形成具有扩展基底的导电柱的半导体器件和方法技术

本发明专利技术涉及形成具有扩展基底的导电柱的半导体器件和方法。半导体器件具有第一半导体管芯和在第一半导体管芯中的导电通孔。可以通过使通孔部分地延伸通过第一半导体管芯的第一表面来形成导电通孔。去除第一半导体管芯的第二表面的一部分以暴露导电通孔。多个导电柱形成在第一半导体管芯的第一表面上。导电柱包括电连接到导电通孔的扩展基底。导电柱的扩展基底的宽度大于导电柱的本体的宽度。导电层形成在第一半导体管芯的第二表面上。将导电层电连接到导电通孔。将第二半导体管芯安装到第一半导体管芯，其中第二导电柱具有扩展基底。

【技术实现步骤摘要】
要求国内优先权本申请要求于2011年10月17日提交的临时申请No. 61/548，120的利益，通过引用将其结合到本文中。
本专利技术总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及形成具有扩展基底(base)的导电柱(pillar)的半导体器件和方法。
技术介绍
通常在现代电子产品中见到半导体器件。半导体器件在电部件的数目和密度方面不同。分立的半导体器件一般包含一种电部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)。集成半导体器件典型地包含数百个到数百万个电部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CXD )、太阳能电池以及数字微镜器件(DMD )。半导体器件执行各种功能，诸如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光转变为电力以及创建用于电视显示的视觉投影。在娱乐、通信、功率变换、网络、计算机以及消费产品的领域中见到半导体器件。还在军事应用、航空、汽车、工业控制器以及办公设备中见到半导体器件。半导体器件利用半导体材料的电特性。半导体材料的原子结构允许通过施加电场或基电流(b本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体晶片；形成延伸到半导体晶片中的多个导电通孔；在半导体晶片的第一表面上形成多个导电柱，所述导电柱包括电连接到所述导电通孔的扩展基底；以及在与半导体晶片的第一表面相对的半导体晶片的第二表面上形成导电层，将导电层电连接到导电通孔。

【技术特征摘要】
2011.10.17 US 61/548,120;2012.05.10 US 13/468,9811.一种制作半导体器件的方法，包括 提供半导体晶片； 形成延伸到半导体晶片中的多个导电通孔； 在半导体晶片的第一表面上形成多个导电柱，所述导电柱包括电连接到所述导电通孔的扩展基底；以及 在与半导体晶片的第一表面相对的半导体晶片的第二表面上形成导电层，将导电层电连接到导电通孔。2.权利要求1的方法，其中导电柱的扩展基底的宽度大于导电柱的本体的宽度。3.权利要求1的方法，还包括在导电柱上形成可熔的帽。4.权利要求1的方法，其中形成导电柱包括 在半导体晶片上形成光致抗蚀剂层； 在光致抗蚀剂层中形成开口，所述开口包括紧邻半导体晶片的第一表面的扩展宽度；以及 在开口中沉积导电材料。5.权利要求1的方法，其中形成导电通孔包括 形成部分延伸到半导体晶片中的导电通孔；以及 去除半导体晶片的第二表面的一部分以暴露导电通孔。6.一种制作半导体器件的方法，包括 提供半导体管芯； 形成延伸到半导体管芯中的导电通孔；以及 在半...

【专利技术属性】
技术研发人员：D沙里夫，任广麟，谢丽仪，萧永宽，
申请(专利权)人：新科金朋有限公司，
类型：发明
国别省市：