基底结构制造技术

公开了一种基底结构，所述基底结构可以包括：基础基底；多个单元基底区域，按一行或更多行和一列或更多列布置在基础基底上且彼此隔开；虚设基底区域，位于单元基底区域之间。在行方向或列方向上，单元基底区域之中的两个相邻的第一单元基底区域的中心点之间的第一间距和单元基底区域之中的两个相邻的第二单元基底区域的中心点之间的第二间距彼此不同。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年7月10日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0098409号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种基底结构，更具体地，涉及一种在诸如半导体封装件或半导体芯片的电子组件的制造中使用的基底结构。
技术介绍
诸如印刷电路板(PCB)或晶片的基底结构可以通过将其划分成多个单元基底区域来使用。半导体芯片安装在PCB的每个单元基底区域中，可以对其执行诸如引线键合工艺、成型工艺和焊料附着工艺的各种工艺来制造半导体封装件。关于晶片，可以对晶片上的单元基底区域上执行晶体管形成工艺、电容器形成工艺和布线工艺等来制造半导体芯片。当在基底结构上制造半导体封装件或半导体芯片时，由于半导体封装件或半导体芯片的各自元件之间的热膨胀系数(CET)的不同而会造成基底结构的翘曲(其指基底结构的弯曲)。
技术实现思路
本公开提供一种能够减少翘曲且包括多个单元基底区域的基底结构。本公开还提供了一种制造包括单元基底区域的半导体器件的方法。根据示例实施例，提供了一种基底结构，其包括：基础基底；多个单元基底区域，按一行或更多行和一列或更多列布置在基础基底上且彼此隔开；虚设基底区域，在单元基底区域之间，其中，在行方向或列方向上，单元基底区域之中的两个相邻的第一单元基底区域的中心点之间的第一间距和单元基底区域之中的两个相邻的第二单元基底区域的中心点之间的第二间距彼此不同。单元基底区域在行方向和列方向中的至少一个方向上对齐，由单元基底区域形成的多个带在行方向和列方向的至少一个方向上彼此隔开，其中，单元基底区域的中心点之间的间距根据带而不同。所述多个带中的单元基底区域的中心点之间的间距可以具有第一间距和比第一间距大的第二间距，第一间距可以在至少第一带中重复，第二间距可以在至少第二带中重复。在带中的至少一个中，单元基底区域的中心点之间的间距可以在行方向和列方向中的至少一个方向上不同。在带中的至少一个中，基础基底的边缘部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距可以比基础基底的中心部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距大。在带中的至少一个中，单元基底区域的中心点之间的间距可以从基础基底的中心部分到边缘部分顺序地增大。在带中的至少一个中，单元基底区域的中心点之间的间距可以从基础基底的中心线到边缘线增大。单元基底区域可以在行方向和列方向中的至少一个方向上对齐，由单元基底区域形成的多个带可以在行方向和列方向中的至少一个方向上彼此隔开，其中，基础基底的边缘部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距比基础基底的中心部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距小。在带中的至少一个中，单元基底区域的中心点之间的间距可以从基础基底的中心部分到边缘部分顺序地减小。在带中的至少一个中，单元基底区域的中心点之间的间距可以从基础基底的中心线到边缘线减小。基础基底可以是印刷电路板、晶片或引线框架。多个槽可以在行方向和列方向中的至少一个方向上形成在虚设基底区域中。槽的宽度可以在行方向和列方向的至少一个方向上彼此不同。基础基底可以是印刷电路板(PCB)，单元基底区域可以均包括其上安装有芯片的芯片安装区域，虚设基底区域可以均包括用于形成单独半导体器件的切割区域。根据示例实施例，提供了基底结构，该基底结构包括：基础基底；多个单元基底区域，按一行或更多行和一列或更多列布置在基础基底上且彼此隔开；虚设基底区域，在单元基底区域之间，其中，由单元基底区域形成的多个带在行方向和列方向中的至少一个方向上彼此隔开，其中，在行方向或列方向上，单元基底区域之中的两个相邻的第一单元基底区域之间的第一距离和单元基底区域之中的两个相邻的第二单元基底区域之间的第二距离彼此不同。多个带组中的单元基底区域的中心点之间的间距可以具有第一间距和比第一间距大的第二间距，第一间距可以在包括至少两个带的至少第一带组中重复，第二间距可以在包括至少两个带的至少第二带组中重复。在带组中的至少一个中，基础基底的边缘部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距可以比基础基底的中心部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距大。在带组中的至少一个中，单元基底区域的中心点之间的间距可以从基础基底的中心线到边缘线增大。在带组中的至少一个中，基础基底的边缘部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距可以比基础基底的中心部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距小。在带组中的至少一个中，单元基底区域的中心点之间的间距可以从基础基底的中心部分到边缘部分顺序地减小。