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本发明公开了一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法，属于半导体领域。芯片：衬底层、N型层、发光层、P型层和透明导电层、以及分别在N型层和P型层上引出的N电极和P电极，芯片还包括覆盖在衬底层的底面和/或透明导电层的上表面的透明介质层；覆盖在衬...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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