【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及碳系材料突起的形成方法及碳系材料突起构造。
技术介绍
迄今为止,在形成金刚石的突起构造时,有如下的方法,即,在Si的各向异性蚀刻的凹形模具中形成金刚石,将Si除去,形成多晶金刚石的棱锥(例如参照下述非专利文献1)。但是,在将该方法用于电子发射元件中时,由于需要减小头端粒径,因此突起成为多晶,由于在突起内部存在晶界,因此电子的输送不顺畅,有无法从NEA表面有效地进行电子的发射的问题。另外,在用于邻近场光探针中的情况下,如果是多晶,则由于晶界或各个晶体的变形所造成的光的散射,也会有光的传播不够顺畅的问题。另外,还有突起的角度不太尖锐(70度左右)的缺点。所以,开发出了形成使用了单晶的棱锥的方法或形成各种形状的突起的方法(例如参照下述非专利文献2)。该方法在金刚石的表面形成微小的圆柱,在该圆柱上,在控制生长参数的同时,外延性地生长金刚石,制成头端尖锐的棱锥状的突起。另外,还报告过对该微小圆柱突起又进行蚀刻而将其尖锐化的方法。此外,还报告过使用Al掩模形成2阶段的短袜型的突起的方法(例如参照下述非专利文献3、非专利文献4)。另外,还有加工金刚石而形成突起 ...
【技术保护点】
一种碳系材料突起的形成方法,包括:在碳系材料基板上涂布抗蚀剂的工序;在该涂布好的抗蚀剂上形成被依照规定的配置规则排列了的孔的工序,其中,该孔具有从该孔的开口部朝向该孔的底部形成倒锥形的壁面;在所述碳系材料基板上蒸镀掩模材料,在所述孔的内部形成掩模蒸镀物的工序;将蒸镀于所述抗蚀剂上的掩模材料与所述抗蚀剂一起提离的工序;将所述掩模蒸镀物作为掩模使用而蚀刻所述碳系材料基板,形成碳系材料突起的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-3-29 096008/2004;JP 2004-8-31 253159/20041.一种碳系材料突起的形成方法,包括在碳系材料基板上涂布抗蚀剂的工序;在该涂布好的抗蚀剂上形成被依照规定的配置规则排列了的孔的工序,其中,该孔具有从该孔的开口部朝向该孔的底部形成倒锥形的壁面;在所述碳系材料基板上蒸镀掩模材料,在所述孔的内部形成掩模蒸镀物的工序;将蒸镀于所述抗蚀剂上的掩模材料与所述抗蚀剂一起提离的工序;将所述掩模蒸镀物作为掩模使用而蚀刻所述碳系材料基板,形成碳系材料突起的工序。2.根据权利要求1所述的碳系材料突起的形成方法,其特征是,所述碳系材料突起的各自的投影直径在300nm以下,所述碳系材料突起的密度为4个/μm2以上。3.根据权利要求1或2所述的碳系材料突起的形成方法,其特征是,各碳系材料突起为圆锥状。4.一种碳系材料突起的形成方法,包括在碳系材料基板上,形成由硅系...
【专利技术属性】
技术研发人员:西林良树,宫崎富仁,服部哲也,今井贵浩,
申请(专利权)人:住友电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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