矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置。该矩形平面磁控溅射靶材包括：第一部分，对应位于其两端区域的部分；第二部分，对应位于所述两端区域的之间区域的部分；所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。通过本公开，可以避免出现由于局部过早刻蚀穿而导致整套矩形平面磁控溅射靶材浪费，提高了整套矩形平面磁控溅射靶材的利用率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置
本公开涉及电子器件制造
，具体而言，涉及一种矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置。
技术介绍
磁控溅射技术已发展成为工业镀膜中非常重要的技术，由于其具有高速、低温等特点，越来越受到有关方面的关注。例如，磁控溅射技术已经应用延伸到许多生产和科研领域，在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面都有广泛的应用。特别是用磁控溅射技术制备的透明导电玻璃目前广泛应用于平板显示器、太阳能电池、建筑玻璃、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等领域。然而，现有技术中的磁控溅射靶装置仍然存在一些缺点。例如，由于在磁控溅射镀膜技术中，采用的磁场并非完全均匀的，而非均匀磁场区域中的等离子体会产生局部收缩效应，使靶材上局部位置的溅射刻蚀速率变的极大，其结果是会在较短时间内将靶材的局部区域刻蚀穿，致使靶材的利用率一般仅在20%?30%。例如，图1以及图2中为现有技术中用于磁控溅射的矩形平面靶材的结构示意图。图中1-7均为靶材，8-9为位于靶材下端的磁铁。中间区域的靶材3-7位于均匀磁场区域，而两端区域的靶材1-2位于非均匀磁场区域。由于位于非均匀磁场区域的靶材相对于位于均匀磁场区域的靶材蚀刻速度要快很多，导致两端区域的靶材最先被蚀刻穿，而此时中间区域的靶材仍未蚀刻尽，导致整套矩形平面磁控溅射靶材浪费7%?10%。靶材的利用率低，一方面会造成靶材的浪费，另一方面会导致换靶周期缩短，使得设备的开机率降低，影响整个生产线的产能。利用率低的缺点对于普通材料，如TiN等材料的溅射成本没有太大影响。但是，对于一些如金、银、钼等贵金属材料或者Ti3Al等高纯度合金材料的溅射，以及一些如ITO膜、电磁膜、超导膜、电子膜、电介质膜等功能膜的制备，所需要的靶材都极其昂贵，靶材的利用率无疑会在很大程度上增加生产成本。因此，提高矩形平面磁控溅射靶材的利用率，减少靶材的浪费，对于降低生产成本相当重要。
技术实现思路
针对现有技术中的部分或者全部问题，本申请公开一种矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置，从而提高整套矩形平面磁控溅射靶材的利用率。本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。根据本公开的一个方面，一种矩形平面磁控溅射靶材，包括:第一部分，对应位于其两端区域的部分；第二部分，对应位于所述两端区域的之间区域的部分；所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。所述第二部分与第一部分的厚度之差可以使得在磁控溅射过程中，所述第二部分不先于所述第一部分达到刻蚀最低值。所述第二部分与第一部分的厚度之差可以使得在磁控溅射过程中，所述第二部分与所述第一部分同时达到刻蚀最低值。所述第二部分比所述第一部分厚l_2mm。所述第一部分的厚度为7-9mm，所述第二部分的厚度为8-11mm。所述矩形平面磁控溅射靶材为一体式结构。所述第一部分和第二部分均为独立结构。根据本公开的另一方面，一种矩形平面磁控溅射靶材，包括:第一部分，对应位于均匀磁场区域的部分；第二部分，对应位于非均匀磁场区域的部分；所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。根据本公开的再一方面，一种磁控溅射靶装置，包括:背板以及贴覆在所述背板表面的矩形平面磁控溅射靶材；所述矩形平面磁控溅射靶材为上述任意一种矩形平面磁控溅射靶材。所述背板厚度约为8mm。