装置的相对位置关系的侧视图，图1B则显示图1A所示本专利技术第一实施例的发光装置在另一方向A的侧视图。在图1A与图1B中，本专利技术第一实施例的发光装置包含一电路载体10与一发光芯片I，于本实施例中，电路载体是一印刷电路板(printed circuitboard, PCB)。发光芯片I具有一第一外电极195与一第二外电极196于其同一侧的侧表面1S4上的一第一反射层160(请参考图2A、2B)上，并经由第一外电极195与第二外电极196而电性连接于电路载体10。在本实施例中，发光芯片I是以一既定的发光面面向一受光装置例如为一导光板80的侧表面，使发光芯片I所发出的光线传递至导光板80。在本实施例中，是以一软焊料球状物(solder ball) 11电性连接电路载体10与第一外电极195，且以一软焊料球状物12电性连接电路载体10与第二外电极196，藉此可使用电路载体10上的一些控制元件(未绘示)，来控制是否使发光芯片I发光或调整其亮度等性质；而在其他实施例中，亦可以用其他适当的技术来达成第一外电极195、第二外电极196与电路载体10之间的电性连接，例如焊线连接(wirebonding)技术、卷带式自动接合(tape automatic bonding ；TAB)技术、或是其他适当的接合技术。图1B显示三个发光芯片I与电路载体10电性连接，而对导光板80提供光线。然而对本专利技术所属
中具有通常知识者而言，可依其需求任意调整发光芯片I的数量、种类、排列方式等等。接下来，请参考图2A与图2B，其中图2A为本专利技术第一实施例的发光装置中的发光芯片的一例的剖面示意图，图 2B则显示图2A所示本专利技术第一实施例的发光装置中发光芯片的上表面俯视示意图。在图2A与2B中，发光芯片I还具有一基板100、一第一导电型半导体层120、一活性层(active layer) 130、一第二导电型半导体层140、一第一内电极151、与一第二内电极152。第一导电型半导体层120位于基板100上；活性层130位于第一导电型半导体层120上；第二导电型半导体层140位于活性层130上。在本实施例中，上述“第一导电型”为n型，而上述“第二导电型”为p型；而在另一实施例中，上述“第一导电型”为p型，而上述“第二导电型”为n型。依据所需发出的光线的波长等的需求，可以选择不同的材料组合来作为第一导电型半导体层120、活性层130、与第二导电型半导体层140,其材质可以选自包含铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、氮(N)、磷⑵或砷(As)等元素的半导体材料，诸如氮化铝铟镓(AlGaInN)系列材料、磷化铝镓铟(AlGaInP)系列材料或砷化铝镓(AlGaAs)系列材料等。同样在图2A与图2B中，第一内电极151电性连接第一导电型半导体层120，第二内电极152电性连接第二导电型半导体层140，并曝露发光芯片I的上表面1U。另外，发光芯片I具有一上表面1U、一下表面1D，与四个侧表面1S1、1S2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包含：半导体层，具有多个侧表面；内电极，电性连接该半导体层；反射层，位于该多个侧表面上，并与该内电极电绝缘；及外电极，位于该反射层上，并与该内电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包含半导体层，具有多个侧表面；内电极，电性连接该半导体层；反射层，位于该多个侧表面上，并与该内电极电绝缘 '及外电极，位于该反射层上，并与该内电极电连接。2.如权利要求1 所述的发光装置，还包含线路层用以电性连接该内电极与该外电极。3.如权利要求1 所述的发光装置，还包含基板，位于该半导体层之下。4.如权利要求3 所述的发光装置，还包含黏结层，位于该基板及该半导体层之间。5.如权利要求3 所...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：