溅射方法技术

一种溅射方法，在基板(21)的处理面上形成磁场、使用高放电电力并通过斜入射溅射对磁性膜进行成膜的情况下，能够形成膜厚或表面电阻的面内分布的均匀性良好的膜。溅射装置(1)具备：基板保持架(22)，其保持基板(21)，使基板能够绕与基板处理面垂直的旋转轴进行旋转；基板磁场形成装置（30），其配置于基板(21)的周围，在基板(21)的处理面上形成磁场；阴极(41)，其配置于基板(21)的斜上方，放电电力供给至该阴极(41)；位置检测装置(23)，其检测基板(21)的旋转位置；以及控制装置(50)，其根据位置检测装置(23)所检测到的旋转位置来调整基板(21)的旋转速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对阴极提供高放电电力以使阴极与基板保持架之间产生放电，从而对安装在阴极上的靶材进行溅射来在基板上成膜的溅射装置以及。详细地说，本专利技术涉及一种使基板一边绕与该基板的处理面(成膜面)垂直的旋转轴进行旋转一边进行成膜的溅射装置以及。
技术介绍
以往，已知如下一种溅射装置在基板的斜上方偏移配置具备支承靶材的阴极的阴极单元，使基板绕与该基板的处理面垂直的旋转轴进行旋转，同时通过斜入射溅射对靶材进行溅射来在基板上成膜。·作为与其关联的技术，例如提出了如下一种以及装置使基板以适度的速度进行旋转，并将靶材的中心轴线相对于基板的法线的角度Θ保持为15° < Θ <45°的关系(参照专利文献I)。根据该溅射装置，即使使靶材的直径与基板相同或小于基板，也能够形成均匀的膜厚和膜质的膜。专利文献1:日本特开2000-265263号公报
技术实现思路
_6] 专利技术要解决的问题但是，即使在使用以往的斜入射溅射技术形成磁性膜时在表面电阻分布(或者膜厚分布)上也会产生与对其它材料进行成膜的情况相比较大的偏差。但是，在对该磁性膜进行成膜时，其表面电阻(或膜厚分布)的面内分布(1σ)实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射方法，在沿基板的处理面形成磁场的状态下，使上述基板绕与上述处理面垂直的旋转轴进行旋转，同时通过从相对上述基板的处理面倾斜的方向的溅射来形成磁性膜，该溅射方法包括：上述基板包括根据上述磁场的形成状态生成的第一部分和第二部分，该第一部分容易吸引溅射粒子，该第二部分与上述第一部分相比对溅射粒子的吸引力较弱；以及在上述基板的第一部分位于与为了进行上述溅射被供给放电电力而正在进行放电的阴极相近的位置时，将上述基板的旋转速度确定为第一旋转速度，并且在上述基板的第二部分位于与正在进行放电的上述阴极相近的位置时，将上述基板的旋转速度确定为比上述第一旋转速度慢的第二旋转速度。

【技术特征摘要】
2008.09.30 JP 2008-2528581.一种溅射方法，在沿基板的处理面形成磁场的状态下，使上述基板绕与上述处理面垂直的旋转轴进行旋转，同时通过从相对上述基板的处理面倾斜的方向的溅射来形成磁性膜，该溅射方法包括 上述基板包括根据上述磁场的形成状态生成的第一部分和第二部分，该第一部分容易吸引溅射粒子，该第二部分与上述第一部分相比对溅射粒子的吸引力较弱；以及 在上述基板的第一部分位于与为了进行上述溅射被供给放电电力而正在进行放电的阴极相近的位置时，将上述基板的旋转速...

【专利技术属性】
技术研发人员：北田亨，渡边直树，长井基将，末永真宽，金野武郎，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：