镀柱封装形成制造技术

一种方法包括：从位于衬底上的籽晶层向上镀导电材料的柱，以充填材料包围所述柱，以致柱和充填材料共同限定第一封装，并且从第一封装去除衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电连接，并且更具体的，涉及为这种电连接形成封装的方法。
技术介绍
通过引用结合在此的顺序号为11/329，481，11/329，506，11/329，539， 11/329，540，11/329，556，11/329，557，11/329，558，11/329，574，11/329，575，11/329，576， 11/329，873,11/329，874,11/329，875,11/329，883,11/329，885,11/329，886,11/329，887, 11/329，952，11/329，953，11/329，955，11/330，011 和 11/422，551 的美国专利申请描述了各种用于在半导体片中形成小的、深的通孔，以及为半导体片形成电触点的技术。我们的技术考虑到预先无法实现的、并且能够在芯片、小片或晶片规模上施行的通孔密度和位置。然而，如果这些技术被用于形成高密度的相互连接，则当前没有能够与它们一起使用的“现成产品”或市场上可买到的低成本的封装。所以，当前需要能够与这种高密度的相互连接一起使用的低成本的封装。
技术实现思路
我们已经设计一种方法来生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成封装的方法，所述方法包括：将衬底的表面的至少一部分金属化，以形成籽晶层；在所述籽晶层和所述衬底上设置光刻胶；在所述光刻胶中形成开口，以暴露部分籽晶层；对暴露的所述部分籽晶层镀导电材料，以形成相互连接；在镀所述导电材料之后，去除所述光刻胶；在去除所述光刻胶之后，在与所述相互连接相邻的衬底上设置填充材料，其中所述填充材料的外表面形成与所述相互连接的外表面基本上平的表面；以及去除所述衬底。

【技术特征摘要】
2007.02.16 US 11/675,7311.一种用于形成封装的方法，所述方法包括 将衬底的表面的至少一部分金属化，以形成籽晶层； 在所述籽晶层和所述衬底上设置光刻胶； 在所述光刻胶中形成开口，以暴露部分籽晶层； 对暴露的所述部分籽晶层镀导电材料，以形成相互连接； 在镀所述导电材料之后，去除所述光刻胶； 在去除所述光刻胶之后，在与所述相互连接相邻的衬底上设置填充材料，其中所述填充材料的外表面形成与所述相互连接的外表面基本上平的表面；以及去除所述衬底。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属化包括气相沉积工艺。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属化...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·特雷扎，
申请(专利权)人：丘费尔资产股份有限公司，
类型：发明
国别省市：