本实用新型专利技术涉及材料表面改性技术,特别提供了一种双辉化学气相沉积装置。该装置为一个密闭的沉积室,沉积室有一至三个进气口和一个出气口,一个阳极和两个阴极组成。沉积室内壁材质为不锈钢,沉积真空室内的结构件为金属和/或石墨材料;沉积室极限真空10-3Pa以下,沉积室内的工作气压0.01Pa-50Pa;进气口气体为氩气、硅烷、金属醇盐等反应气体;装置中阳极接通于沉积室,两个阴极分别接通于靶材和工件材料,其中工件电压范围为0V~-1200V,靶材电压范围为0V~-1200V;装置中工件表面温度为800℃-1200℃,且该温度是工件材料附近局部区域的温度。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
一种等离子物理和化学共沉积装置
本技术涉及材料表面改性技术,特别提供了一种等离子物理和化学共沉积装置。
技术介绍
采用化学与物理的表面改性技术改变材料或工件表面的化学成分或组织结构以提高机器零件或材料性能的一类热处理技术。它包括化学热处理;表面涂层等薄膜镀层 (物理气相沉积、化学气相沉积等)和非金属涂层技术等。化学气相沉积技术具有设备简单、操作维护方便、灵活性强的优点,但是反应温度较高,沉积速率较低(一般每小时只有几微米到几百微米),难以局部沉积;参与沉积反应的气源和反应后的余气都有一定的毒性;镀层很薄,已镀金属不能再磨削加工,如何防止热处理畸变是一个很大的难题。对溅射技术而言,涂层的沉积速率的控制是非常重要而复杂的,因为在时间一定时,涂层厚度由速率决定,并且沉积速率的大小对薄膜的表面质量大有影响。影响沉积速率的主要因素有溅射功率、反应室的工作压强和溅射气流的流速等。溅射的特点是成膜速率高,基片温度低, 膜的粘附性好,可实现大面积镀膜。然而,物理气相沉积溅射装置费用极其昂贵。这些用以强化零件或材料表面的技术,赋予零件耐高温、防腐蚀、耐磨损、抗疲劳等各种新的特性。使原来在高速、高温、腐蚀介质环境下工作的零件,提高了可靠性、延长了使用寿命,具有很大的经济意义和推广价值。
技术实现思路
本技术要解决的一个技术问题是克服现有技术的不足,提供一种等离子物理和化学共沉积装置,包括一个密闭的沉积室,进气控制系统、排气系统、抽真空控制系统和尾气处理系统,其特征在于沉积室有两个进气口和一个出气口,一个阳极、一个放置工件的阴极和一个放置靶材的阴极。所述的装置的沉积室和沉积室内的结构件材质为不锈钢。所述的装置的进气系统由质量流量计联通电脑系统控制进气的流量大小,可持续进气或脉冲式进气。所述的装置的排气口可由电脑系统控制持续抽真空或脉冲式抽真空。所述的装置的抽真空系统由电脑系统控制真空系统的关闭,该系统由一级机械泵和二级分子泵组成,密闭的沉积室内的极限真空保持在10_3Pa以下,沉积室内的工作气压为 O.OlPa 40Pa。所述的装置的尾气处理系统由耐腐蚀的不锈钢圆筒组成,圆筒中预置KOH、NaOH 颗粒或片,尾气处理系统联通抽真空系统,净化反应炉内的高温反应生产的残余气体。所述的装置中阳极接通于沉积室外壁,两个阴极分别接通于靶材和工件材料,其中工件电压范围为O V -1500 V,靶材电压范围为O V -1500 V。所述的装置中工件表面温度为500°C -1300°c,且该温度是工件材料附近局部区域的温度。本技术还提供一种等离子物理和化学共沉积装置的沉积方法,其特征在于包括下述顺序的步骤(I)工件和靶材置于沉积室内,然后打开电脑控制系统,(2)打开抽真空系统、排气系统和空气阀门,沉积室抽真空至极限真空;(3)打开进气系统,调节沉积室工作气压;(4)工作气压稳定后,缓慢开通工件电压,等离子体加热工件,同时清洗工件表面;(5)缓慢开通靶材电压,工件表面温度达到要求;(6)通入反应气体,关闭空气阀门,打开尾气处理阀;(7)持续抽真空,或脉冲抽真空;(8)沉积l_5h后,关闭反应气体;(9 )持续通入氩气,持续抽真空lh 2h ;(10)关闭整个系统电源;(11)通入氩气,沉积室内压力到常压;(12)打开沉积室,取出试样。