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形成具有扩展基底的导电柱的半导体器件和方法技术
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下载形成具有扩展基底的导电柱的半导体器件和方法的技术资料
文档序号:8594940
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本发明涉及形成具有扩展基底的导电柱的半导体器件和方法。半导体器件具有第一半导体管芯和在第一半导体管芯中的导电通孔。可以通过使通孔部分地延伸通过第一半导体管芯的第一表面来形成导电通孔。去除第一半导体管芯的第二表面的一部分以暴露导电通孔。多个导...
该专利属于新科金朋有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过新科金朋有限公司授权不得商用。
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