下载化合物系薄膜及其形成方法、以及使用该薄膜的电子装置的技术资料

文档序号:4602080

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本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体,在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时,有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。...
该专利属于国立大学法人东北大学;罗姆股份有限公司;东京毅力科创株式会社;宇部兴产株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过国立大学法人东北大学;罗姆股份有限公司;东京毅力科创株式会社;宇部兴产株式会社授权不得商用。

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