一种磁控溅射台以及磁控溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种磁控溅射台以及磁控溅射装置，涉及磁控溅射工艺技术领域，能够避免仅通过调整掩膜板与支撑该掩膜板的支撑架之间的垫片数量，导致待成膜基片与掩膜板之间距离的调整精度较低的问题。该磁控溅射台包括掩膜板、升降机构以及待成膜基片。待成膜基片位于升降机构的承载面上，且掩膜板位于待成膜基片背离所述升降机构的一侧。升降机构用于根据升降指令上升或下降，以对待成膜基片和掩膜板之间的距离进行调整。

Magnetron sputtering table and magnetron sputtering device

The embodiment of the invention provides a magnetron sputtering and magnetron sputtering device, relates to the technical field of magnetron sputtering process, can be avoided only by adjusting the mask plate and the supporting gasket between the supporting frame of the mask plate number, leading to the distance between the substrate and film mask the low precision problem. The magnetron sputtering table comprises a mask plate, a lifting mechanism and a substrate to be formed into a film. The substrate is arranged on the bearing surface of the lifting mechanism, and the mask plate is positioned at the side of the substrate to be separated from the lifting mechanism. The lifting mechanism is used to adjust the distance between the film forming substrate and the mask plate for ascending or downward according to the ascending and downward command.

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射台以及磁控溅射装置
本专利技术涉及磁控溅射工艺
，尤其涉及一种磁控溅射台以及磁控溅射装置。
技术介绍
有机发光二极管(英文全称：OrganicLightEmittingDiode，英文简称：OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。对于大尺寸的OLED显示器而言，当该显示器中的OLED器件为顶发射型时，可以采用透明导电材料作为OLED器件的阴极。构成该透明导电层的材料可以为IZO(英文全称：IndiumZincOxide，中文全称：铟氧化锌)或者IGZO(英文全称：IndiumGalliumZincOxide，中文全称：铟镓锌氧化物)为等。具体的，当采用上述透明导电材料是，可以采用磁控溅射工艺形成OLED器件的阴极。然而，当采用磁控溅射工艺制备OLED器件的阴极时，如果待成膜基片与掩膜板之间的距离较远，将会导致Shadow(薄膜图案化阴影)的出现。或者，如果待成膜基片与掩膜板之间的距离较近，待成膜基片会受到掩膜板较大的挤压力，容易导致待成膜基片发生破损。现有技术中，为了对待成膜基片与掩膜板之间的距离进行调整，通常会对掩膜板与支撑该掩膜板的掩膜板支撑架之间的垫片数量进行调整。然而，由于垫片的尺寸规格有限，因此很难使得调节后的间距达到理想值，从而降低了待成膜基片与掩膜板之间距离的调整精度。此外，在调整的过程中反复增减垫片，会导致调节过程繁琐，降低了生产效率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种磁控溅射台以及磁控溅射装置，避免仅通过调整掩膜板与支撑该掩膜板的支撑架之间的垫片数量，导致待成膜基片与掩膜板之间距离的调整精度较低的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例的一方面，提供一种磁控溅射台，包括掩膜板、升降机构以及待成膜基片；所述待成膜基片位于所述升降机构的承载面上，且所述掩膜板位于所述待成膜基片背离所述升降机构的一侧；所述升降机构用于根据升降指令上升或下降，以对所述待成膜基片和所述掩膜板之间的距离进行调整。优选的，所述升降机构包括多个均匀分布的升降组件；所述升降组件包括升降杆，以及与所述升降杆相连接的驱动器，所述驱动器用于驱动所述升降杆运动。优选的，所述升降组件还包括设置于所述升降杆靠近所述待成膜基片一侧的压力感应部；所述压力感应部与所述升降杆相连接，用于对升降杆的支撑力进行采集。优选的，所述驱动器还与所述压力感应部相连接，所述驱动器包括处理单元、驱动控制单元以及执行单元；所述处理单元与所述压力感应部相连接，用于根据所述压力感应部的采集结果计算出所述升降杆的位移补偿值；所述驱动控制单元与所述处理单元相连接，用于根据所述位移补偿值生成所述升降指令；其中所述升降指令与所述位移补偿值相匹配；所述执行单元与所述驱动控制单元和所述升降杆相连接，用于根据所述升降指令控制所述升降杆的位移。优选的，所述升降组件还包括连接所述升降杆和所述压力感应部的缓冲部；所述缓冲部用于在所述升降杆上升或下降的过程中，对所述升降杆施加至所述压力感应部件的作用力进行缓冲。优选的，所述执行单元为旋转电机，所述升降杆为丝杠；所述升降机构还包括固定安装的固定板；所述固定板与所述待成膜基片平行；每一个所述丝杠穿过所述固定板，并与所述固定板相配合以构成丝杠螺母副；所述升降组件还包括安装于所述固定板上的导轨，所述导轨的延伸方向与所述丝杠的延伸方向一致，所述旋转电机的机壳安装于所述导轨上，所述丝杠在上升或下降的过程中带动所述旋转电机沿所述导轨运动。优选的，所述执行单元为液压缸，所述升降杆与所述液压缸的活塞杆相连接。优选的，所述压力感应部包括封装盖、滚珠、杠杆支架以及安装于所述杠杆支架上的多个倾斜设置的杠杆；所述多个杠杆设置于所述滚珠周边，每一个所述杠杆的一端与所述滚珠相接触；所述封装盖上设置有用于露出所述滚珠的开孔，以使得所述滚珠与所述待成膜基片相接触；所述压力感应部还包括安装于所述封装盖背离所述待成膜基片一侧的多个压电感应器，所述压电感应器与所述杠杆一一对应，且所述压电感应器设置于所述杠杆的另一端。优选的，所述缓冲部包括套筒以及弹簧；所述弹簧的一端与所述套筒相连接，另一端与所述升降杆相连接；所述套筒扣合与所述升降杆上，且所述套筒背离所述升降杆的一端与所述压力感应部相连接。本专利技术实施例的另一方面，提供一种磁控溅射装置，包括如上所述的任意一种磁控溅射台；所述磁控溅射装置还包括磁控溅射腔室，所述磁控溅射台位于所述磁控溅射腔室内。本专利技术实施例提供一种磁控溅射台以及磁控溅射装置，该磁控溅射台包括掩膜板、升降机构以及待成膜基片。其中，待成膜基片位于升降机构的承载面上，且掩膜板位于待成膜基片背离升降机构的一侧。该升降机构用于根据升降指令上升或下降，以对待成膜基片和掩膜板之间的距离进行调整。这样一来，该升降机构在上升或下降的过程中可以对掩膜板与待成膜基片之间的距离进行微调，从而提高待成膜基片与掩膜板之间距离的调整精度，且避免多次通过调整掩膜板与掩膜板支撑架之间的垫片数量导致调节过程繁琐的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种磁控溅射装置的结构示意图；图2为图1中掩膜板的结构示意图；图3为图1中磁控溅射台的一种结构示意图；图4为图1中磁控溅射台的另一种结构示意图；图5为图4中压力感应部的结构示意图；图6为图5中压力感应部的俯视图；图7为图1中磁控溅射台的另一种结构示意图；图8为图1中磁控溅射台的又一种结构示意图；图9为图1中升降组件的一种结构示意图；图10为图9中各个部件的分解示意图。附图标记：01-磁控溅射台；02-磁控溅射腔室；10-掩膜板；101-开口区域；102-遮挡区域；11-掩膜板支撑架；12-靶材；13-磁控管；14-调整垫片；20-升降机构；21-升降组件；210-升降杆；211-驱动器；2110-处理单元；2111-驱动控制单元；2112-执行单元；2113-操作单元；212-压力感应部；2120-封装盖；2121-滚珠；2122-杠杆支架；2123-杠杆；2124-压电感应器；213-固定板；214-；215-缓冲部；2151-套筒；2152-弹簧；30-待成膜基片。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种如图1所示的磁控溅射台01。该磁控溅射台01包括掩膜板10、升降机构20以及待成膜基片30。其中，该掩膜板10如图2所示，具有间隔设置的开口区域101和遮挡区域102。具体的，该待成膜基片30位于升降机构20的承载面上。其中，该升降机构20的承载面是指升降机构20用于承载待成膜基片30的表面，即与该待本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射台，其特征在于，包括掩膜板、升降机构以及待成膜基片；所述待成膜基片位于所述升降机构的承载面上，且所述掩膜板位于所述待成膜基片背离所述升降机构的一侧；所述升降机构用于根据升降指令上升或下降，以对所述待成膜基片和所述掩膜板之间的距离进行调整。

