一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法技术

一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法，它涉及一种SiC/SiO2纳米材料的合成方法。它要解决现有SiC/SiO2纳米材料的合成方法复杂，产率低和反应随机性大的问题。合成方法：一、按摩尔百分比将硅粉、SiO2和碳纳米管粉体混合，得到混合粉体；二、将混合粉体放于管式炉或烧结炉中，在氩气氛中以1100~1500℃的温度烧结混合粉体；三、混合粉体再置于加热设备中烧结，保温去碳后得到SiC/SiO2纳米线增强体。本发明专利技术的合成方法工艺简单，产品重现性高、可控性好，产率可达80%以上。本发明专利技术主要应用于金属基复合材料增强体SiC/SiO2纳米材料的合成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种SiC/Si02纳米材料合成方法，具体是一种用于大规模、高产率合成SiC/Si02纳米材料的方法。
技术介绍
与传统的金属材料相比，以陶瓷纤维或纳米线增强的金属基复合材料具有许多优良性能，如高比强度、高比刚度、重量轻以及低的或接近于零的热膨胀系数和良好的耐蚀性等。在碳化硅、氧化铝和硼酸盐体系等众多增强体中，β-SiC增强的金属基复合材料被普遍认为具有最好的综合性能，在国家空天技术、电子通讯和交通运输等领域有着广阔的需求。但是目前金属基复合材料存在一个普遍的问题是增强体与金属的界面浸润性差，结合强度低，这在很大程度上影响了最终材料的力学性能。采用对陶瓷纤维或纳米线表面进行SiO2包覆可以改善界面特征和优化界面结构，是当前主要采用的途径之一。现有对于 β-SiC表面的SiO2包覆主要是溶胶凝胶法，但是这种方法存在如下问题1、对溶液酸碱度、反应时间和温度等诸多条件有着苛刻的要求，合成方法复杂；2、每次可加工生产的量较少，产率较低；3、反应随机性大，材料性能因不同反应批次迥异。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有SiC/Si02纳米材料的合成方法复杂，产率低和反应随本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法，其特征在于SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法按下列步骤实现：一、按摩尔百分比将5%~40%的硅粉、5%~40%的SiO2和45%~85%的碳纳米管粉体均匀混合，得到混合粉体；二、将步骤一得到的混合粉体放于管式炉或烧结炉中，在氩气氛中，升温至1100~1500℃的温度并保温1～8h，得到烧结混合粉体；三、将步骤二得到的烧结混合粉体置于加热设备中，在温度为300~800℃的条件下保温2～10h去碳，得到SiC/SiO2纳米线增强体；其中步骤一所述的硅粉细度为100～300目，SiO2粉体的粒径小于80nm，碳纳米管的直径为20~40nm，长度为5~1...

【技术特征摘要】
1.一种SiC/Si02纳米线增强体的合成方法，其特征在于SiC/Si02纳米线增强体的合成方法按下列步骤实现一、按摩尔百分比将5°/Γ40%的硅粉、5°/Γ40%的SiO2和45% 85%的碳纳米管粉体均匀混合，得到混合粉体；二、将步骤一得到的混合粉体放于管式炉或烧结炉中，在氩气氛中，升温至 110(Γ1500 的温度并保温I 8h，得到烧结混合粉体；三、将步骤二得到的烧结混合粉体置于加热设备中，在温度为30(T800°C的条件下保温 2 IOh去碳，得到SiC/Si02纳米线增强体；其中步骤一所述的硅粉细度为100 300目，SiO2粉体的粒径小于80nm，碳纳米管的直径为2(T40nm，长度为5 15 μ m。2.根据权利要求1所述的一种SiC/Si02纳米线增强体的合成方法，其特征在于步骤一按摩尔百分比将15% 20%的硅粉、15% 20%的SiO2和60% 70%的碳纳米管粉体均匀混合。3.根据权利要求1所述的一种SiC/Si02纳米线增强体的合成方法，其特征在于步骤一按摩尔百分比将17%的硅粉、17%的SiO2和66%的碳纳米管粉体均匀混合。4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志江，矫金福，徐用军，姜兆华，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：