【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体基底的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括第一半导体层、第二半导体层和位于第一半导体层和第二半导体层之间的绝缘层；在所述第二半导体层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有暴露第二半导体层表面的第一开口；沿第一开口刻蚀去除部分的所述第二半导体层，形成暴露绝缘层表面的第二开口；在剩余的第二半导体层的侧壁和部分绝缘层的表面形成隔离层；以所述隔离层为掩膜，刻蚀去除部分的所述绝缘层，形成暴露第一半导体层表面的第三开口；采用选择外延工艺在第三开口和第二开口内填充满半导体材料，形成第三半导体层，第三半导体层的材料与第一半导体层的材料相同。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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