由上述技术方案可知，在本技术所提供的矩形平面磁控溅射靶材以及磁控溅射靶装置中，通过使矩形平面磁控溅射靶材对应位于非均匀磁场区域的部分(即第一部分)的厚度适当大于对应位于均匀磁场区域的部分(即第一部分)的厚度，从而减少了矩形平面磁控溅射靶材对应位于非均匀磁场区域的部分和对应位于均匀磁场区域的部分刻蚀穿所用的时间之差，避免出现由于局部过早刻蚀穿而导致整套矩形平面磁控溅射靶材浪费，提高了整套矩形平面磁控溅射靶材的利用率。【附图说明】通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。图1以及图2为现有技术中矩形平面磁控溅射靶材的结构示意图。图3以及图4为本公开示例实施方式中矩形平面磁控溅射靶材的结构示意图。图中，1-7:革巴材；8_9:磁铁。【具体实施方式】现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。本示例实施方式中首先提供了一种矩形平面磁控溅射靶材，其结构如图3以及图4中所示。图中1-7均为靶材，8-9为位于靶材下方的磁铁，用于产生磁场，从而利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。通常磁铁产生的磁场并非完全均匀的，矩形平面磁控溅射靶材的第一部分，即中间区域的靶材3-7，位于均匀磁场区域；而矩形平面磁控溅射靶材的第二部分，即两端区域的靶材1-2，位于非均匀磁场区域。本公开与现有技术的主要区别之一在于，本示例实施方式所提供的矩形平面磁控溅射靶材中，第二部分的厚度大于第一部分的厚度，从而减少了矩形平面磁控溅射靶材对应位于非均匀磁场区域的部分和对应位于均匀磁场区域的部分刻蚀穿所用的时间之差，避免出现由于局部过早刻蚀穿而导致整套矩形平面磁控溅射靶材浪费，提高了整套矩形平面磁控溅射靶材的利用率。第二部分与第一部分的厚度之差可以根据需要具体设定。但是通常而言，由于第一部分的面积一般远大于第二部分的面积；因此，优选的，第二部分与第一部分的厚度之差至少可以使得在磁控溅射过程中，第二部分不先于第一部分达到刻蚀最低值。最优的是，第二部分与第一部分的厚度之差可以使得在磁控溅射过程中，第二部分与第一部分同时达到刻蚀最低值，从而可以在最大程度上提升矩形平面磁控溅射靶材的利用率。第二部分与第一部分的厚度之差的具体实现既可以是增加第二部分的厚度，也可以是降低第一部分的厚度，或者两者皆有，在本公开中不做特殊限定。以一种常用的矩形平面磁控溅射靶材为例，矩形的两个短边所在的端部位置为非均匀磁场区域，即所述第二部分为矩形短边所在的端部的靶材。一般而言，第一部分的厚度为7-9_，而专利技术人经过多次实验发现，在第二部分比第一部分厚1-2_时，矩形平面磁控溅射靶材的利用率最高。例如，第一部分的厚度为8mm，第二部分的厚度为9-10mm，这样，磁控溅射镀膜过程中，两端区域的靶材与中间区域的靶材基本能够同时达到蚀刻最低值，从而提高了靶材利用率，降低了生产成本。具体而言，采用本示例实施方式所提供的矩形平面磁控溅射靶材，可以将矩形平面磁控溅射靶材的利用率提高7-10%，因此可以有效的降低生产成本。此外，关于矩形平面磁控溅射靶材的结构，其既可以是一体式结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种矩形平面磁控溅射靶材，包含：第一部分，对应位于其两端区域的部分；第二部分，对应位于所述两端区域的之间区域的部分；其特征在于：所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种矩形平面磁控溅射靶材，包含: 第一部分，对应位于其两端区域的部分； 第二部分，对应位于所述两端区域的之间区域的部分； 其特征在于: 所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。2.根据权利要求1所述的矩形平面磁控溅射靶材，其特征在于，所述第二部分与第一部分的厚度之差可以使得在磁控溅射过程中，所述第二部分不先于所述第一部分达到刻蚀最低值。3.根据权利要求2所述的矩形平面磁控溅射靶材，其特征在于，所述第二部分与第一部分的厚度之差可以使得在磁控溅射过程中，所述第二部分与所述第一部分同时达到刻蚀最低值。4.根据权利要求1-3任意一项所述的矩形平面磁控溅射靶材，其特征在于，所述第二部分比所述第一部分厚l_2mm。5.根据权利要求4所述的矩形平面磁控溅射靶材，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晨光，
申请(专利权)人：南昌欧菲光科技有限公司，深圳欧菲光科技股份有限公司，苏州欧菲光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36