【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种磁控溅射镀膜装置。
技术介绍
在磁控溅射镀膜技术中，工作气体和反应气体的供气设计对镀膜装置的成膜质量和膜层均匀性起着十分关键的作用。现有的PVD设备沉积薄膜时，工作气体(如氩气)和反应气体(如氧气、氮气、こ炔等中的ー种或ー种以上)进入混气罐中混合均匀，然后通过导气管进入PVD设备的反应室中，最后经出气管导出到靶材附近。开启靶材的电源，靶材产生辉光放电，工作气体离化后轰击靶材产生靶材离子或原子，靶材离子或原子向基材运动过程中，与反应气体反应并沉积在基材上。工作气体的作用在于离化后轰击出靶材离子或原子；而反应气体主要用来与溅射出来的靶材离子或原子反应并沉积在基材上。工作气体和反应气体混合后同时导出到靶材附近，当工作气体较多时，溅射出的靶材原子和离子较多，反应气体能被完全消耗棹。但随着反应气体的增多，部份反应气体就会吸附在靶材表面上，与靶材直接反应，从而在靶材表面形成ー层化合物，导致靶材“中毒”。靶材“中毒”对PVD制程具有不利影响一方面，中毒现象导致靶材的溅射率大幅下降，薄膜沉积速度降低，并且沉积到基材上的膜层附着力差；另ー方面，靶材中毒后，极易导致基材表面薄膜异色，进而导致整炉镀膜产品报废，损失极大。
技术实现思路
有鉴于此，提供一种能够有效避免靶材“中毒”的磁控溅射镀膜装置。 一种磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及可拆卸地设置于反应室腔壁与转架之间的至少ー靶材，该磁控溅射镀膜装置还包括与反应室连通的ニ气体气路，每ー气体气路均设置有出气管，出气管上开设有出气孔，且其中ー气体气路的出气孔靠近靶材设置，另ー气体气路的出气孔...
【技术保护点】
一种磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及可拆卸地设置于反应室腔壁与转架之间的至少一靶材，其特征在于：该磁控溅射镀膜装置还包括与反应室连通的二气体气路，每一气体气路均设置有出气管，出气管上开设有出气孔，且其中一气体气路的出气孔靠近靶材设置，另一气体气路的出气孔靠近转架设置。
【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及可拆卸地设置于反应室腔壁与转架之间的至少一靶材，其特征在于该磁控溅射镀膜装置还包括与反应室连通的二气体气路，每一气体气路均设置有出气管，出气管上开设有出气孔，且其中一气体气路的出气孔靠近靶材设置，另一气体气路的出气孔靠近转架设置。2.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于出气孔靠近靶材设置的气体气路用以导出工作气体，出气孔靠近转架设置的气体气路用以导出反应气体。3.如权利要求2所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述每一气体气路包括一导气管、若干分支管和若干出气管，该导气管穿过反应室的腔壁进入到反应室的内部，且该导气管在反应室内分别与所述若干分支管相连通，并且每一分支管对应连通一出气管。4.如权利要求3所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述每一出气管包括一主...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄登聪，彭立全，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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