应用效果本技术与现有技术相比,具有以下优点(I)装置成本低;(2)该技术的沉积工艺操作简单;(3)该技术的沉积速率较快;(4)可制备多功能复合涂层;(5)结合物理溅射技术和化学气相沉积技术。附图说明图1是等离子物理和化学共沉积装置图。10氧气瓶、20氩气瓶、30氢气瓶、40 炉体、50气阀、60质量流量计、70衬底、80工件、90靶材、100阳极、200电源系统、300 机械泵、400分子泵、500反应气体容器、600尾气处理装置、700密封口、800电脑控制系[0031 ] 图2是等离子物理和化学共沉积沉积炉示意图。10阳极;20沉积室外壁不锈钢; 30靶材材料;40等离子云;50工件材料;60衬底;70进气口 ;80气阀;90出气口 ;100靶材电极;110工件电极。具体实施方式下面结合具体实施例,进一步阐明本技术,应理解这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围,在阅读了本技术之后,本领域技术人员对本技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定。实施例实施例1使用石墨碳作为工件,以高纯度的钥盘为靶材,打开抽真空系统,使炉内处于真空情况。打开氩气瓶,向炉内通入氩气,电脑系统控制其流量,清洗工件表面半个小时。缓慢打开氢气瓶,通入硅烷液体内罐中,再热一定温度下,电脑系统控制其流量。真空沉积室中通入的硅烷流量为lOsccm,氩气流量为40sccm,真空室内工作气压5Pa,靶材电压为-800V, 工件电压为-300V。经过Ih沉积,可获得大约4 μ m厚的钥-碳化硅复合薄膜。钥-碳化硅复合薄膜试样和硅化钥涂层试样进行高温氧化测试,经过180(TC高温氧化Ih后,钥-碳化硅复合薄膜保持完整,没有出现脱落现象。另外,钥-碳化硅复合薄膜的高温氧化性能比硅化钥的氧化性能要好。上述仅为本技术的单个具体实 施方式,但本技术的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本技术进行非实质性的改动,均应属于侵犯本技术保护的范围的行为。但凡是未脱离本技术技术方案的内容,依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何形式的简单修改、等同变化与改型,仍属于本技术技术方案的保护范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子物理和化学共沉积装置,包括一个密闭的沉积室,进气控制系统、排气系统、抽真空控制系统和尾气处理系统,其特征在于沉积室有两个进气口和一个出气口,一个阳极、一个放置工件的阴极和一个放置靶材的阴极。
【技术特征摘要】
1.一种等离子物理和化学共沉积装置,包括一个密闭的沉积室,进气控制系统、排气系统、抽真空控制系统和尾气处理系统,其特征在于沉积室有两个进气口和一个出气口,一个阳极、一个放置工件的阴极和一个放置靶材的阴极。2.根据权利要求书I所述的装置,其特征在于沉积室和沉积室内的结构件材质为不锈钢。3.根据权利要求书I所述的装置,其特征在于进气系统由质量流量计联通电脑系统控制进气的流量大小,可持续进气或脉冲式进气。4.根据权利要求书I所述的装置,其特征在于排气口可由电脑系统控制持续抽真空或脉冲式抽真空。5.根据权利要求书I所述的装置,其特征在于所述抽真空系统由电脑系统控制真空系统的关闭,该系统由一级机械泵...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈照峰,吴王平,
申请(专利权)人:苏州宏久航空防热材料科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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