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射台，其特征在于，包括掩膜板、升降机构以及待成膜基片；所述待成膜基片位于所述升降机构的承载面上，且所述掩膜板位于所述待成膜基片背离所述升降机构的一侧；所述升降机构用于根据升降指令上升或下降，以对所述待成膜基片和所述掩膜板之间的距离进行调整。2.根据权利要求1所述的磁控溅射台，其特征在于，所述升降机构包括多个均匀分布的升降组件；所述升降组件包括升降杆，以及与所述升降杆相连接的驱动器，所述驱动器用于驱动所述升降杆运动。3.根据权利要求2所述的磁控溅射台，其特征在于，所述升降组件还包括设置于所述升降杆靠近所述待成膜基片一侧的压力感应部；所述压力感应部与所述升降杆相连接，用于对升降杆的支撑力进行采集。4.根据权利要求3所述的磁控溅射台，其特征在于，所述驱动器还与所述压力感应部相连接，所述驱动器包括处理单元、驱动控制单元以及执行单元；所述处理单元与所述压力感应部相连接，用于根据所述压力感应部的采集结果计算出所述升降杆的位移补偿值；所述驱动控制单元与所述处理单元相连接，用于根据所述位移补偿值生成所述升降指令；其中所述升降指令与所述位移补偿值相匹配；所述执行单元与所述驱动控制单元和所述升降杆相连接，用于根据所述升降指令控制所述升降杆的位移。5.根据权利要求3所述的磁控溅射台，其特征在于，所述升降组件还包括连接所述升降杆和所述压力感应部的缓冲部；所述缓冲部用于在所述升降杆上升或下降的过程中，对所述升降杆施加至所述压力感应部件的作用力进行缓冲。6.根据权利要求4所述的磁控溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛金祥，孙中元，周翔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11