【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在表面形成有凸块的晶片的背面进行磨削的磨削方法。
技术介绍
近些年，作为新的三维安装技术，持续开发出了下述技术将多个半导体芯片层叠，形成将层叠起来的芯片贯穿的贯通电极以将半导体芯片彼此连接的层叠技术；以及将多个半导体晶片层叠，形成将层叠起来的晶片贯穿的贯通电极以将半导体晶片彼此连接的层叠技术(TSV :Through Silicon Via,娃通孔)(例如,参照专利文献I )。一般来说，用于三维安装的半导体晶片由于要磨削薄至厚度达到50 μ m以下，因此存在着发生弯曲而使后续处理变得困难的问题。因此，为了防止半导体晶片的弯曲，提出在半导体晶片的表面通过树脂、蜡等与由硬质板构成的辅助板接合后对半导体晶片的背面进行磨削的方法(例如，参照专利文献2)。专利文献1:日本特开2004-241479号公报专利文献2 日本特开2004-207606号公报然而，用于三维安装的半导体晶片由于在表面形成有凸块而存在凹凸，因此当以覆盖晶片的整个表面的方式涂布树脂，将辅助板压接到树脂表面并使树脂硬化时，会在树脂表面显现出与凸块的凹凸对应的凹凸的状态下贴附辅助板。然后，当对...
【技术保护点】
一种晶片磨削方法，所述晶片磨削方法是对在表面形成有凸块的晶片的背面侧进行磨削的磨削方法，所述晶片磨削方法包括下述步骤：树脂涂布步骤，在该树脂涂布步骤中，从所述晶片的表面侧以没过所述凸块的方式在所述晶片的表面涂布受到外部刺激而能硬化的树脂；树脂半硬化步骤，在该树脂半硬化步骤中，使所述受到外部刺激而能硬化的树脂达到保留有粘接性的半硬化状态；树脂表面平坦化步骤，在该树脂表面平坦化步骤中，在所述树脂半硬化步骤后，从所述受到外部刺激而能硬化的树脂的表面侧切削至未到达所述凸块的深度以使所述受到外部刺激而能硬化的树脂的表面平坦化；支承基板贴附步骤，在该支承基板贴附步骤中，将支承基板压接在...
【技术特征摘要】
2011.10.11 JP 2011-2237141.一种晶片磨削方法，所述晶片磨削方法是对在表面形成有凸块的晶片的背面侧进行磨削的磨削方法， 所述晶片磨削方法包括下述步骤 树脂涂布步骤，在该树脂涂布步骤中，从所述晶片的表面侧以没过所述凸块的方式在所述晶片的表面涂布受到外部刺激而能硬化的树脂； 树脂半硬化步骤，在该树脂半硬化步骤中，使所述受到外部刺激而能硬化的树脂达到保留有粘接性的半硬化状态； 树脂表面平坦化步骤，在...
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