【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及。
技术介绍
LED (Lighting Emitting Diode,发光二极管)通过芯片发光。LED的芯片采用半导体发光材料制成，包括外延片、刻蚀在外延片上的电极和钝化层。LED的芯片封装后，封装材料覆盖在芯片的外表面上。由于半导体发光材料的折射率与封装材料(如环氧树脂)的折射率接近，因此，只有小部分的发射光被折射出去，影响LED的芯片的发光效果。针对此，现有技术提供了一种解决方法在外延片的底面制作一层反射层，该反射层将射向外延片的底面的出射光反射到别的方向，例如外延片的顶面。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题由于半导体发光材料的折射率偏低，临界全反射角比较小；使得反射层反射至外延片的顶面的光大部分又被反射回芯片内部，并被吸收转化为热能，不能有效的提升芯片的光提取效率。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了一种LED的芯片及该芯片的制备方法。所述技术方案如下—种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底层、依次覆盖在所述衬底层上的N型层、发光层、P型层和透明导 电层、以及分别在所述N...
【技术保护点】
一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底层、依次覆盖在所述衬底层上的N型层、发光层、P型层和透明导电层、以及分别在所述N型层和所述P型层上引出的N电极和P电极，其特征在于，所述芯片还包括覆盖在所述衬底层的底面和/或所述透明导电层的上表面的透明介质层，覆盖在所述衬底层的底面的所述透明介质层的折射率高于所述衬底层的折射率，覆盖在所述透明导电层的上表面的所述透明介质层的折射率高于所述透明导电层的折射率；所述覆盖在所述衬底层的底面的所述透明介质层包括若干从所述衬底层的底面延伸出的凸起，所述覆盖在所述透明导电层的上表面的透明介质层包括若干从所述透明导电层的上表面延伸出的凸起。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底层、依次覆盖在所述衬底层上的N型层、发光层、P型层和透明导电层、以及分别在所述N型层和所述P型层上引出的N电极和P电极，其特征在于， 所述芯片还包括覆盖在所述衬底层的底面和/或所述透明导电层的上表面的透明介质层，覆盖在所述衬底层的底面的所述透明介质层的折射率高于所述衬底层的折射率，覆盖在所述透明导电层的上表面的所述透明介质层的折射率高于所述透明导电层的折射率；所述覆盖在所述衬底层的底面的所述透明介质层包括若干从所述衬底层的底面延伸出的凸起，所述覆盖在所述透明导电层的上表面的透明介质层包括若干从所述透明导电层的上表面延伸出的凸起。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，每一个所述凸起的高度为O.5^3 μ m,每一个所述凸起的外接圆的直径为O. 5飞μπι，相邻所述凸起之间的间距为O. 5^10 μ m03.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，每一个所述凸起的侧壁与所述衬底层的底面或所述透明导电层的上表面之间形成的锐角为3(Γ70度。4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明介质层上设有反射层。5.一种发光二极管的芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括 步骤1、提供衬底层，并依次在所述衬底层上生长N型层、发光层、P型层和透明导电层； 步骤2、制备晶圆； 步骤3、对所述晶圆进行裂片操作，得到芯片； 其中，所述制备晶圆，包括 分别在所述N型层和所述P型层上设置N电极和P电极，并在所述透明导电层上沉积钝化层，在所述衬底层的底面形成由折射率高于所述衬底层的透明介质制成的透明介质层，得到晶圆；或者 在所述透明导电层的上表面形成由折射率高于所述透明导电层的透明介质制成的透明介质层，分别在所述N型层和所述P型层上设置N电极和P电极，并在所述透明介质层上沉积钝化层，得到晶圆；或者 在所述透明导电层的上表面形成由折射率高于所述透明导电层的透明介质制成的透明介质层，分别在所述N型层和所述P型层上设置N电极和P电极，并在所述透明介质层上沉积钝化层，在所述衬底层的底面形成由折射率高于所述衬底层的透明介质制成的透明介质层，得到晶圆； 其中，覆盖在所述衬底层的底面的所述透明介质层包括若干从所述衬底层的底面延伸出的凸起，覆盖在所述透明导电层的上表面的透明介质层包括若干从所述透明导电层的上表面延伸出的凸起。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底层的底面形成由折射率高于所述衬底层的透明介质制成的透明介质层，包括 在所述钝化层表面形成保护层； 在所述衬底层的底面蒸发一层折射率高于所述衬底层的透明介质层； 采用...
【专利技术属性】
技术研发人员：张威，徐瑾，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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