【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔以及其应用。
技术介绍
现有应用于铜互联阻挡层中的钽环是固定于钽腔体内，钽环为环状。传统的钽阻挡エ艺主要有三步组 成第一步为氮化钽和钽薄膜沉积，主要将钽靶材上的钽材料沉积到硅片表面，但同时钽环表面也会沉积到钽材料。第二步为钽反溅射，主要是用氩气离子轰击硅片表面和钽环表面，轰击硅片表面可将硅片沟槽底部的钽材料反溅射到侧壁。轰击钽环可提供一定的钽材料增加硅片在沟槽上部和斜面的钽沉积，并提供更好的硅片面内均匀性。第三步为钽薄膜再沉积，步骤和第一歩相同。现有机台エ艺从钽靶材沉积钽薄膜过程中，在钽环上会有很多钽薄膜沉积，而氩气离子轰击钽环表面可起到一定的清除沉积的钽薄膜的作用，但由于氩气离子轰击钽环有一定的方向性，钽环侧壁和顶部的轰击效果不佳，会造成在此部位的钽薄膜堆积，钽薄膜堆积到一定的厚度会发生开裂剥落、造成腔体的颗粒超标等问题。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在不足之处，提出一种用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔，该反应腔減少钽环上的钽薄膜沉积，防止沉积在钽环的薄膜过厚，产生钽薄膜开裂剥落的问题。为了实现上述目的本专利技术提供一种用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔，包括反应腔本体，所述反应腔本体的腔室内侧壁上设有一空腔，所述空腔内设有固定支架，所述固定支架具有伸縮部件，固定支架在所述伸缩部件带动下伸出空腔，所述固定支架可伸出空腔一端设有钽环。在本专利技术提供的一优选实施例中，其中所述固定支架并联入机台控制系统。本专利技术另外ー个目的在于提供使用上述反应腔进行沉积薄膜的方法，包括...
【技术保护点】
一种用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔，包括反应腔本体，其特征在于，所述反应腔本体的腔室内侧壁上设有一空腔，所述空腔内设有固定支架，所述固定支架具有伸缩部件，固定支架在所述伸缩部件带动下伸出空腔，所述固定支架可伸出空腔一端设有钽环。
【技术特征摘要】
1.一种用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔，包括反应腔本体，其特征在于，所述反应腔本体的腔室内侧壁上设有一空腔，所述空腔内设有固定支架，所述固定支架具有伸缩部件，固定支架在所述伸缩部件带动下伸出空腔，所述固定支架可伸出空腔一端设有钽环。2.根据权利要求1所述的反应腔，其特征在于，所述固定支架并联入机台控制系统。3.一种使用上述反应腔进行沉积薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩晓刚，陈建维，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。