【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及化合物系薄膜的形成方法，以及使用该形成方法形成的薄膜。进而，本专利技术还涉及具有该薄J^的发光元件、太阳能电池、TFT、除 此之外还有包括普通的半导体装置以及平板显示装置等在内的电子装置。
技术介绍
以往，为了制造半导体发光元件，在J41上形成有化合物系半导体薄 膜。由于对半导体发光元件的发光波长的短波长化的要求，就这样的薄膜 而言，也要求以良好的结晶性、高品质地形成带隙能量大的材料。进而， 在显示元件、显示装置、太阳能电池、半导体发光装置中，使用了透明的 导电性薄膜。就这样的薄膜而言，由于基tl的耐热性问题，要求在低温下 形成薄膜。另一方面，在这样的透明导电性薄膜中，构成元素大多含有铟。但是， 铟资源有枯竭的可能性，因而逐渐需要不含铟的薄膜(导电性薄膜)。作为不含铟的薄膜，在专利文献l中提出了使用氧化锌(ZnO)系的 材料。在专利文献1中，公开有使用了等离子体的远程等离子体激发 MOCVD (金属有机化学气相沉积Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置。对于专利文献l中公开的远程等离子体激发MOCVD ...
【技术保护点】
一种薄膜形成方法，其特征在于，向使用微波激发高密度等离子体发生装置而发生的等离子体中供给至少含有有机金属系材料气体的气体，在成膜对象物上形成Ⅱ－Ⅵ族系化合物、Ⅲ－Ⅴ族系化合物和Ⅳ族系化合物中至少一个的薄膜。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-5-25 139412/20071.一种薄膜形成方法，其特征在于，向使用微波激发高密度等离子体发生装置而发生的等离子体中供给至少含有有机金属系材料气体的气体，在成膜对象物上形成II-VI族系化合物、III-V族系化合物和IV族系化合物中至少一个的薄膜。2. 根据权利要求i所述的薄膜形成方法，其特征在于，对成膜对 象物施加偏置电位而向膜表面照射等离子体中的离子。3. 根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，使施加的 偏置电位为-0.1~ -30V。4. 根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，使施加的 偏置电位为-30V以下即绝对值为30以上。5. 根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，与未施加 偏置电位的情况相比，将施加的偏置电位设为会使所形成的薄膜的X射 线衍射测定的半辐值减小的电位。6. ^L据权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，与未施加 偏置电位的情况相比，将施加的偏置电位设为会使所形成的薄膜的迁移 率增加的电位。7. 根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，与未施加 偏置电位的情况相比，将施加的偏置电位^L为会^f吏所形成的薄膜中含有 的杂质浓度降低的电位。8. 根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，与未施加 偏置电位的情况相比，将施加的偏置电位设为会使所形成的薄膜的光致 发光特性得到改善的电位。9. 根据权利要求8所述的薄膜形成方法，其特征在于，与未施加 偏置电位的情况相比，将施加的偏置电位设为会使所形成的薄膜的、材 料固有的带隙的带端发光的光致发光亮度增大且其以外的发光亮度减 小的电位。10. 根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，与未施加 偏置电位的情况相比，将施加的偏置电位设为会使所形成的薄膜的膜结 构的平坦性得到改良的电位。11. 根据权利要求1~10中任意一项所述的薄膜形成方法，其特征 在于，作为所述有机金属系材料气体，使用含有第II族、第III族、第IV族、第V族、第...
【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，浅原浩和，井口敦智，绵贯耕平，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，罗姆股份有限公司，东京毅力科创株式会社，宇部兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。