根据示例实施例，提供了基底结构，该基底结构包括：基础基底；多个单元基底区域，按行方向和列方向中的至少一个方向上置在基础基底上且彼此隔开；虚设基底区域，在单元基底区域之间，其中，单元基底区域分组为位于基础基底的一部分中的单元基底区域组中的至少一个，包括在单元基底区域组中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距与未包括在单元基底区域组中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距不同。单元基底区域组可以在行方向和列方向中的至少一个方向上彼此隔开。单元基底区域的中心点之间的间距可以根据单元基底区域组而不同。单元基底区域组可以在基础基底的中心部分中。单元基底区域组可以位于基础基底的角处。单元基底区域可以布置在沿行方向和列方向中的至少一个方向对齐的多个带中，单元基底区域组可以设置在所述多个带中的任何一个的一部分中。单元基底区域可以布置在沿行方向和列方向中的至少一个方向对齐的多个带中，单元基底区域组可以设置在所述多个带中的至少一个中。单元基底区域组可以设置在所述多个带中，单元基底区域的中心点之间的间距可以根据在所述多个带中的单元基底区域组而不同。根据示例实施例，提供了基底结构，该基底结构包括：基础基底；多个带，在基础基底上沿行方向和列方向中的至少一个方向对齐且彼此隔开，其中，所述多个带均包括第一部分和第二部分以及在基础基底上彼此隔开的多个单元基底区域，其中，第一部分的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的第一间距和第二部分的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的第二间距彼此不同。在带中的至少一个中，基础基底的边缘部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距可以比基础基底的中心部分中的两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距大。在带中的至少一个中，单元基底区域的中心点之间的间距可以从基础基底的中心部分到边缘部分顺序地增大。在带中的至少一个中，基础基底的边缘部分中两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距可以比基础基底的中心部分中两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距小。在带中的至少一个中，单元基底区域的中心点之间的间距可以从基础基底的中心部分到边缘部分顺序地减小。虚设基底区域可以设置在带之间。单元基底区域可以均包括其上安装有芯片的芯片安装区域，虚设基底区域可以包括用于形成单独半导体器件的切割区域。根据示例实施例，提供了制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有以行和列的阵列形成的多个芯片安装区域的基础基底；在相应的多个芯片安装区域上安装多个半导体芯片，使得在第一方向上相邻的两个第一半导体芯片在第一方向上隔开第一距离，并且在第一方向上相邻的两个第二半导体芯片在第一方向上隔开比第一距离大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基底结构，所述基底结构包括：基础基底；多个单元基底区域，按一行或更多行和一列或更多列布置在基础基底上且彼此隔开；以及虚设基底区域，位于单元基底区域之间，其中，在行方向或列方向上，单元基底区域之中的两个相邻的第一单元基底区域的中心点之间的第一间距和单元基底区域之中的两个相邻的第二单元基底区域的中心点之间的第二间距彼此不同。

【技术特征摘要】
2015.07.10 KR 10-2015-00984091.一种基底结构，所述基底结构包括：基础基底；多个单元基底区域，按一行或更多行和一列或更多列布置在基础基底上且彼此隔开；以及虚设基底区域，位于单元基底区域之间，其中，在行方向或列方向上，单元基底区域之中的两个相邻的第一单元基底区域的中心点之间的第一间距和单元基底区域之中的两个相邻的第二单元基底区域的中心点之间的第二间距彼此不同。2.根据权利要求1所述的基底结构，其中，由单元基底区域形成的多个带在行方向和列方向中的至少一个方向上彼此隔开，其中，第一间距在所述多个带的至少第一带中重复，其中，第二间距在所述多个带的至少第二带中重复。3.根据权利要求2所述的基底结构，其中，第一间距设置在位于带中的至少一个的中心部分中的第一部分中，其中，第二间距设置在位于与带中的所述至少一个的与所述中心部分相邻的边缘部分中的第二部分中。4.根据权利要求3所述的基底结构，其中，在带中的所述至少一个中，两个相邻的单元基底区域的中心点之间的间距从带中的所述至少一个的所述中心部分到所述边缘部分顺序地增大或减小。5.根据权利要求1所述的基底结构，其中，两个相邻的第一单元基底区域和两个相邻的第二单元基底区域布置在基础基底的至少第一行或至少第一列中。6.根据权利要求1所述的基底结构，其中，两个相邻的第一单元基底区域布置在基础基底的至少第一行或至少第一列中，并且两个相邻的第二单元基底区域布置在基础基底的至少第二行或至少第二列中。7.根据权利要求1所述的基底结构，其中，基础基底是印刷电路板、晶片或引线框架。8.根据权利要求1所述的基底结构，其中，多个槽形成在虚设基底区域中。9.根据权利要求8所述的基底结构，其中，槽中的至少两个的在行方向和列方向中的至少一个方向上的宽度彼此不同。10.根据权利要求1所述的基底结构，其中，基础基底是印刷电路板，单元基底区域均包括安装有半导体芯片的芯片安装区域，虚设基底区域均包括用于形成单独半导体器件的切割区域。11.根据权利要求1所述的基底结构，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金裕德，赵京淳，李璱基，朴多熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR