形成碳基底连接层的方法技术

本发明专利技术提供一种形成碳基底连接层的方法，包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成电介质层；在所述电介质层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底；以及进行掩膜层灰化和湿法清洗。所述形成碳基底连接层的方法还包括：刻蚀所述第一沟槽底部剩余的所述电介质层和部分所述碳基底以形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽贯穿所述电介质层并且嵌入所述碳基底；以及使用有机溶剂进行湿法清洗。使用这一方法可以有效地去除掉刻蚀后残留的所述掩膜层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种形成碳基底连接层的方法。
技术介绍
制造用于微机电系统(MicroelectromechanicalSystems,MEMS)的微辐射热测定器(Micro-bolometer)需要通过刻蚀形成于非晶碳基底上的金属间电介质(Inter-MetalDielectric,IMD)层到接触所述非晶碳基底表面为止以形成碳基底连接层。然后，需要去除刻蚀后残留的掩膜层。然而，传统的灰化(ashing)工艺并不适用。因为灰化工艺会使用气体，比如氧气、氩气等，高温轰击所述掩膜层以去除残留，在高温下，这些气体会和所述非晶碳基底发生反应，使得所述非晶碳基底受到损坏。现有技术中，在刻蚀所述金属间电介质层后，使用有机溶剂ST-44对残留的所述掩膜层进行湿法去除(wetstrip)，然后再使用所述有机溶剂ST-44进行湿法清洗。然而，在湿法去除残留的所述掩膜层的过程中，生成的聚合物会覆盖在残留的所述掩膜层上。所述有机溶剂ST-44清洗所述聚合物的能力较弱，无法有效地去除掉残留的所述掩膜层。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是，现有技术中，在湿法去除残留的所述掩膜层的过程中，生成的聚合物会覆盖在残留的所述掩膜层上，导致所述有机溶剂ST-44无法有效地去除掉残留的所述掩膜层。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种形成碳基底连接层的方法包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成电介质层；在所述电介质层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底；进行掩膜层的灰化；以及，进行湿法清洗。可选地，在所述碳基底上形成所述电介质层包括：在所述碳基底上形成第一子电介质层；在所述第一子电介质层上形成第二子电介质层；以及在所述第二子电介质层上形成第三子电介质层，其中，所述第三子电介质层的厚度大于所述第一子电介质层的厚度。可选地，所述第一电介质层的厚度为900埃米，所述第三子电介质层的厚度为1200埃米至1600埃米。可选地，所述第一沟槽贯穿所述第三子电介质层和所述第二子电介质层并且嵌入所述第一子电介质层。可选地，所述第一沟槽的底部与所述碳基板之间的距离为300埃米至500埃米。可选地，所述形成碳基底连接层的方法还包括：刻蚀部分所述第三子电介质层，使得所述第三子电介质层的厚度和所述第一子电介质层的厚度相同。可选地，刻蚀部分所述第三子电介质层包括：由所述第三子电介质层的远离所述第二子电介质层的表面开始，向与所述第二子电介质层接触的表面进行刻蚀。可选地，所述形成碳基底连接层的方法还包括：刻蚀所述第一沟槽底部剩余的所述电介质层和部分所述碳基底以形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽贯穿所述电介质层并且嵌入所述碳基底。可选地，形成所述第二沟槽后，所述形成碳基底连接层的方法还包括：使用有机溶剂进行湿法清洗。可选地，所述有机溶剂包括ST-44溶剂。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：在部分刻蚀所述电介质层以形成所述第一沟槽后，所述电介质层仍然覆盖所述碳基底，这样可以使用灰化工艺去除残留的所述掩膜层。使用这一方法可以有效地去除掉残留的所述掩膜层。然后使用湿法清洗以去除灰化过程中生成的所述聚合物以避免所述聚合物附在残留的所述掩膜层的表面。进一步地，再对所述第三子电介质层和所述第一沟槽的底部进行刻蚀。如此，可以进一步地去除掉残留的所述聚合物和所述掩膜层。然后使用所述有机溶剂ST-44再进行一次湿法清洗。经过第一次湿法清洗和对所述第三子电介质层及所述第一沟槽的底部进行刻蚀后，可以很好地去除掉残留的所述聚合物，所以使得所述有机溶剂ST-44在第二次湿法清洗中可以很有效地发挥其清洗的作用去除剩余残留的所述掩膜层。附图说明图1至图4示出了本专利技术实施例的形成碳基底连接层的方法中所形成的中间结构的剖面示意图。具体实施方式由
技术介绍
可知，现有技术中，在湿法去除残留的所述掩膜层的过程中，生成的聚合物会覆盖在残留的所述掩膜层上，导致所述有机溶剂无法有效地去除掉残留的所述掩膜层。一种现有的形成碳基底连接层的方法包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成900埃米厚的第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层上形成200埃米厚的钛金属层；在所述钛金属层上形成900埃米厚的第二氮化硅层；在所述第二氮化硅层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述第二氮化硅层、钛金属层和第一氮化硅层到接触所述碳基底为止形成沟槽；使用有机溶剂ST-44湿法去除残余的所述光刻胶层并且进行湿法清洗。本专利技术的专利技术人研究了现有技术中的形成碳基底连接层的方法后，发现现有的形成碳基底连接层的方法对所述电介质层进行一次刻蚀形成沟槽，刻蚀到接触所述碳基底为止，然后使用所述有机溶剂ST-44进行掩膜层湿法去除以及湿法清洗。其中，所述有机溶剂ST-44主要用于去除所述掩膜层，并且所述有机溶剂ST-44不会与所述碳基底发生反应。然而，所述有机溶剂ST-44对于聚合物的清洗能力较弱。这样，在湿法去除残留的所述掩膜层的过程中，由于生成的聚合物会覆盖在残留的所述掩膜层上，因此所述有机溶剂ST-44无法有效地去除掉残留的所述掩膜层。基于以上研究，本专利技术实施例提供了一种形成碳基底连接层的方法，所述形成碳基底连接层的方法包括：提供碳基底，在所述碳基底上形成电介质层后，再在所述电介质层上形成掩膜层，以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，然后进行掩膜层灰化和湿法清洗。其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底。在一些实施例中，所述形成碳基底连接层的方法还包括：刻蚀所述第一沟槽底部剩余的所述电介质层和部分所述碳基底以形成第二沟槽。在一些实施例中，形成所述第二沟槽后，所述形成碳基底连接层的方法还包括：使用有机溶剂进行湿法清洗。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。需要说明的是，提供这些附图的目的是有助于理解本专利技术的实施例，而不应解释为对本专利技术的不当的限制。为了更清楚起见，图中所示尺寸并未按比例绘制，可能会做放大、缩小或其他改变。参考图1，提供碳基底101，在所述碳基底101上形成电介质层110，在所述电介质层110上形成掩膜层109。在一些实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成碳基底连接层的方法，其特征在于，包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成电介质层；在所述电介质层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底；以及进行掩膜层灰化和湿法清洗。

【技术特征摘要】
1.一种形成碳基底连接层的方法，其特征在于，包括：
提供碳基底；
在所述碳基底上形成电介质层；
在所述电介质层上形成掩膜层；
以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述
第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基
底；以及
进行掩膜层灰化和湿法清洗。
2.如权利要求1所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，在所述碳基
底上形成所述电介质层包括：
在所述碳基底上形成第一子电介质层；
在所述第一子电介质层上形成第二子电介质层；以及
在所述第二子电介质层上形成第三子电介质层，其中，所述第三子电介
质层的厚度大于所述第一子电介质层的厚度。
3.如权利要求2所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，所述第一子
电介质层的厚度为900埃米，所述第三子电介质层的厚度为1200埃米至1600
埃米。
4.如权利要求2所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，所述第一沟
槽贯穿所述第三子电介质层和所述第二子电介质层并且嵌入所述第一子电介
质层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖培，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31