【技术实现步骤摘要】
矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置
本公开涉及电子器件制造
，具体而言，涉及一种矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置。
技术介绍
磁控溅射技术已发展成为工业镀膜中非常重要的技术，由于其具有高速、低温等特点，越来越受到有关方面的关注。例如，磁控溅射技术已经应用延伸到许多生产和科研领域，在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面都有广泛的应用。特别是用磁控溅射技术制备的透明导电玻璃目前广泛应用于平板显示器、太阳能电池、建筑玻璃、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等领域。然而，现有技术中的磁控溅射靶装置仍然存在一些缺点。例如，由于在磁控溅射镀膜技术中，采用的磁场并非完全均匀的，而非均匀磁场区域中的等离子体会产生局部收缩效应，使靶材上局部位置的溅射刻蚀速率变的极大，其结果是会在较短时间内将靶材的局部区域刻蚀穿，致使靶材的利用率一般仅在20%?30%。例如，图1以及图2中为现有技术中用于磁控溅射的矩形平面靶材的结构示意图。图中1-7均为靶材，8-9为位于靶材下端的磁铁。中间区域的靶材3-7位于均匀磁场区域，而两端区域的靶材1-2位于非均匀磁场区域。...
【技术保护点】
一种矩形平面磁控溅射靶材，包含：第一部分，对应位于其两端区域的部分；第二部分，对应位于所述两端区域的之间区域的部分；其特征在于：所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种矩形平面磁控溅射靶材，包含: 第一部分，对应位于其两端区域的部分； 第二部分，对应位于所述两端区域的之间区域的部分； 其特征在于: 所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。2.根据权利要求1所述的矩形平面磁控溅射靶材，其特征在于，所述第二部分与第一部分的厚度之差可以使得在磁控溅射过程中，所述第二部分不先于所述第一部分达到刻蚀最低值。3.根据权利要求2所述的矩形平面磁控溅射靶材，其特征在于，所述第二部分与第一部分的厚度之差可以使得在磁控溅射过程中，所述第二部分与所述第一部分同时达到刻蚀最低值。4.根据权利要求1-3任意一项所述的矩形平面磁控溅射靶材，其特征在于，所述第二部分比所述第一部分厚l_2mm。5.根据权利要求4所述的矩形平面磁控溅射靶材，其特征在于，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晨光，
申请(专利权)人：南昌欧菲光科技有限公司，深圳欧菲光科技股份有限公司，苏州欧菲光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
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