平面磁控溅射阴极制造技术

一种平面磁控溅射阴极，其包括靶材、磁体装置、磁靴，所述磁体装置装设于靶材的背面，所述磁体装置包括平行且间隔设置的三第一磁体，该三第一磁体分别设置于靶材的两侧和中间，该磁体装置还包括四第二磁体，该四第二磁体为两两一组设置于相邻的二第一磁体之间；且该磁体装置中相邻的第一磁体与第二磁体的极性排布相反，相邻的二第二磁体的极性排布相反。本发明专利技术平面磁控溅射阴极能够使靶材表面的磁场强度分布更加均匀，使得靶材表面的蚀刻区大大宽化，从而有效提高了靶材的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种平面磁控溅射阴极，尤其涉及一种能够提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极。
技术介绍
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,简称PVD),是一种利用物理方式在基材上沉积薄膜的技术。磁控溅射技术是物理气相沉积技术的一种。在磁控溅射镀膜技术中，高能离子(通常为电场加速的氩气离子)轰击靶材表面，靶材表面离子或原子与入射的高能离子交换能量后从靶材表面飞溅出来，并在基材上沉积成膜。目前，在磁控溅射镀膜技术应用领域，广泛使用的是平面磁控溅射阴极。如图1所示的现有的平面磁控溅射阴极200包括靶材201、磁体装置203、磁靴205。所述磁体装置203包括三个磁体210，该三个磁体210装设于靶材201的背面(即与靶材201的溅射面相对的一面)。所述磁靴205设置于磁体装置203相对于所述靶材201的一面。图2所示为图1去除所述靶材201后，从图1箭头所示的方向观测所述磁体装置203。如图2所示，所述每一磁体210由若干磁铁207纵向堆叠而成，且相邻的二磁体210之间的极性(N极和S极的朝向)排布相反。在溅射过程中，靶材201表面的磁场强度分布如图1中虚线所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面磁控溅射阴极，其包括靶材、磁体装置、磁靴，所述磁体装置装设于靶材的相对于溅射表面的一面，所述磁靴设置于磁体装置远离所述靶材的一面，所述磁体装置包括平行且等间隔设置的三第一磁体，该三第一磁体分别设置于靶材的两侧和中间，且相邻的二第一磁体的极性排布相反，其特征在于：该磁体装置还包括四第二磁体，该四第二磁体为两两一组设置于相邻的二第一磁体之间，且每一第二磁体均与所述第一磁体平行；且该磁体装置中相邻的第一磁体与第二磁体的极性排布相反，相邻的二第二磁体的极性排布相反。

【技术特征摘要】
1.一种平面磁控溅射阴极，其包括靶材、磁体装置、磁靴，所述磁体装置装设于靶材的相对于溅射表面的一面，所述磁靴设置于磁体装置远离所述靶材的一面，所述磁体装置包括平行且等间隔设置的三第一磁体，该三第一磁体分别设置于靶材的两侧和中间，且相邻的二第一磁体的极性排布相反，其特征在于该磁体装置还包括四第二磁体，该四第二磁体为两两一组设置于相邻的二第一磁体之间，且每一第二磁体均与所述第一磁体平行；且该磁体装置中相邻的第一磁体与第二磁体的极性排布相反，相邻的二第二磁体的极性排布相反。2.如权利要求1所述的平面磁控溅射阴极，其特征在于所述靶材为平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄登聪，彭立全，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：