多弧离子镀膜装置制造方法及图纸

一种多弧离子镀膜装置，其包括一反应室、设置于反应室的腔体顶壁的至少一靶材及设置于反应室的腔体底壁的一装载台，该装载台用以装载基材，该反应室内于装载台的上方还设置有一罩体，该靶材和罩体之间设置有第一电源控制装置以设置靶材和罩体之间的第一负偏压，该罩体和基材之间设置有第二电源控制装置以设置罩体和基材之间的第二负偏压。本发明专利技术多弧离子镀膜装置能够有效于基材的尖端部进行沉积镀膜。

【技术实现步骤摘要】
多弧离子镀膜装置
本专利技术涉及一种多弧离子镀膜装置。
技术介绍
利用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)技术于基材上沉积薄膜时，通常需要在基材上施加一负偏压。负偏压使得阴极靶源与基材之间产生一电场，基材的负偏压可使得等离子体中的一部份正离子对基材进行轰击和沉积。对于大件平面基材，采用PVD技术在基材上施加负偏压时，可以取得较好的镀膜效果，主要是因为基材的平面面积较大，介于阴极靶和基材之间的电场分布较为均匀，从而使得靶材离子或原子沉积于基材表面各处的概率大致相等，因此膜层厚度也比较均匀。但对于小基材，尤其是具有尖端部的基材，由于尖端部位电场异常导致的尖端放电效应，沉积膜层的厚度较难控制。有时不但尖端部不能沉积上膜层，反而因为尖端放电效应导致尖端部遭到刻蚀，导致基材报废。
技术实现思路
有鉴于此，提供一种能够有效于基材的尖端部进行镀膜的多弧离子镀膜装置。一种多弧离子镀膜装置，其包括一反应室、设置于反应室的腔体顶壁的至少一靶材及设置于反应室的腔体底壁的一装载台，该装载台用以装载基材，该反应室内于装载台的上方还设置有一罩体，该靶材和罩体之间设置有第一电源控制装置以设置靶材和罩体之间的第一负偏压，该罩体和基材之间设置有第二电源控制装置以设置罩体和基材之间的第二负偏压。本专利技术所述多弧离子镀膜装置，通过在反应室内设置一罩体，并分别于靶材和罩体之间设置有实现第一负偏压的电源控制装置，罩体和基材之间设置有实现第二负偏压的电源控制装置，从而在镀膜过程中，使具有尖端部的基材表面能够沉积高质量的膜层。附图说明图1为本专利技术一较佳实施例的多弧离子镀膜装置的剖视示意图。主要元件符号说明多弧离子镀膜装置100反应室30靶材40装载台50基材70尖端部71罩体10主体部11连接杆13第一电源控制装置60第二电源控制装置80如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1，本专利技术多弧离子镀膜装置100，其包括一反应室30、设置于反应室30内的至少一靶材40、一装载台50及一罩体10。本实施例中，靶材40的数量为一个。该至少一靶材40为阴极靶，其设置于反应室30的腔体顶壁。该装载台50设置于反应室30的腔体底壁，并可绕装载台50的轴心旋转。该装载台50用以装载基材70。装载台50上设置有一定位治具(图未示)，以固定基材70于装载台50上。所述基材70包括一本体部73及形成于本体部73一端的一尖端部71。当基材70装载于装载台50上时，所述尖端部71正对反应室30的腔体顶壁。该罩体10包括一主体部11和一连接杆13。该主体部11为半球形，其由金属丝制成，并形成有若干网孔。所述金属丝的直径为0.1～3mm，优选0.5mm。所述网孔为方形网孔，网孔的宽度约为0.2～1.5cm。该主体部11设置于装载台50的上方，且完全罩住基材70的尖端部71。所述金属丝由非磁性材料制成，具体材质可为不锈钢或铜，优选铜。该主体部11不限于半球形，也可以为其他形状，只要保证能罩住基材70的尖端部71。该连接杆13的一端连接所述主体部11，另一端可拆卸的连接于反应室30的腔壁，从而使该罩体10固定于反应室30内。该连接杆13不限于图1所示的结构，也可以为弯折的。所述靶材40和罩体10之间设置有第一电源控制装置60，该第一电源控制装置60用以在靶材40和罩体10之间设置第一负偏压。此外所述罩体10和基材70之间设置有第二电源控制装置80，该第二电源控制装置80用以在罩体10和基材70之间设置第二负偏压。第一负偏压的作用在于将靶材40产生的部份离子吸引到罩体10附近，第二负偏压的作用在于将吸引至罩体10的离子均匀沉积于基材70的尖端部71上。相比于基材70的尖端部71，罩体10所覆盖的区域面积较大，因此在阴极靶材40和罩体10之间产生的电场区域较大且电场分布均匀，故有较多的离子在电场作用下加速向罩体10运动；此外，罩体10和尖端部71之间的电场分布也更均匀，大部份离子到达罩体10后，在第二负偏压的作用下直接透过罩体10的主体部11的网孔，再次加速向基材70运动沉积在尖端部71上，同时基材70的非尖端部71也将被沉积膜层。沉积初期可以增大第一负偏压，以吸引更多靶材离子达到罩体10并再次沉积于基材70表面；沉积后期，可减小第一负偏压，以减小沉积速率，获得结合力优良的高质量膜层。本专利技术所述多弧离子镀膜装置100，通过在反应室30内设置一罩体10，并分别于靶材40和罩体10之间设置有实现第一负偏压的第一电源控制装置60，罩体10和基材70之间设置有实现第二负偏压的第二电源控制装置80，在镀膜过程中，基材70的尖端部71的电场能够比较均匀，从而使尖端部71能够沉积高质量的膜层。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多弧离子镀膜装置，其包括一反应室、设置于反应室的腔体顶壁的至少一靶材及设置于反应室的腔体底壁的一装载台，该装载台用以装载基材，其特征在于：该反应室内于装载台的上方还设置有一罩体，该靶材和罩体之间设置有第一电源控制装置以设置靶材和罩体之间的第一负偏压，该罩体和基材之间设置有第二电源控制装置以设置罩体和基材之间的第二负偏压。

【技术特征摘要】
1.一种多弧离子镀膜装置，其包括一反应室、设置于反应室的腔体顶壁的至少一靶材及设置于反应室的腔体底壁的一装载台，该装载台用以装载基材，其特征在于：该反应室内于装载台的上方还设置有一罩体，该靶材和罩体之间设置有第一电源控制装置以设置靶材和罩体之间的第一负偏压，该罩体和基材之间设置有第二电源控制装置以设置罩体和基材之间的第二负偏压，该罩体包括一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄登聪，彭立全，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：